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本发明公开一种金属与Ti3SiC2陶瓷的连接方法，在金属和Ti3SiC2陶瓷之间设置中间层Ni箔，或者由Ti和Ni组成的复合中间层箔片，将整个体系放在真空扩散炉内升温进行连接，连接接头为中间层、金属和Ti3SiC2陶瓷三者之间的反应产物，由...
该专利属于天津大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津大学授权不得商用。

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