一种ZnO/Sm2O3复合薄膜及其制备方法和应用技术

一种ZnO/Sm2O3复合薄膜及其制备方法和应用，首先将Sm源、Zn源加入到乙二醇甲醚和醋酸酐的均匀溶液A中搅拌形成溶胶C；然后将溶胶C静置陈化，形成凝胶D；在采用旋涂法在基片上镀膜，经烘烤，得到干膜；再在所得干膜上，重复若干次旋涂镀膜、烘烤工艺，得到预设厚度的薄膜；最后经高温退火，得到ZnO/Sm2O3复合薄膜。本发明专利技术的ZnO/Sm2O3复合薄膜具有粒径分布较窄、分散性好、光催化性好、结晶性强及成本较低等特点，该制备方法设备要求低、工艺简单，且操作简便、能耗低、反应时间短，具有很好的工业化前景；复合薄膜具有较优的光催化形能，在光催化降解有机物等领域具有广泛的应用。

【技术实现步骤摘要】
一种ZnO/Sm2O3复合薄膜及其制备方法和应用
本专利技术属于复合薄膜的制备
，特别涉及一种ZnO/Sm2O3复合薄膜及其制备方法和应用。
技术介绍
Sm2O3是一种具有4f电子结构的宽禁带金属氧化物，常温下禁带宽度为4-6eV，Sm2O3晶体具有三种晶型，当温度高于850℃时，单斜晶相转变为立方晶相，在2000℃左右转变为六方晶相，属于多晶相转化的氧化物。Sm2O3具有高的电阻率，高的介电常数，高的化学稳定性和热稳定性等性能，具有优越的电学、光学和磁学性能，广泛应用于陶瓷电容器、汽车尾气处理、催化剂和医学等方面；另外，纳米Sm2O3还具有核性质，可用作原子能反应堆的结构材料、屏蔽材料和控制材料等领域。Sm2O3薄膜是新一代的光电薄膜材料，Sm2O3薄膜既可用于制备光学开关、数据存储、光电转换元件、电学开关和光催化等，还可用于电子器体、磁性材料及特种玻璃的虑光器中。但随着技术的发展，单一的Sm2O3薄膜已经越来越难以满足高速发展的需求。目前，所报道的制备Sm2O3薄膜的方法主要有化学沉积法[GaoFQ,YangY,WangTH.PreparationofPorousTiO2/本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种ZnO/Sm2O3复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)将Sm源、Zn源加入到乙二醇甲醚和醋酸酐的均匀溶液A中，搅拌，形成溶胶C；其中，溶胶C中Sm3+浓度为0.1～1.0mol/L、Zn2+的质量分数为Sm3+质量分数的1％～10％；2)将溶胶C静置陈化，形成凝胶D；3)旋涂镀膜：将凝胶D采用旋涂法，涂布在基片上镀膜，制得湿膜；4)烘烤：将制备的湿膜烘烤，得到干膜；5)在步骤4)的干膜上，重复若干次旋涂镀膜、烘烤工艺，得到预设厚度的薄膜；6)将得到预设厚度的薄膜经高温退火后，得到ZnO/Sm2O3复合薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种ZnO/Sm2O3复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)将Sm源、Zn源加入到乙二醇甲醚和醋酸酐的均匀溶液A中，搅拌，形成溶胶C；其中，溶胶C中Sm3+浓度为0.1～1.0mol/L、Zn2+的质量分数为Sm3+质量分数的1％～10％；2)将溶胶C静置陈化，形成凝胶D；3)旋涂镀膜：将凝胶D采用旋涂法，涂布在基片上镀膜，制得湿膜；4)烘烤：将制备的湿膜烘烤，得到干膜；5)在步骤4)的干膜上，重复若干次旋涂镀膜、烘烤工艺，得到预设厚度的薄膜；6)将得到预设厚度的薄膜经高温退火后，得到ZnO/Sm2O3复合薄膜。2.根据权利要求1所述的一种ZnO/Sm2O3复合薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1)中乙二醇甲醚和醋酸酐按照体积比为(2～5):1的比例混合，搅拌制得均匀溶液A。3.根据权利要求1所述的一种ZnO/Sm2O3复合薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1)中Sm源为Sm(NO)3或分析纯的Sm(NO)3·6H2O；Zn...

【专利技术属性】
技术研发人员：殷立雄，刘长青，李慧敏，黄剑锋，孔新刚，张峰，房佳萌，白培杰，
申请(专利权)人：陕西科技大学，
类型：发明
国别省市：陕西,61