基于硅纳米砖阵列的圆偏振涡旋光起偏器及制备方法技术

本发明专利技术公开了基于硅纳米砖阵列的圆偏振涡旋光起偏器及制备方法，起偏器包括透明的衬底和硅纳米砖阵列，硅纳米砖阵列包括分布在衬底上的多个朝向相同的硅纳米砖，硅纳米砖阵列由N个阵列单元组成，N≥3；同一阵列单元内的硅纳米砖几何参数相同，不同的阵列单元内的硅纳米砖几何参数不同；以硅纳米砖的长、宽和高分别为X、Y和Z轴建立坐标系，线偏振光通过硅纳米砖后在X、Y轴方向上的相位分别为phix和phiy，硅纳米砖的几何参数使得│phix‑phiy│＝90°，且沿顺时针或逆时针方向，位于不同的阵列单元的phix从0到360°呈等差数列，公差为360°/N。本发明专利技术提供的起偏器，集成度高，结构紧凑，将线偏振光转换为圆偏振涡旋光。

【技术实现步骤摘要】
基于硅纳米砖阵列的圆偏振涡旋光起偏器及制备方法
本专利技术涉及信息光学
，具体涉及一种基于硅纳米砖阵列的圆偏振涡旋光起偏器及制备方法。
技术介绍
涡旋光束中包含螺旋型相位因子，具有全新的自由度━轨道角动量，这个重要的特性使得涡旋光成为用于经典和量子编码的一个新的维度，在自由空间光通信中成为信息的载体。很多基于涡旋光的光通信系统被提出，涡旋光可以极大的增加通信的容量。但是这些系统中涡旋光的产生大多基于空间光调制器，或者光衍射元件。利用空间光调制器，系统尺寸会较大，成本较高，而光衍射元件需要多台阶结构，对制备工艺要求非常高。利用超表面材料可以对光波相位精密的调控，实现涡旋光的产生。特别是基于介质的超表面涡旋光产生结构，其效率很高，制备简单。近年来随着对增加光通信容量要求不断的提高，单纯通过光涡旋增加通信容量已经不能满足要求。
技术实现思路
针对现有技术中存在的缺陷，本专利技术的目的在于提供一种集成度、效率更高的基于硅纳米砖阵列的圆偏振涡旋光起偏器。为达到以上目的，本专利技术采取的技术方案是：一种基于硅纳米砖阵列的圆偏振涡旋光起偏器，其包括：透明的衬底；硅纳米砖阵列，其包括分布在所述衬底本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于硅纳米砖阵列的圆偏振涡旋光起偏器，其特征在于，其包括：透明的衬底(1)；硅纳米砖阵列，其包括分布在所述衬底(1)上的多个朝向相同的硅纳米砖(2)，所述硅纳米砖阵列内设有多条经过其中心点的分隔线，位于相邻两条所述分隔线之间的硅纳米砖(2)组成一个阵列单元(3)，所述分隔线将所述硅纳米砖阵列分隔成N个阵列单元(3)，N≥3；同一所述阵列单元(3)内的硅纳米砖(2)几何参数相同，不同的所述阵列单元(3)内的硅纳米砖(2)几何参数不同；以所述硅纳米砖(2)的长、宽和高分别为X、Y和Z轴建立坐标系，线偏振光通过所述硅纳米砖(2)后在X、Y轴方向上的相位分别为phix和phiy，所述硅纳米砖(...

【技术特征摘要】
1.一种基于硅纳米砖阵列的圆偏振涡旋光起偏器，其特征在于，其包括：透明的衬底(1)；硅纳米砖阵列，其包括分布在所述衬底(1)上的多个朝向相同的硅纳米砖(2)，所述硅纳米砖阵列内设有多条经过其中心点的分隔线，位于相邻两条所述分隔线之间的硅纳米砖(2)组成一个阵列单元(3)，所述分隔线将所述硅纳米砖阵列分隔成N个阵列单元(3)，N≥3；同一所述阵列单元(3)内的硅纳米砖(2)几何参数相同，不同的所述阵列单元(3)内的硅纳米砖(2)几何参数不同；以所述硅纳米砖(2)的长、宽和高分别为X、Y和Z轴建立坐标系，线偏振光通过所述硅纳米砖(2)后在X、Y轴方向上的相位分别为phix和phiy，所述硅纳米砖(2)的几何参数使得│phix-phiy│＝90°，且沿顺时针或逆时针方向，位于不同的所述阵列单元(3)的phix从0到360°呈等差数列，公差为360°/N，所述几何参数包括所述硅纳米砖(2)的长、宽、高和周期尺寸。2.如权利要求1所述的起偏器，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：陶金，武霖，郑国兴，刘子晨，尤全，邱英，
申请(专利权)人：武汉邮电科学研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42