一种ZnO纳米棒、QLED器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种ZnO纳米棒、QLED器件及其制备方法，包括步骤：将锌盐溶解于有机溶剂中，搅拌后加入稳定剂，形成第一前驱体溶液，将所述第一前驱体溶液在基底上制成膜层；将锌盐加入到醇溶液中形成第二前驱体溶液，将所述第二前驱体溶液在上述膜层上制成种子层；将锌盐的水溶液和碱液混合形成第三前驱体溶液，将所述第三前驱体溶液与上述种子层反应，得到ZnO纳米棒。本发明专利技术通过低温水热法，使用低成本的简单合成条件，实现低维的ZnO纳米棒的可控合成。本发明专利技术ZnO纳米棒大的比表面积不仅可以增加量子点的负载量，而且可以为量子点与基底电极的电子传递提供有效的通道。

【技术实现步骤摘要】
一种ZnO纳米棒、QLED器件及其制备方法
本专利技术涉及发光二极管
，尤其涉及一种ZnO纳米棒、QLED器件及其制备方法。
技术介绍
在过去的几十年中，由于低成本、简单工艺等特点，氧化锌（ZnO）半导体材料被广泛应用于半导体光电子器件的应用之中。ZnO材料可以制备成薄膜，以及各种形态的纳米结构，如纳米线、纳米棒、纳米片、纳米花等，低维ZnO半导体的研究顺应了器件低维化的发展（如纳米线太阳能电池和发光二极管），并成为近二十年的研究热点。不同的制备方法会影响ZnO的结构及生长形貌。目前磁控溅射和脉冲激光沉积方法可以制备高质量的ZnO，但这个过程需要复杂的真空设备，生产效率低，需要高温高压制备的靶材，成分调整困难，成本较高，成膜面积也具有一定的局限性。喷雾热分解法和电化学沉积法都可以实现低成本和大面积生长ZnO，但生长工艺需要进一步改进，而且不易实现一维可控性合成。溶胶凝胶法是另外一种制备ZnO的简单低廉的方法，成膜均匀性好，结晶温度低，但所合成的ZnO晶粒取向随机，具有多孔的微观组织结构，导电性能较差，结晶性与磁控溅射成膜的ZnO也无法媲美。这些方法对ZnO的可控合成报道较少，从本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种ZnO纳米棒的制备方法，其特征在于，包括：步骤A、将锌盐溶解于有机溶剂中，搅拌后加入稳定剂，形成第一前驱体溶液，将所述第一前驱体溶液在基底上制成膜层；步骤B、将锌盐加入到醇溶液中形成第二前驱体溶液，将所述第二前驱体溶液在上述膜层上制成ZnO种子层；步骤C、将锌盐的水溶液和碱液混合形成第三前驱体溶液，将所述第三前驱体溶液与上述ZnO种子层反应，得到ZnO纳米棒。

【技术特征摘要】
1.一种ZnO纳米棒的制备方法，其特征在于，包括：步骤A、将锌盐溶解于有机溶剂中，搅拌后加入稳定剂，形成第一前驱体溶液，将所述第一前驱体溶液在基底上制成膜层；步骤B、将锌盐加入到醇溶液中形成第二前驱体溶液，将所述第二前驱体溶液在上述膜层上制成ZnO种子层；步骤C、将锌盐的水溶液和碱液混合形成第三前驱体溶液，将所述第三前驱体溶液与上述ZnO种子层反应，得到ZnO纳米棒。2.根据权利要求1所述的ZnO纳米棒的制备方法，其特征在于，所述步骤A之前还包括：对基底进行预处理，所述预处理的步骤为：将基底依次采用干的无尘布和湿润的无尘布擦拭，接着将基底分别在丙酮、乙醇和水中清洗，将清洗后的基底浸泡到双氧水、氨水和去离子水的混合溶液中，然后对所述混合溶液进行加热处理，处理后将基底取出并冷却到室温，并用去离子水冲洗后，吹干备用。3.根据权利要求1所述的ZnO纳米棒的制备方法，其特征在于，所述步骤A中，所述有机溶剂为乙二醇甲醚、丙二醇甲醚、异丙醇、乙醇、丙醇中的一种或多种，所述稳定剂为乙醇胺、乙二醇、单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、乙二胺中的一种或多种。4.根据权利要求1所述的ZnO纳米棒的制备方法，其特征在于，所述步骤B中，所述醇溶液为乙醇、甲醇...

【专利技术属性】
技术研发人员：何斯纳，吴龙佳，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44