一种制备部分覆盖侧面电极的方法技术

本发明专利技术公开了一种制备部分覆盖侧面电极的方法，属于光电子技术领域。步骤包括：A．第一次清洗干燥，B．第一次光刻，C.第一次刻蚀，D．第二次清洗干燥，E．沉积钝化层，F．第二次光刻，G．第二次刻蚀，H．沉积电极，I．腐蚀，J．退火。通过增加预刻蚀台阶，在钝化层去除的同时，除去台面侧面的部分接触金属电极，实现侧面电极的部分覆盖，在保证良好的附着接触质量前提下，所制备电极结构满足低的接触非线性结电容和接触电阻；同时，本制备方法简单，电极可靠性高。

【技术实现步骤摘要】
一种制备部分覆盖侧面电极的方法
本专利技术涉及一种制备侧面电极的方法，具体涉及一种制备微纳电子器件上侧面电极部分覆盖的方法，属于光电子

技术介绍
微纳电子器件是指利用微纳级加工和制备技术，如：光刻、外延、微细加工、自组装生长及分子合成技术等，设计制备而成的具有微纳级尺度和特定功能的电子器件。其中，纳米技术是一门在0.1～100um尺度空间内,对电子、原子和分子的运动规律和特性进行研究并加以应用的高科技学科，它的目标是用单原子、分子制造具有特定功能的产品。国内外科技界已普遍认为纳米技术已成为当今研究领域中最富有活力、对未来经济和社会发展有着十分重要的研究对象。纳米科技正在推动人类社会产生巨大的变革,它不仅将促使人类认识的革命,而且将引发一场新的工业革命。而在微纳技术电子器件的实际使用过程中，微纳技术电子器的侧面电极接触会带来器件的损耗，也影响微纳技术电子器性能和稳定性。目前，侧面电极的制备方法主要是针对于大尺寸台阶侧面，而未出现台阶侧面高度小于100um的小尺寸器件侧面电极的制备方法，而在微纳电子器件加工中，能够实现台阶侧面电极全部覆盖和部分覆盖，对提升微纳电子器件性能及开拓本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制备部分覆盖侧面电极的方法，其特征在于，包括如下步骤：A．将半导体原材清洗干燥；B. 利用光刻技术在清洗干燥后的半导体原材上光刻预刻蚀区，得到具有倾斜角的光刻胶结构；光刻处理过程中，匀胶厚度为1.5～5um，前烘时间为60～140s，曝光时间为3.5～8s ，显影时间为35～51s；C．利用刻蚀技术在经步骤B处理后的半导体原材上刻蚀出预刻蚀台阶；D．将经步骤C处理后的半导体原材清洗干燥；E．于半导体原材表面沉积钝化层；F．在钝化层上进行光刻处理，得到具有倾斜角的光刻胶结构；光刻处理过程中，匀胶厚度为1.5～5um，前烘时间为60～140s，曝光时间为 3.5～8s ，显影时间为35～5...

【技术特征摘要】
1.一种制备部分覆盖侧面电极的方法，其特征在于，包括如下步骤：A．将半导体原材清洗干燥；B.利用光刻技术在清洗干燥后的半导体原材上光刻预刻蚀区，得到具有倾斜角的光刻胶结构；光刻处理过程中，匀胶厚度为1.5～5um，前烘时间为60～140s，曝光时间为3.5～8s，显影时间为35～51s；C．利用刻蚀技术在经步骤B处理后的半导体原材上刻蚀出预刻蚀台阶；D．将经步骤C处理后的半导体原材清洗干燥；E．于半导体原材表面沉积钝化层；F．在钝化层上进行光刻处理，得到具有倾斜角的光刻胶结构；光刻处理过程中，匀胶厚度为1.5～5um，前烘时间为60～140s，曝光时间为3.5～8s，显影时间为35～51s；G．在经步骤F处理后的半导体原材上刻蚀出台面陡直度为40～80°的台阶；H．在台阶上沉积金属，然后溶解光刻胶，于半导体原材侧面形成接触电极；I．腐蚀钝化层，形成部分覆盖侧面电极初品；J．将部分覆盖侧面电极初品进行退火处理，得部分覆盖侧面电极终产品。2.根据权利要求1所述的制备部分覆盖侧面电极的方法，其特征在于，在步骤A中，步骤包括：将半导体原材在丙酮溶液中利用20～90KHz超声波清洗5min，在异丙醇溶液中利用20～90KHz超声波清洗5min，再在去离子水中利用20～90KHz超声波清洗10min，以此重复3次；然后，采用高纯氮气吹干。3.根据权利要求1所述的制备部分覆盖侧面电极的方法，其特征在于，在步骤D中，步骤包括：将刻蚀后的半导体原材在丙酮溶液中利用20～90KHz超声波清洗5min...

【专利技术属性】
技术研发人员：王文杰，谢武泽，李舒啸，安宁，李倩，曾建平，
申请(专利权)人：中国工程物理研究院电子工程研究所，
类型：发明
国别省市：四川,51