封装方法技术

一种封装方法，包括：提供基板，基板的待键合面为第一待键合面；提供若干个芯片，芯片的待键合面为第二待键合面；提供薄膜型封装材料；在第一待键合面和第二待键合面中的至少一个面上形成键合层；在第一待键合面和第二待键合面中的至少一个面上形成键合层后，使第一待键合面和第二待键合面相对设置并将芯片置于基板上；将芯片置于基板上后，采用热压合工艺，使基板和若干个芯片通过所述键合层实现键合，并使封装材料填充于芯片和基板之间且覆盖芯片，热压合工艺后的封装材料作为封装层。通过薄膜型封装材料，降低热压合工艺过程中芯片发生漂移的概率，提高了封装结构的良率和可靠性；而且热压合工艺同步实现了基板和芯片的键合，提高了封装效率。

【技术实现步骤摘要】
封装方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种封装方法。
技术介绍
随着超大规模集成电路的发展趋势，集成电路特征尺寸持续减小，人们对集成电路的封装技术的要求相应也不断提高。其中，系统级封装(SysteminPackage，SIP)是将多个具有不同功能的有源元件、无源元件、微机电系统(MEMS)、光学元件等其他元件，组合到一个单元中，形成一个可提供多种功能的系统或子系统，允许异质IC集成。相比于系统级芯片(SystemonChip，SoC)，系统级封装的集成相对简单，设计周期和面市周期更短，成本较低，可以实现更复杂的系统，是一种较为普遍的封装技术。目前，为了满足集成电路封装的更低成本、更可靠、更快及更高密度的目标，先进的封装方法主要采用晶圆级系统封装(WaferLevelSysteminPackage，WLPSiP)和面板级系统封装(PanelLevelSysteminPackage，PLSIP)，与传统的系统级封装相比，晶圆级系统封装和面板级系统封装是在晶圆(Wafer)或面板上完成封装制程，具有大幅减小封装结构的面积、降低制造成本、优化电性能、批次制造等优势，可明显的降低工作本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种封装方法，其特征在于，包括：提供基板，所述基板的待键合面为第一待键合面；提供若干个芯片，所述芯片的待键合面为第二待键合面；提供薄膜型封装材料；在所述第一待键合面和所述第二待键合面中的至少一个面上形成键合层；在所述第一待键合面和所述第二待键合面中的至少一个面上形成键合层后，使所述第一待键合面和所述第二待键合面相对设置，并将所述芯片置于所述基板上；将所述芯片置于所述基板上后，采用热压合工艺，使所述基板和所述若干个芯片通过所述键合层实现键合，并使所述封装材料填充于所述若干个芯片和基板之间且覆盖所述若干个芯片，所述热压合工艺后的封装材料用于作为封装层。

【技术特征摘要】
1.一种封装方法，其特征在于，包括：提供基板，所述基板的待键合面为第一待键合面；提供若干个芯片，所述芯片的待键合面为第二待键合面；提供薄膜型封装材料；在所述第一待键合面和所述第二待键合面中的至少一个面上形成键合层；在所述第一待键合面和所述第二待键合面中的至少一个面上形成键合层后，使所述第一待键合面和所述第二待键合面相对设置，并将所述芯片置于所述基板上；将所述芯片置于所述基板上后，采用热压合工艺，使所述基板和所述若干个芯片通过所述键合层实现键合，并使所述封装材料填充于所述若干个芯片和基板之间且覆盖所述若干个芯片，所述热压合工艺后的封装材料用于作为封装层。2.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，将所述芯片置于所述基板上后，在所述热压合工艺之前，还包括：对所述基板和芯片进行预键合处理。3.如权利要求2所述的封装方法，其特征在于，所述预键合处理的工艺为热压键合或加压键合。4.如权利要求2所述的封装方法，其特征在于，所述预键合处理的工艺为热压键合，所述预键合处理的步骤包括：对所述芯片和基板中的至少一个进行第一加压处理，且在进行所述第一加压处理的同时，对所述芯片和所述基板进行第一加热处理。5.如权利要求4所述的封装方法，其特征在于，在所述第一加压处理的步骤中，对所述芯片背向所述第二待键合面的表面进行所述第一加压处理；在所述第一加热处理的步骤中，对所述芯片背向所述第二待键合面的表面、以及所述基板背面进行所述第一加热处理。6.如权利要求4所述的封装方法，其特征在于，所述预键合处理的步骤还包括：在所述第一加压处理和第一加热处理之前，进行第一抽真空处理，使所述预键合处理的工艺压强达到预设压强。7.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述热压合工艺的步骤包括：将所述封装材料置于所述若干个芯片上；将所述封装材料置于所述若干个芯片上后，进行第二抽真空处理和第...

【专利技术属性】
技术研发人员：石虎，刘孟彬，
申请(专利权)人：中芯集成电路宁波有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33