一种光电子半导体硅片脱胶工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种光电子半导体硅片脱胶工艺，具体方法如下：（1）预清洗后放入表面活性剂中超声清洗（2）温水进行喷淋，然后使用第一酸液进行一次清洗，清洗完成后再使用清水喷淋、洗净后烘干，再使用第二酸液进行二次清洗，二次清洗完成后使用清水重复喷淋、烘干操作，得粗脱胶半导体硅片；（3）置于表面活性剂热水槽中浸泡浸泡过程中辅以超声，浸泡完成后使用高压、常温的清水进行喷淋操作。经过实验，使用发明专利技术方法，光电子半导体硅片的脱胶率高达97.9%以上，而使用现有技术的脱胶率仅为94.8%，可见本发明专利技术方法的脱胶效果更好。

【技术实现步骤摘要】
一种光电子半导体硅片脱胶工艺
本专利技术涉及光电子材料
，具体是一种光电子半导体硅片脱胶工艺。
技术介绍
半导体器件生产中硅片须经严格清洗。微量污染也会导致器件失效。清洗的目的在于清除表面污染杂质，包括有机物和无机物。这些杂质有的以原子状态或离子状态，有的以薄膜形式或颗粒形式存在于硅片表面。有机污染包括光刻胶、有机溶剂残留物、合成蜡和人接触器件、工具、器皿带来的油脂或纤维。无机污染包括重金属金、铜、铁、铬等，严重影响少数载流子寿命和表面电导；碱金属如钠等，引起严重漏电；颗粒污染包括硅渣、尘埃、细菌、微生物、有机胶体纤维等，会导致各种缺陷。清除污染的方法有物理清洗和化学清洗两种。传统的脱胶工艺一般是将硅片浸泡在40℃以上的热水槽中，浸泡清洗达到脱胶效果，但是这种方法脱胶率不高且容易造成硅片损毁。
技术实现思路
为了解决上述
技术介绍
中提出的问题，本专利技术提供了一种光电子半导体硅片脱胶工艺。一种光电子半导体硅片脱胶工艺，具体方法如下：(1)将半导体硅片放置在装满自来水的槽中进行预清洗，清洗完成后再放入添加有体积百分比为2％-3％的表面活性剂的超声清洗槽中，超声强度为55-65kHz，温度为42-48℃，超声时间为15-20分钟；(2)将步骤(1)处理好的半导体硅片使用35-40℃温水进行喷淋，然后使用第一酸液进行一次清洗，一次清洗进行完成后再使用清水喷淋、洗净后烘干，再使用第二酸液进行二次清洗，二次清洗完成后使用清水重复喷淋、烘干操作，得粗脱胶半导体硅片；(3)将步骤(2)所述粗脱胶半导体硅片再置于添加有表面活性剂的92-95℃热水槽中浸泡90-120分钟，浸泡过程中辅以超声，超声强度为15-30kHz，每隔90秒进行超声处理30秒，浸泡完成后使用压力为0.15-0.18MPa、常温的清水进行喷淋操作，喷淋时间200-250秒，即完成脱胶。进一步的，步骤(2)所述第一酸液，由氢氟酸、水按质量比1:100-120在15-18℃下均匀混合后制得。进一步的，步骤(2)所述第二酸液，由草酸溶液、氨基硫酸溶液、柠檬酸溶液按质量比1:3:2-4混合后制得。进一步的，所述草酸溶液，由草酸、水按质量比1:800-850于常温常压下混合后制得。进一步的，所述氨基硫酸溶液，由氨基硫酸、水按质量比1:500-550于60-65℃下，使用搅拌机200-300r/min均匀搅拌后冷却至室温后制得。进一步的，所述柠檬酸溶液，由柠檬酸、水按质量比1:1000-1100于常温常压下混合后混合后制得。进一步的，步骤(3)所述表面活性剂，为阴离子及非离子表面活性剂中的至少一种。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：本专利技术通过依次对半导体硅片进行预清洗、超声清洗、一次酸洗、二次酸洗、表面活性剂超声清洗的方法，大大提高了脱胶效率，同时提升了半导体硅片表面的脱胶效果，同时还有防止半导体硅片表面氧化腐蚀的功效，保证产品的重复利用。经过实验，使用专利技术方法，光电子半导体硅片的脱胶率高达97.9％以上，而使用现有技术的脱胶率仅为94.8％，可见本专利技术方法的脱胶效果更好。具体实施方式实施例1一种光电子半导体硅片脱胶工艺，具体方法如下：(1)将半导体硅片放置在装满自来水的槽中进行预清洗，清洗完成后再放入添加有体积百分比为2％的表面活性剂的超声清洗槽中，超声强度为55-65kHz，温度为42-48℃，超声时间为15-20分钟；(2)将步骤(1)处理好的半导体硅片使用35-40℃温水进行喷淋，然后使用第一酸液进行一次清洗，一次清洗进行完成后再使用清水喷淋、洗净后烘干，再使用第二酸液进行二次清洗，二次清洗完成后使用清水重复喷淋、烘干操作，得粗脱胶半导体硅片；(3)将步骤(2)所述粗脱胶半导体硅片再置于添加有表面活性剂的92-95℃热水槽中浸泡90分钟，浸泡过程中辅以超声，超声强度为15-30kHz，每隔90秒进行超声处理30秒，浸泡完成后使用压力为0.15-0.18MPa、常温的清水进行喷淋操作，喷淋时间200秒，即完成脱胶。进一步的，步骤(2)所述第一酸液，由氢氟酸、水按质量比1:100在15-18℃下均匀混合后制得。进一步的，步骤(2)所述第二酸液，由草酸溶液、氨基硫酸溶液、柠檬酸溶液按质量比1:3:2混合后制得。进一步的，所述草酸溶液，由草酸、水按质量比1:800于常温常压下混合后制得。进一步的，所述氨基硫酸溶液，由氨基硫酸、水按质量比1:500于60-65℃下，使用搅拌机200r/min均匀搅拌后冷却至室温后制得。进一步的，所述柠檬酸溶液，由柠檬酸、水按质量比1:1000于常温常压下混合后混合后制得。进一步的，步骤(3)所述表面活性剂，为阴离子及非离子表面活性剂中的至少一种。实施例2一种光电子半导体硅片脱胶工艺，具体方法如下：(1)将半导体硅片放置在装满自来水的槽中进行预清洗，清洗完成后再放入添加有体积百分比为3％的表面活性剂的超声清洗槽中，超声强度为55-65kHz，温度为42-48℃，超声时间为20分钟；(2)将步骤(1)处理好的半导体硅片使用35-40℃温水进行喷淋，然后使用第一酸液进行一次清洗，一次清洗进行完成后再使用清水喷淋、洗净后烘干，再使用第二酸液进行二次清洗，二次清洗完成后使用清水重复喷淋、烘干操作，得粗脱胶半导体硅片；(3)将步骤(2)所述粗脱胶半导体硅片再置于添加有表面活性剂的92-95℃热水槽中浸泡120分钟，浸泡过程中辅以超声，超声强度为15-30kHz，每隔90秒进行超声处理30秒，浸泡完成后使用压力为0.15-0.18MPa、常温的清水进行喷淋操作，喷淋时间250秒，即完成脱胶。进一步的，步骤(2)所述第一酸液，由氢氟酸、水按质量比1:120在15-18℃下均匀混合后制得。进一步的，步骤(2)所述第二酸液，由草酸溶液、氨基硫酸溶液、柠檬酸溶液按质量比1:3:4混合后制得。进一步的，所述草酸溶液，由草酸、水按质量比1:850于常温常压下混合后制得。进一步的，所述氨基硫酸溶液，由氨基硫酸、水按质量比1:550于60-65℃下，使用搅拌机200-300r/min均匀搅拌后冷却至室温后制得。进一步的，所述柠檬酸溶液，由柠檬酸、水按质量比1:1100于常温常压下混合后混合后制得。进一步的，步骤(3)所述表面活性剂，为阴离子及非离子表面活性剂中的至少一种。实施例3一种光电子半导体硅片脱胶工艺，具体方法如下：(1)将半导体硅片放置在装满自来水的槽中进行预清洗，清洗完成后再放入添加有体积百分比为2.5％的表面活性剂的超声清洗槽中，超声强度为55-65kHz，温度为42-48℃，超声时间为18分钟；(2)将步骤(1)处理好的半导体硅片使用35-40℃温水进行喷淋，然后使用第一酸液进行一次清洗，一次清洗进行完成后再使用清水喷淋、洗净后烘干，再使用第二酸液进行二次清洗，二次清洗完成后使用清水重复喷淋、烘干操作，得粗脱胶半导体硅片；(3)将步骤(2)所述粗脱胶半导体硅片再置于添加有表面活性剂的92-95℃热水槽中浸泡100分钟，浸泡过程中辅以超声，超声强度为15-30kHz，每隔90秒进行超声处理30秒，浸泡完成后使用压力为0.15-0.18MPa、常温的清水进行喷淋操作，喷淋时间220秒，即完成脱胶。进一步的，步骤(2)所述第一酸液，由氢氟酸、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光电子半导体硅片脱胶工艺，其特征在于，具体方法如下：（1）将半导体硅片放置在装满自来水的槽中进行预清洗，清洗完成后再放入添加有体积百分比为2%‑3%的表面活性剂的超声清洗槽中，超声强度为55‑65kHz，温度为42‑48℃，超声时间为15‑20分钟；（2）将步骤（1）处理好的半导体硅片使用35‑40℃温水进行喷淋，然后使用第一酸液进行一次清洗，一次清洗进行完成后再使用清水喷淋、洗净后烘干，再使用第二酸液进行二次清洗，二次清洗完成后使用清水重复喷淋、烘干操作，得粗脱胶半导体硅片；（3）将步骤（2）所述粗脱胶半导体硅片再置于添加有表面活性剂的92‑95℃热水槽中浸泡90‑120分钟，浸泡过程中辅以超声，超声强度为15‑30kHz，每隔90秒进行超声处理30秒，浸泡完成后使用压力为0.15‑0.18MPa、常温的清水进行喷淋操作，喷淋时间200‑250秒，即完成脱胶。

【技术特征摘要】
1.一种光电子半导体硅片脱胶工艺，其特征在于，具体方法如下：（1）将半导体硅片放置在装满自来水的槽中进行预清洗，清洗完成后再放入添加有体积百分比为2%-3%的表面活性剂的超声清洗槽中，超声强度为55-65kHz，温度为42-48℃，超声时间为15-20分钟；（2）将步骤（1）处理好的半导体硅片使用35-40℃温水进行喷淋，然后使用第一酸液进行一次清洗，一次清洗进行完成后再使用清水喷淋、洗净后烘干，再使用第二酸液进行二次清洗，二次清洗完成后使用清水重复喷淋、烘干操作，得粗脱胶半导体硅片；（3）将步骤（2）所述粗脱胶半导体硅片再置于添加有表面活性剂的92-95℃热水槽中浸泡90-120分钟，浸泡过程中辅以超声，超声强度为15-30kHz，每隔90秒进行超声处理30秒，浸泡完成后使用压力为0.15-0.18MPa、常温的清水进行喷淋操作，喷淋时间200-250秒，即完成脱胶。2.根据权利要求1所述的一种光电子半导体硅片脱胶工艺，其特征在于：步骤（2）所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：程华风，
申请(专利权)人：合肥连森裕腾新材料科技开发有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34