【技术实现步骤摘要】
一种集成IPD封装结构及其制造方法
本专利技术涉及半导体封装
，尤其涉及一种集成IPD封装结构及其制造方法。
技术介绍
目前以手机为代表的便携式/移动类消费类电子设备中的元器件，不断要求设计者提供微型化、低成本的产品解决方案。事实上，微型化和低成本化不是相互矛盾的，而是相辅相成的。例如，当前，离散无源器件占了整个射频模块的元器件数量的90％、基板面积的80％以及整体成本的70％。如果采用集成无源器件(IPD)技术，就可以用芯片替代离散无源器件，主要优点如下：1)提升电性能，使有源器件与无源器件的互连以及器件的外部接口变短、阻抗变低从而降低寄生效应；2)进一步小型化，离散无源器件的减少显著减小了所需的基板面积，从而使RF系统级封装模块的尺寸大大减小；3)显著降低成本，所有工艺均可以在晶圆级实现，具有量产效应，且集成无源器件(IPD)的尺寸不再受封装尺寸的限制。专利CN102194711A公开了一种现有的集成无源器件(IPD)设计方案，如图1所示，该方案将无源器件集成在扇出型封装结构中，需要封装基板，且需要在基板的重新布局布线(RDL)工艺中完成集成无源器件的同...
【技术保护点】
1.一种集成IPD封装结构，包括：第一介电层；第一金属层，所述第一金属层设置在所述第一介电层的内部和表面；第二介电层，所述第二介电层设置在所述第一介电层的第一面上方，且与所述第一金属层相连；第二金属层，所述第二金属层设置在所述第二介质层的内部和表面，且与所述第一金属层形成电连接；第一芯片焊接结构和第二芯片焊接结构，所述第一、第二芯片焊接结构与所述第二金属层形成电连接；芯片，所述芯片电连接至对应的所述第一芯片焊接结构；集成无源器件IPD芯片，所述集成无源器件IPD芯片电连接至对应的所述第二芯片焊接结构；阻挡层，所述阻挡层的第一面与所述第一介电层的第二面相连，所述第一介电层的第...
【技术特征摘要】
1.一种集成IPD封装结构，包括：第一介电层；第一金属层，所述第一金属层设置在所述第一介电层的内部和表面；第二介电层，所述第二介电层设置在所述第一介电层的第一面上方，且与所述第一金属层相连；第二金属层，所述第二金属层设置在所述第二介质层的内部和表面，且与所述第一金属层形成电连接；第一芯片焊接结构和第二芯片焊接结构，所述第一、第二芯片焊接结构与所述第二金属层形成电连接；芯片，所述芯片电连接至对应的所述第一芯片焊接结构；集成无源器件IPD芯片，所述集成无源器件IPD芯片电连接至对应的所述第二芯片焊接结构；阻挡层，所述阻挡层的第一面与所述第一介电层的第二面相连，所述第一介电层的第二面与其第一面相对；第三介电层，所述第三介电层覆盖所述阻挡层的第二面，所述阻挡层的第二面与其第一面相对；第三金属层，所述第三金属层设置成与所述第一金属层形成电连接；以及外接焊球，所述外接焊球设置成与所述第三金属形成电连接。2.如权利要求1所述的集成IPD封装结构，其特征在于，所述第一金属层为双大马士革金属层。3.如权利要求1所述的集成IPD封装结构，其特征在于，所述第一介电层进一步由介电层、保护层、介电层、保护层构成的四层结构形成，其中所述保护层与介电层具有不同的刻蚀工艺。4.如权利要求1所述的集成IPD封装结构，其特征在于，所述第一金属层和/或所述第二金属层进一步包括金属通孔和金属重新布局布线RDL。5.如权利要求1所述的集成IPD封装结构，其特征在于，所述第二金属层为M层金属互连结构，其中M为大于或等于2的整数。6.如权利要求1所述的集成IPD封装结构，其特征在于，所述第一芯片焊接结构和/或所述第二芯片焊接结构为焊盘或铜柱。7.一种集成IPD封装结构的制造方法，包括：在载片的表面形成临时键合层；在所述临时键合层的上表面形成阻挡层；在所述阻挡层的上表面形成第一介电层；在所述第一介电层内图形化形成第一金属层；在所述第一金属层和裸露的所述第一介电层上形成第二介电层；在所述第二介电层内和表面，图形化形成第二金属层，所述第二金属层电连接至所述第一金属层；在所述第二金属层的外层焊盘上形成金属保护帽；在所述金属保护帽上倒装焊芯片和IPD芯片并填充底填胶；在所述芯片和所述IPD芯片的表面形成...
【专利技术属性】
技术研发人员：张文奇，陈峰，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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