一种MEMS晶圆表面颗粒去除设备及方法技术

本发明专利技术公开了一种MEMS晶圆表面颗粒去除设备，包括用于固定表面贴合有晶圆的薄膜的扩晶环和气体喷射装置；所述气体喷射装置的气体喷嘴朝向所述扩晶环中设置所述晶圆的区域，以使所述气体喷射装置向所述晶圆喷气。在工作状态时，气体喷射装置可以朝安装在扩晶环中的晶圆吹气，通过气流可以有效将MEMS晶圆表面的表面颗粒吹离晶圆表面，从而有效去除晶圆表面的表面颗粒；同时由于仅仅是向晶圆表面喷射气体，几乎不会对晶圆表面的MEMS结构产生破坏，从而可以提高MEMS芯片的产率。本发明专利技术还提供了一种去除MEMS晶圆表面颗粒的方法，同样具有上述有益效果。

【技术实现步骤摘要】
一种MEMS晶圆表面颗粒去除设备及方法
本专利技术涉及微机电系统
，特别是涉及一种MEMS晶圆表面颗粒去除设备及一种去除MEMS晶圆表面颗粒的方法。
技术介绍
MEMS(Micro-Electro-MechanicalSystem，微机电系统)是一种基于微电子技术和微加工技术而产生的一种高科技领域。MEMS技术可将机械构件、驱动部件、电控系统、数字处理系统等集成为一个整体的微型单元，所集成出来的微型单元也可以称为MEMS芯片。在制作MEMS芯片时，有两个重要的步骤，其一是需要将MEMS晶圆释放，所述MEMS晶圆即表面设置有MEMS结构的晶圆，该步骤是要在晶圆上形成具有一定功能的微型结构。在释放之后，通常情况下会在晶圆表面引入表面颗粒。所述表面颗粒包括但不限于颗粒、金属杂质、有机物污染及氧化物、能粘附在晶圆表面的小物体、光致抗蚀剂和蚀刻杂质等，引入表面颗粒后通常危害MEMS芯片的成品率以及电学性能等。在现有技术中，对MEMS晶圆进行清洗主要有两种方法，一种是使用溶剂对MEMS晶圆进行清洗的湿法清洗；另一种是使用等离子体轰击晶圆，以与晶圆表面的颗粒发生反应生成挥发性气体的干法清洗。但是在现有技术中，无论是湿法清洗还是干法清洗，均容易破坏MEMS晶圆表面的MEMS结构，从而使得降低MEMS芯片的产率。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种MEMS晶圆表面颗粒去除设备，可以在不破坏晶圆表面MEMS结构的前提下有效去除晶圆表面的表面颗粒；本专利技术的另一目的在于提供一种去除MEMS晶圆表面颗粒的方法，可以在不破坏晶圆表面MEMS结构的前提下有效去除晶圆表面的表面颗粒。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种MEMS晶圆表面颗粒去除设备，包括用于固定表面贴合有晶圆的薄膜的扩晶环和气体喷射装置；所述气体喷射装置的气体喷嘴朝向所述扩晶环中设置所述晶圆的区域，以使所述气体喷射装置向所述晶圆喷气。可选的，所述设备还包括离子风机；所述离子风机的出风口朝向所述扩晶环中设置所述晶圆的区域，以使所述离子风机向所述晶圆吹扫离子风。可选的，所述晶圆贴合于所述薄膜的下表面，所述气体喷射装置位于所述扩晶环下方。可选的，所述气体喷射装置包括至少一条气体喷射管；所述气体喷射管的轴向方向与所述扩晶环的径向方向相互平行；所述气体喷射管表面设置有至少两个所述气体喷嘴，多个所述气体喷嘴沿所述气体喷射管轴向方向分布。可选的，所述气体喷射管表面设置有至少三个所述气体喷嘴，相邻两个所述气体喷嘴的间距沿所述气体喷射管中气体流动方向依次减小。可选的，所述气体喷射管表面设置有至少两个所述气体喷嘴，所述气体喷嘴的直径沿所述气体喷射管中气体流动方向依次增加。可选的，所述气体喷射装置还包括表面固定有所述气体喷射管的固定平台和旋转电机；所述旋转电机的输出轴与所述固定平台固定连接，所述旋转电机用于驱动所述固定平台沿所述固定平台的周向方向旋转。可选的，所述设备还包括振动台；所述振动台与所述扩晶环固定连接，所述振动台用于带动所述扩晶环振动。可选的，所述设备还包括外壳体，所述扩晶环与所述外壳体固定连接，所述气体喷射装置和所述振动台设置于所述外壳体的内腔中；其中，所述振动台与所述外壳体固定连接。本专利技术还提供了一种去除MEMS晶圆表面颗粒的方法，包括：通过薄膜将释放后的晶圆固定于扩晶环；通过气体喷射装置的气体喷嘴向所述晶圆喷气，以去除所述晶圆表面的表面颗粒。本专利技术所提供的一种MEMS晶圆表面颗粒去除设备，包括用于固定表面贴合有晶圆的薄膜的扩晶环和气体喷射装置；所述气体喷射装置的气体喷嘴朝向所述扩晶环中设置所述晶圆的区域，以使所述气体喷射装置向所述晶圆喷气。在工作状态时，气体喷射装置可以朝安装在扩晶环中的晶圆吹气，通过气流可以有效将MEMS晶圆表面的表面颗粒吹离晶圆表面，从而有效去除晶圆表面的表面颗粒；同时由于仅仅是向晶圆表面喷射气体，几乎不会对晶圆表面的MEMS结构产生破坏，从而可以提高MEMS芯片的产率。本专利技术还提供了一种去除MEMS晶圆表面颗粒的方法，同样具有上述有益效果，在此不再进行赘述。附图说明为了更清楚的说明本专利技术实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例所提供的一种MEMS晶圆表面颗粒去除设备的结构示意图；图2为图1中设置有晶圆的扩晶环的结构示意图；图3为本专利技术实施例所提供的一种具体的MEMS晶圆表面颗粒去除设备的结构示意图；图4为图3中气体喷射管的第一种结构示意图；图5为图3中气体喷射管的第二种结构示意图；图6为本专利技术实施例所提供的另一种具体的MEMS晶圆表面颗粒去除设备的结构示意图；图7为本专利技术实施例所提供的再一种具体的MEMS晶圆表面颗粒去除设备的结构示意图；图8为本专利技术实施例所提供的一种去除MEMS晶圆表面颗粒方法的流程图。图中：1.晶圆、2.薄膜、3.扩晶环、40.气体喷射装置、4.旋转电机、5.气体喷射管、6.固定平台、7.离子风机、8.振动台。具体实施方式本专利技术的核心是提供一种MEMS晶圆表面颗粒去除设备。在现有技术中，对MEMS晶圆进行清洗主要有两种方法，一种是湿法清洗，另一种是干法清洗。其中湿法清洗会使用化学溶剂直接接触以及冲击晶圆表面的MEMS结构，从而可能破坏晶圆表面的MEMS结构；干法清洗会使用高能的等离子体轰击晶圆表面的MEMS结构，极易导致MEMS结构应力发生变化，破坏MEMS结构，从而导致MEMS芯片的产率偏低。而本专利技术所提供的一种MEMS晶圆表面颗粒去除设备，包括用于固定表面贴合有晶圆的薄膜的扩晶环和气体喷射装置；所述气体喷射装置的气体喷嘴朝向所述扩晶环中设置所述晶圆的区域，以使所述气体喷射装置向所述晶圆喷气。在工作状态时，气体喷射装置可以朝安装在扩晶环中的晶圆吹气，通过气流可以有效将MEMS晶圆表面的表面颗粒吹离晶圆表面，从而有效去除晶圆表面的表面颗粒；同时由于仅仅是向晶圆表面喷射气体，几乎不会对晶圆表面的MEMS结构产生破坏，从而可以提高MEMS芯片的产率。为了使本
的人员更好地理解本专利技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步的详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。请参考图1与图2，图1为本专利技术实施例所提供的一种MEMS晶圆表面颗粒去除设备的结构示意图；图2为图1中设置有晶圆的扩晶环的结构示意图。参见图1，在本专利技术实施例中，MEMS晶圆表面颗粒去除设备包括用于固定表面贴合有晶圆1的薄膜2的扩晶环3和气体喷射装置40；所述气体喷射装置40的气体喷嘴朝向所述扩晶环3中设置所述晶圆1的区域，以使所述气体喷射装置40向所述晶圆1喷气。所谓MEMS晶圆1即表面具有MEMS结构的晶圆1，当对晶圆1切割完成之后，MEMS晶圆1由多个MEMS芯片构成。有关MEMS晶圆1的具体结构可以参照现有技术中，在本专利技术实施例中并不做具体限定。通常情况下，晶圆1中设置有MEMS结构的表面为晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MEMS晶圆表面颗粒去除设备，其特征在于，包括用于固定表面贴合有晶圆的薄膜的扩晶环和气体喷射装置；所述气体喷射装置的气体喷嘴朝向所述扩晶环中设置所述晶圆的区域，以使所述气体喷射装置向所述晶圆喷气。

【技术特征摘要】
1.一种MEMS晶圆表面颗粒去除设备，其特征在于，包括用于固定表面贴合有晶圆的薄膜的扩晶环和气体喷射装置；所述气体喷射装置的气体喷嘴朝向所述扩晶环中设置所述晶圆的区域，以使所述气体喷射装置向所述晶圆喷气。2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述设备还包括离子风机；所述离子风机的出风口朝向所述扩晶环中设置所述晶圆的区域，以使所述离子风机向所述晶圆吹扫离子风。3.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述晶圆贴合于所述薄膜的下表面，所述气体喷射装置位于所述扩晶环下方。4.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述气体喷射装置包括至少一条气体喷射管；所述气体喷射管的轴向方向与所述扩晶环的径向方向相互平行；所述气体喷射管表面设置有至少两个所述气体喷嘴，多个所述气体喷嘴沿所述气体喷射管轴向方向分布。5.根据权利要求4所述的设备，其特征在于，所述气体喷射管表面设置有至少三个所述气体喷嘴，相邻两个所述气体喷嘴的间距沿所述气体喷射管中气体流动方向依次减小。6....

【专利技术属性】
技术研发人员：孙传彬，杨水长，陈文礼，孙俊杰，牟晓宇，
申请(专利权)人：烟台睿创微纳技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：山东,37