【技术实现步骤摘要】
基于回波能量补偿的声表面波RFID芯片反射系数设计方法
本专利技术涉及声表面波(SAW)射频识别(RFID)
,涉及一种声表面波芯片的延迟线反射栅的反射系数设计方法,具体涉及一种具有回波能量补偿能力的声表面波电子标签芯片反射栅特征参数的设计方法。
技术介绍
声表面波RFID芯片是基于声表面波技术的射频识别电子标签的核心器件。声表面波电子标签因其RFID芯片不涉及传统IC型电子标签RFID芯片的载流子运动,具备了对高温、高压、辐射、强电磁干扰等恶劣环境条件的天然适应性,并且具有无源、无线、识别距离远、识别可靠性高的优势。声表面波RFID芯片通常由换能器(IDT)和反射栅组构成。由于编码的需要,反射栅组通常设计由代表不同编码的多组延迟线型反射栅构成。因为RFID芯片的编码具有唯一性,所以其对应代表不同编码的每个反射栅也需要设计不同。由此而言,声表面波电子标签的ID编码特点决定了对其RFID芯片版图有唯一性要求,因此每一副版图均需要对表征具体位置编码信息的反射栅结构特征和性能参数进行专门设计,特别是在直接关系到回波信号质量的各级反射栅的反射系数设计是一个难点:反射 ...
【技术保护点】
1.一种基于回波能量补偿的声表面波RFID芯片反射系数设计方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1,依据芯片设计要求,设计第一反射栅的结构特征,确定第一反射栅的反射系数和透射系数;步骤2,根据下式计算后一级反射栅的反射系数:
【技术特征摘要】
1.一种基于回波能量补偿的声表面波RFID芯片反射系数设计方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1,依据芯片设计要求,设计第一反射栅的结构特征,确定第一反射栅的反射系数和透射系数;步骤2,根据下式计算后一级反射栅的反射系数:其中,rn-1、rn分别为第n-1、n级反射栅的反射系数;dn为第n-1、n级反射栅之间的中心间距;sn-1为第n-1级反射栅的透射系数;Gn为第n-1、n级反射栅之间的回波关联补偿修正系数;k为传播损耗系数;步骤3,根据第n级反射栅的反射系数确定第n级反射栅的结构特征和透射系数;步骤4,...
【专利技术属性】
技术研发人员:阎毓杰,王楠,杨云涛,邢思玮,王红军,
申请(专利权)人:中国船舶重工集团公司第七一九研究所,
类型:发明
国别省市:湖北,42
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。