二氧化硅中的氯离子浓度测定方法技术

本发明专利技术提供一种二氧化硅中的氯离子浓度测定方法，所述方法包括将二氧化硅在碱性水溶液中分散后得到二氧化硅分散液；将得到的二氧化硅分散液在85℃以上的温度中加热处理，使二氧化硅溶解得到二氧化硅溶液；通过离子色谱法对得到的二氧化硅溶液中的氯离子进行分析。本发明专利技术通过前述技术方案开发了不使用环境负荷大的药剂等，可以在更低的检测下限，实现高精度测定的方法。

【技术实现步骤摘要】
二氧化硅中的氯离子浓度测定方法
本专利技术涉及离子色谱法
，具体来说涉及二氧化硅中的氯离子浓度测定方法。
技术介绍
二氧化硅是玻璃和光纤的原料、有机硅树脂的补强剂、半导体封装剂的填充物、流动性改进剂等在多种用途方面使用的重要的化学材料。特别是气相二氧化硅与沉淀法二氧化硅相比，水分含量少，是有机硅和电子材料用途必需的材料。因为气相法二氧化硅，是原料硅烷在氢氧焰中燃烧合成的，因此虽然与沉淀法二氧化硅相比，拥有高纯度，但是由于原料是硅烷，含有各种金属杂质是不可避免的。另外，作为上述原料硅烷，四氯化硅等氯硅烷是最常用的，这种情况下，氯也有相当数量的附着。这些杂质，在二氧化硅用于前面所述的用途时，会成为引起品质不良的原因，例如前面所述的氯，作为腐蚀物，很有可能会减弱前面所述的半导体用途等的性能。因此，定量分析气相法二氧化硅中含有的微量杂质的技术是非常重要的技术。金属杂质的分析，例如，可以通过电感耦合等离子体(ICP)发射光谱分析法进行分析。但是，氯杂质的分析，在实用方面，到目前为止只知道使用硝酸银和硫氰酸汞的方法；即通过比色分析(滴定或测定吸光度)，测定氯离子浓度的方法。值得注意的是，这本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种二氧化硅中的氯离子浓度测定方法，其特征在于，所述方法包括：将二氧化硅在碱性水溶液中分散后得到二氧化硅分散液；将得到的二氧化硅分散液在85℃以上的温度中加热处理，使二氧化硅溶解得到二氧化硅溶液；通过离子色谱法对得到的二氧化硅溶液中的氯离子进行分析。

【技术特征摘要】
1.一种二氧化硅中的氯离子浓度测定方法，其特征在于，所述方法包括：将二氧化硅在碱性水溶液中分散后得到二氧化硅分散液；将得到的二氧化硅分散液在85℃以上的温度中加热处理，使二氧化硅溶解得到二氧化硅溶液；通过离子色谱法对得到的二氧化硅溶液中的氯离子进行分析。2.根据权利要求1所述的二氧化硅中的氯离子浓度测定方法，其特征在于：将二氧化硅分散液的pH值调整至10～14的强度，以在所述加热处理后得到在25℃下具有pH值10～14的二氧化硅溶液。3.根据权利要求1或2所述的二氧化硅中的氯离子浓度测定方法，其特征在于：所述碱性水溶液为氢氧化钠水溶液。4.根据权利要求3所述的二氧化硅中的氯离子浓度测定方法，其特征在于：分散1g二氧化硅所需要的碱性水溶液用量为，能够在进行加热处理时将分散于碱性水溶液中的全部二氧化硅溶解的最低碱性水溶液用量以上，且所述碱性水溶液的用量在150mL以下。5.根据权利要求4所述的二氧化硅中的氯离子浓度测定方法，其特征在于：所述通过离子色谱法进行的二氧化...

【专利技术属性】
技术研发人员：王立军，
申请(专利权)人：德山化工浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33