用于化学机械抛光的浆液组合物制造技术

本文揭示一种浆液组合物。所述浆液组合物包括0.1wt％到10wt％的磨料、0.01wt％到1wt％的异噻唑分散稳定剂、0.01wt％到1wt％的苯羧酸腐蚀抑制剂、0.01wt％到15wt％的氨基酸螯合剂和0.01wt％到1wt％的由丙烯酰胺和氨基甲基丙醇组成的络合剂。所述浆液组合物与典型抛光用浆液相比能够使高速CMP工艺下的凹陷和侵蚀现象最少，同时维持稳定的Cu移除速率且使Cu与Ta之间的选择性移除速率最大，由此不会在待抛光的表面上提供缺陷。

【技术实现步骤摘要】
用于化学机械抛光的浆液组合物本申请是申请日：2014年2月28日；申请号：201410071795.5；专利技术创造名称：用于化学机械抛光的浆液组合物的分案申请。
本专利技术涉及用于化学机械抛光(CMP)的浆液组合物。更具体来说，本专利技术涉及用于CMP的浆液组合物，其包括磨料、分散剂、稳定剂、腐蚀抑制剂、螯合剂和氧化剂，所述浆液组合物能够使高速CMP工艺下的凹陷和侵蚀现象最少，同时确保稳定的Cu移除速率和经最大化的Cu与Ta之间的选择性移除速率，由此不会在待抛光的表面上造成缺陷。
技术介绍
随着半导体技术的发展，线宽度不断地微小化且因此平面化的重要性增加。特别地，随着半导体集成的增加，已经引进多级互连结构。具有更短波长的光刻技术的采用已经引起景像深度(depthoffield,DOF)的问题。为有效地解决此类问题，CMP的可用性进一步增加。CMP是一种用于平面化晶片表面的工艺，其通过将抛光垫附接到在晶片表面上旋转或偏心移动的抛光台的表面上并使得在晶片的前表面处摩擦，同时供应包括磨料的浆液来实施。更特别地，从浆液到浆液/晶片之间的边界和其性质经改良的晶片表面上的机械抛光是质量传递步骤本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种浆液组合物，其包含：0.1wt％到10wt％的磨料，0.01wt％到1wt％的异噻唑分散稳定剂，0.5wt％到1wt％的腐蚀抑制剂，0.01wt％到15wt％的氨基酸螯合剂，以及0.01wt％到1wt％的由丙烯酰胺和氨基甲基丙醇组成的络合剂，其中所述腐蚀抑制剂为1,2,3,4‑丁烷四甲酸。

【技术特征摘要】
2013.08.30 KR 10-2013-01042011.一种浆液组合物，其包含：0.1wt％到10wt％的磨料，0.01wt％到1wt％的异噻唑分散稳定剂，0.5wt％到1wt％的腐蚀抑制剂，0.01wt％到15wt％的氨基酸螯合剂，以及0.01wt％到1wt％的由丙烯酰胺和氨基甲基丙醇组成的络合剂，其中所述腐蚀抑制剂为1,2,3,4-丁烷四甲酸。2.根据权利要求1所述的浆液组合物，其中所述磨料包含具有20nm到130nm的平均粒子直径的胶质二氧化硅或氧化铝。3.根据权利要求1所述的浆液组合物，其中所述异噻唑分散稳定剂包含选自由以下组成的群组中的至少一者：5-氯-2-甲基-3(2H)-异噻唑酮、5-氯-2-甲基-2H-异噻唑-3-酮盐酸盐、2-氨基-4-氯甲基噻唑(7250-84-2)、2-氯-5-氨基甲基噻唑、2-氯-4-(氯甲基)噻唑、2-氯-5-氯甲基噻唑、3-氯-2,2-二甲基-n-(1,3-噻唑-2-基)丙酰胺、2-氯-5-(乙氧基甲基)噻唑、5-(2-氯乙基)-4-甲基噻唑、2-(1-氯乙基)噻唑、2-氯-N-乙基-5-噻唑甲胺、2-氯-5-羟基甲基噻唑、2-氯-5-(甲氧基甲基)噻唑、5-氯-6-甲基-2-苯并噻唑胺、6-氯-2-甲基苯并噻唑、5-氯-6-甲基苯并噻唑-2-基胺、2-氯-6-(1-甲基乙基)苯并噻唑、5-(氯甲基)-4-乙基-2-甲基-1,3-噻唑、4-(氯甲基)-2-乙基-1,3-噻唑、4-(氯甲基)-2-异丙基噻唑、4-(氯甲基)-2-(2-甲基苯基)-1,3-噻唑、4-(氯甲基)-2-(3-甲基苯基)-1,3-噻唑、4-(氯甲基)-2-(4-甲基苯基)-1,3-噻唑、4-(氯甲基)-2-甲基-1,3-噻唑、5-氯-2-甲基-6-硝基苯并噻唑、4-(氯甲基)-2-苯基-1,3-噻唑、4-(氯甲基)-2-丙基-1,3-噻唑、4-(氯甲基)-2-噻唑胺、2-(氯甲基)-噻唑、2-氯-4-甲基-噻唑、2-氯-5-甲基噻唑、4-(氯甲基)-1...

【专利技术属性】
技术研发人员：李锡浩，宋定桓，全成植，
申请(专利权)人：LTCAM有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR