【技术实现步骤摘要】
一种金属与Ti3SiC2陶瓷的连接方法
本专利技术涉及金属与Ti3SiC2陶瓷的连接技术，更具体的讲是采用Ni中间层,利用瞬时液相扩散连接技术实现钛合金与Ti3SiC2陶瓷可靠连接的方法，或者是通过添加Ti和Ni复合中间层箔片钎焊金属与Ti3SiC2陶瓷的方法。
技术介绍
Ti3SiC2陶瓷凭借其独特的结构，不仅具有陶瓷的优异性能，如低密度(4.53g/cm3)，高熔点(＞3000℃)，良好的热稳定性能、抗氧化性能和耐腐蚀性能；又具备金属的良好导电、导热性能和延展性等。此外Ti3SiC2陶瓷还具有良好的可加工性，高温下具有很好的塑性，较高的强度，以及较低的摩擦因数和良好的自润滑性能。因此，Ti3SiC2陶瓷作为一种高温结构材料，很有希望应用在航空、航天、核工业以及电子信息
金属材料的基本结构和其优良性能决定了它的应用状况，金属材料是当前各行业应用最为广泛、且有着较高性价比的工程材料之一，特别是车辆、机床、航空、航天、核能、建筑等行业制造中尤为如此，有着不可替代的优势。目前，由于纯金属或者合金满足不了实际应用的需求，金属材料正向着金属基复合材料方向发展。但金...
【技术保护点】
1.一种金属与Ti3SiC2陶瓷的连接方法，其特征在于，在金属和Ti3SiC2陶瓷之间设置中间层Ni箔，或者由Ti和Ni组成的中间层(即复合中间层箔片)，以使金属、Ti3SiC2陶瓷和中间层保持接触；在真空扩散炉内进行连接，待真空扩散炉内压力低于1×10‑3MPa时，开始以20±2℃/min的速率自室温20—25摄氏度加热到400±10℃并保温10±2min，之后以20±2℃/min的速率加热到800±10℃并保温10±2min，再按10±2℃/min的升温速率加热到连接温度960℃‑1160℃并保温10—60min，以实现金属通过中间层与Ti3SiC2陶瓷的连接；然后以5...
【技术特征摘要】
1.一种金属与Ti3SiC2陶瓷的连接方法，其特征在于，在金属和Ti3SiC2陶瓷之间设置中间层Ni箔，或者由Ti和Ni组成的中间层(即复合中间层箔片)，以使金属、Ti3SiC2陶瓷和中间层保持接触；在真空扩散炉内进行连接，待真空扩散炉内压力低于1×10-3MPa时，开始以20±2℃/min的速率自室温20—25摄氏度加热到400±10℃并保温10±2min，之后以20±2℃/min的速率加热到800±10℃并保温10±2min，再按10±2℃/min的升温速率加热到连接温度960℃-1160℃并保温10—60min，以实现金属通过中间层与Ti3SiC2陶瓷的连接；然后以5—10℃/min的速率降温至400—600℃，最后随炉冷却至室温20—25摄氏度。2.根据权利要求1所述的一种金属与Ti3SiC2陶瓷的连接方法，其特征在于，连接接头为Ni、金属和Ti3SiC2陶瓷三者之间的反应产物，或者Ti、Ni、金属和Ti3SiC2陶瓷三者之间的反应产物，由于接头间发生了冶金结合，从而可以实现金属和Ti3SiC2陶瓷高强度连接。3.根据权利要求1所述的一种金属与Ti3SiC2陶瓷的连接方法，其特征在于，中间层Ni箔纯度为99wt％(金属Ni质量百分比)，厚度5-200μm，优选20—100μm。...
【专利技术属性】
技术研发人员：王颖，夏永红，杨振文，王东坡，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：天津,12
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