一种宽频可调谐太赫兹偏振功能转换器制造技术

本发明专利技术公开了一种宽频可调谐太赫兹偏振功能转换器，包括顶层、调谐层和衬底。顶层为单元结构为L形平面超材料阵列，调谐层由单层石墨烯、绝缘层以及半导体导电层构成，衬底由电介质和金属构成。与现有文献所报道的采用石墨烯条与平面超材料所结合的太赫兹偏振功能转换器相比，本发明专利技术具有全新的工作机理和更宽的工作频带，在电压调控的便捷性和稳定性上也具有优势。本发明专利技术在太赫兹通信、成像与传感等领域具有广泛应用前景。

【技术实现步骤摘要】
一种宽频可调谐太赫兹偏振功能转换器
本专利技术属于偏振器
，具体涉及一种宽频可调谐太赫兹偏振功能转换器。
技术介绍
太赫兹波的频率范围通常为0.1～10THz。太赫兹波技术在成像、检测、雷达、通信等领域都具有重要的应用前景。自然界中大部分的天然材料对于太赫兹波的响应较弱，不适合作为高品质的太赫兹偏振器件，而通过合理的设计人工超材料的单元尺寸和形状可以对太赫兹波产生优异的偏振调节效果。目前国内外已经有很多文献报道了基于人工超材料的太赫兹波线偏振和圆偏振调制器。与此同时，近几年国内外关于可调谐的超材料偏振调制器也有所研究，例如文献一(D.C.Wang,L.C.Zhang,Y.H.Gu,etal.SwitchableUltrathinQuarter-wavePlateinTerahertzUsingActivePhase-changeMetasurface.ScientificReports,2015,5):15020.)报道了一种与相变材料VO2结合的超材料四分之一波片，当温度升高100K时可以实现四分之一波片的工作频率移动约0.1THz。然而传统的相变材料在安全性和集成性方面都具本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种宽频可调谐太赫兹偏振功能转换器，所述转换器自上而下的结构包括顶层、调谐层和衬底，其特征在于：所述的顶层为一阵列结构，所述阵列结构由多个单元结构为L形平面超材料的阵列单元组成，所述阵列单元的尺寸为a×a，a＝5～50μm，所述超材料为Au或Ag或Cu或Pt或Al或Cr，顶层厚度为50～200nm；所述的调谐层包括三层，所述三层依次为单层石墨烯层、绝缘层以及半导体导电层，石墨烯的化学势调谐范围为0～0.9eV，绝缘层的厚度为1～4nm，所述半导体导电层的厚度为3～6nm；所述的衬底由电介质和金属膜构成，电介质的厚度为0.4a～0.8a，金属膜的厚度为100～400nm。

【技术特征摘要】
1.一种宽频可调谐太赫兹偏振功能转换器，所述转换器自上而下的结构包括顶层、调谐层和衬底，其特征在于：所述的顶层为一阵列结构，所述阵列结构由多个单元结构为L形平面超材料的阵列单元组成，所述阵列单元的尺寸为a×a，a＝5～50μm，所述超材料为Au或Ag或Cu或Pt或Al或Cr，顶层厚度为50～200nm；所述的调谐层包括三层，所述三层依次为单层石墨烯层、绝缘层以及半导体导电层，石墨烯的化学势调谐范围为0～0.9eV，绝缘层的厚度为1～4nm，所述半导体导电层的厚度为3～6nm；所述的衬底由电介质和金属膜构成，电介质的厚度为0.4a～0.8a，金属膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋立勇，张伟，梁爽，钱继松，蒋剑莉，
申请(专利权)人：南京理工大学，
类型：发明
国别省市：江苏,32