LED阵列结构及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种LED阵列结构及其制备方法，包括：多个LED结构，LED结构中依次包括金属反射层、P型欧姆接触层、外延层及透明N电极；与LED结构一一对应设置的MOS管，LED结构通过金属反射层键合或粘结在MOS管表面，每个LED结构通过与之连接的MOS管控制通断；及设置在多个LED结构N电极表面的公共透明导电层。其将控制LED结构通断的MOS管通过键合或粘结的方式进行连接，实现一对一的控制，在LED阵列结构中，简单方便的实现LED结构的独立工作，不影响阵列结构中其他LED结构正常工作。

【技术实现步骤摘要】
LED阵列结构及其制备方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种LED阵列结构及其制备方法。
技术介绍
MiniLED和microLED作为新一代的显示技术，将LED结构进行微小化而来，继承了LED的特点，具备低功耗、高亮度、超高分辨率与色彩饱和度、反应速度快、超省点、寿命较长、效率较高等优点，但是，对于miniLED和microLED通断的独立控制尚没有较好的方案。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种LED阵列结构及其制备方法，实现了miniLED和microLED通断的独立控制。本专利技术提供的技术方案如下：一种LED阵列结构，包括：多个LED结构，所述LED结构中依次包括金属反射层、P型欧姆接触层、外延层及透明N电极；与LED结构一一对应设置的MOS管，所述LED结构通过金属反射层键合或粘结在MOS管表面，每个所述LED结构通过与之连接的MOS管控制通断；及设置在多个LED结构N电极表面的公共透明导电层。进一步优选地，当所述MOS管为N沟道MOS管时，LED结构通过金属反射层键合或粘结至MOS管的源极，且所述MOS管的栅极与外界控制端连接、漏极接电源正极。进一步优选地，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种LED阵列结构，其特征在于，所述LED阵列结构中包括：多个LED结构，所述LED结构中依次包括金属反射层、P型欧姆接触层、外延层及透明N电极；与LED结构一一对应设置的MOS管，所述LED结构通过金属反射层键合或粘结在MOS管表面，每个所述LED结构通过与之连接的MOS管控制通断；及设置在多个LED结构N电极表面的公共透明导电层。

【技术特征摘要】
1.一种LED阵列结构，其特征在于，所述LED阵列结构中包括：多个LED结构，所述LED结构中依次包括金属反射层、P型欧姆接触层、外延层及透明N电极；与LED结构一一对应设置的MOS管，所述LED结构通过金属反射层键合或粘结在MOS管表面，每个所述LED结构通过与之连接的MOS管控制通断；及设置在多个LED结构N电极表面的公共透明导电层。2.如权利要求1所述的LED阵列结构，其特征在于，当所述MOS管为N沟道MOS管时，LED结构通过金属反射层键合或粘结至MOS管的源极，且所述MOS管的栅极与外界控制端连接、漏极接电源正极。3.如权利要求1所述的LED阵列结构，其特征在于，当所述MOS管为P沟道MOS管时，LED结构通过金属反射层键合或粘结至MOS管的漏极，且所述MOS管的栅极与外界控制端连接、源极接电源正极。4.一种LED阵列制备方法，其特征在于，所述制备方法中包括：S10在生长衬底上生长外延层，并在所述外延层表面蒸发或溅射P型欧姆接触层和金属反射层；S20根据LED结构的大小制备相应尺寸的MOS管，并将MOS管依次键合或粘结在金属反射层表面；S30去除生长衬底，并在露出的外延层表面蒸发或溅射透明N电极；S40通过腐蚀的方法在预设沟道中去除透明N电极、外延层、P型欧姆接触层、金属反射层及粘结材料，得到分立的LED结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱浩，范振灿，刘国旭，
申请(专利权)人：易美芯光北京科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11