一种多电平降压电路制造技术

本发明专利技术该公开了一种多电平降压电路，包括输入单元电路、驱动单元电路和输出单元电路；输入单元电路包括变压器T1、n个电容、n个N‑MOS管、输出电容Co，变压器T1包括n个初级线圈和与次级线圈，其中n为大于或等于2的自然数；本发明专利技术设置的n级电容与n级初级线圈，实现n+1级电平分压，在高压应用场合可降低N‑MOS管漏源极和二极管的反向电压应力，同时本发明专利技术电路无需增添采样电路单元和均压电路单元，在器件参数存在差异或N‑MOS管导通时间不相等时，仍能够对器件电压应力实现均压效果，简化电路设计，有利于电路器件选型。

【技术实现步骤摘要】
一种多电平降压电路
本专利技术涉及开关变换器领域，特别涉及一种多电平降压电路。
技术介绍
随着现代工业的高速发展，用电设备逐渐增多，由于这些设备多采用非可控整流方式，用电设备输入端电流的谐波含量很高，这样就给电网带来了大量的“谐波污染”，而且增加了电网的损耗。为此国际上对用电设备输入电流的谐波含量作了严格的限制，因此必须在用电设备的输入端加入一级功率因数校正(以下简称PFC)装置，以提高输入端的功率因数。中大功率开关电源一般为三相380VAC±20％输入，整流后的直流母线电压将最高会达到640V左右，如果采用三相PFC技术，直流母线电压通常会达到760～800VDC，甚至可以达到1000VDC以上，这使得后级直流变换器开关管的电压应力大大增加，给器件的选取带来困难。在高压应用条件下，为减少开关管的电压应力，通常会采用到多电平技术，如三电平BUCK电路(如图1所示)或者n+1电平BUCK电路(如图3所示)，其中n≥2。以图1中的三电平BUCK电路为例，电路包括N-MOS管Q1、N-MOS管Q2、飞跨电容Cf1、二极管D1、二极管D2，N-MOS管Q2、N-MOS管Q1串联连接在输入与输本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多电平降压电路，其特征在于：包括输入单元电路、驱动单元电路和输出单元电路；输入单元电路包括变压器T1、n个电容、n个N‑MOS管、输出电容Co，变压器T1包括n个初级线圈和与次级线圈，其中n为大于或等于2的自然数；电容C1的一端作为输入单元电路的输入端连接输入端Vin，电容C1的一端还依次经过第一初级线圈Lp1的同名端、第一初级线圈Lp1的异名端、第一N‑MOS管的漏极、第一N‑MOS管的源极、第二初级线圈Lp2的同名端、第二初级线圈Lp2的异名端、第二N‑MOS管的漏极、第二N‑MOS管的源极.......第n初级线圈Lpn的同名端、第n初级线圈Lpn的异名端、第nN‑MOS管的漏极...

【技术特征摘要】
1.一种多电平降压电路，其特征在于：包括输入单元电路、驱动单元电路和输出单元电路；输入单元电路包括变压器T1、n个电容、n个N-MOS管、输出电容Co，变压器T1包括n个初级线圈和与次级线圈，其中n为大于或等于2的自然数；电容C1的一端作为输入单元电路的输入端连接输入端Vin，电容C1的一端还依次经过第一初级线圈Lp1的同名端、第一初级线圈Lp1的异名端、第一N-MOS管的漏极、第一N-MOS管的源极、第二初级线圈Lp2的同名端、第二初级线圈Lp2的异名端、第二N-MOS管的漏极、第二N-MOS管的源极.......第n初级线圈Lpn的同名端、第n初级线圈Lpn的异名端、第nN-MOS管的漏极、第nN-MOS管的源极连接至输出电容Co的一端，输出电容Co的一端作为输入单元电路的输出端连接输出单元电路和输出端Vo，输出电容Co的另一端连接至输入地GND；电容C1的另一端依次经过电容C2、电容C3......电容Cn-1、电容Cn连接至输入地GND；每相邻的两个电容之间形成电容中点，第1至第n-1N-MOS管的源极分别连接与其同级的电容中点；n个N-MOS管的栅极作为输入单元电路的n路控制端连接驱动单元电路的n路输出端用于接收驱动单元电路的n路输出信号，n路输出信号均为同步脉宽信号。2.根据权利要求1所述的多电平降压电路，其特征在于：变压器T1的n个初级线圈和次级线圈均绕在同...

【专利技术属性】
技术研发人员：何垒，刘湘，
申请(专利权)人：广州金升阳科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44