一种活性金属化钎焊氮化硅陶瓷覆铜基板的制备工艺制造技术

本发明专利技术公开一种活性金属化钎焊氮化硅陶瓷覆铜基板的制备工艺，包括以下步骤：S1：配制钎焊料浆：按以下质量份取Ni、Ag、W、Ar，其中，Ni：40份‑95份；Ag：2份‑10份；W：2份‑45份；Ar：1份‑5份，混合得到金属化浆料；S2：将所述金属化浆料双面印刷在氮化硅陶瓷基板上，形成钎焊浆膜；S3：在每一片氮化硅陶瓷基板外用两片无氧紫铜片夹持，得到氮化硅陶瓷铜片基板；S4：在真空室条件下，对夹持状态下的氮化硅陶瓷铜片基板进行热处理；S5：在所述真空室充入高纯氮气、强制冷却，得到氮化硅陶瓷覆铜基板。本案适用于氮化硅陶瓷活性焊接，具有制备工艺简单、印刷特性优良、与氮化硅陶瓷润湿性良好以及焊接后结合强度高的特点。

【技术实现步骤摘要】
一种活性金属化钎焊氮化硅陶瓷覆铜基板的制备工艺
本案属于陶瓷金属化
，主要涉及一种高性能活性金属化钎焊氮化硅陶瓷覆铜基板的制备工艺。
技术介绍
绝缘栅双极晶体管(IGBT：InsulatedGateBipolarTransistor)是实现电能转换和控制的最先进的电力电子器件，大规模应用于电动汽车、电力机车、智能电网等领域。氮化硅陶瓷覆铜板既具有陶瓷的较高的导热性、高电绝缘性、高机械强度、低膨胀等特性，又具有无氧铜的高导电性和优异的焊接性能。采用活性金属焊接工艺(AMB)制备氮化硅陶瓷覆铜基板，在下一代大功率模块上将有广泛的应用。IGBT模块是实现电能转换和控制的最先进的电力电子器件，具有输入阻抗大、驱动功率小、开关速度快、工作频率高、饱和压降低、安全工作区大和可耐高电压和大电流等优点，被誉为现代工业变流装置的“CPU”，在轨道交通、航空航天、新能源汽车和风力发电等战略性产业广泛应用。高压大功率IGBT模块技术门槛较高，难度较大，特别是要求封装材料散热性能要好、可靠性要高、载流量要大。但是国内相关技术水平落后导致国内高压IGBT市场被欧、美、日等国家所垄断，高压IGBT产品价格本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种活性金属化钎焊氮化硅陶瓷覆铜基板的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1：配制钎焊料浆：按以下质量份取Ni、Ag、W、Ar，其中，Ni：40份‑95份；Ag：2份‑10份；W：2份‑45份；Ar：1份‑5份，混合得到金属化浆料；S2：将所述金属化浆料双面印刷在氮化硅陶瓷基板上，形成钎焊浆膜；S3：在每一片氮化硅陶瓷基板外用两片无氧紫铜片夹持，得到氮化硅陶瓷铜片基板；S4：在真空室条件下，对夹持状态下的氮化硅陶瓷铜片基板进行热处理；S5：在所述真空室充入高纯氮气、强制冷却，得到氮化硅陶瓷覆铜基板。

【技术特征摘要】
1.一种活性金属化钎焊氮化硅陶瓷覆铜基板的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1：配制钎焊料浆：按以下质量份取Ni、Ag、W、Ar，其中，Ni：40份-95份；Ag：2份-10份；W：2份-45份；Ar：1份-5份，混合得到金属化浆料；S2：将所述金属化浆料双面印刷在氮化硅陶瓷基板上，形成钎焊浆膜；S3：在每一片氮化硅陶瓷基板外用两片无氧紫铜片夹持，得到氮化硅陶瓷铜片基板；S4：在真空室条件下，对夹持状态下的氮化硅陶瓷铜片基板进行热处理；S5：在所述真空室充入高纯氮气、强制冷却，得到氮化硅陶瓷覆铜基板。2.根据权利要求1所述的活性金属化钎焊氮化硅陶瓷覆铜基板的制备工艺，其特征在于：所述S3具体包括：采用螺栓型铜模具温控夹，在每一片氮化...

【专利技术属性】
技术研发人员：于利学，于娜，张娜，王美玲，
申请(专利权)人：威海圆环先进陶瓷股份有限公司，
类型：发明
国别省市：山东,37