光分解碱、含其的光刻胶组合物及其制备方法技术

本申请涉及一种含有半氟取代的烷基基团的光分解碱，其具有通过下述通式(I)所示的结构：

【技术实现步骤摘要】
光分解碱、含其的光刻胶组合物及其制备方法
本申请涉及光刻胶(也称为光致抗蚀剂)
具体来说，本申请涉及一种光分解碱、包含所述光分解碱的光刻胶组合物以及制备所述光分解碱的方法。更具体而言，本申请涉及含有半氟取代的烷基基团的光分解碱，以及包含其且可用于半导体加工中的化学放大型光致抗蚀剂组合物。
技术介绍
随着全球信息化、网络化进程的加快，集成电路产业的地位越来越重要.在集成电路制作过程中，光刻技术的支持起到了极为关键的作用，因为光刻技术直接决定了单个器件的物理尺寸。光刻技术指将掩膜上的微细几何图形经光照转移到硅片或其他半导体基片表面的工艺过程。光刻技术所需的关键材料之一是具有光化学反应活性且具有良好的抗刻蚀性能的光致抗蚀剂(photoresist，也称光刻胶，或光阻)。光致抗蚀剂是指通过光照，能使溶解度、熔融性和附着力发生明显变化的耐蚀刻高分子材料，主要应用于集成电路和半导体分立器件的微细图形加工。光致抗蚀剂按照所用曝光光源和辐射源的不同，又可分为紫外光致抗蚀剂、深紫外光致抗蚀剂(DUV)、电子束抗蚀剂、x射线抗蚀剂、离子束抗蚀剂、纳米压印抗蚀剂等。常规化学放大胶中添加有碱性中和剂本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光分解碱，其具有通过下述通式(I)所示的结构：

【技术特征摘要】
1.一种光分解碱，其具有通过下述通式(I)所示的结构：其中，X1表示对称或者不对称的烷基、环烷基、芳基、杂烷基、杂环烷基或杂芳基中的任意一种或几种；其中，Y1表示对称或者不对称的烷基、环烷基、芳基、杂烷基、杂环烷基或杂芳基中的任意一种或几种，且Y1结构中所有的H原子都没有被F原子取代；其中，Z1表示对称或者不对称的烷基、环烷基、芳基、杂烷基、杂环烷基或杂芳基中的任意一种或几种，且Z1结构中所有的H原子都被F原子取代；以及其中，M+具有下述通式(II)、通式(III)或通式(IV)所示的结构：在通式(II)中，基团R1、R2和R3各自独立地表示烷基、环烷基、芳基、杂烷基、杂环烷基或杂芳基中的任意一种或几种；或者R1和R2能与同R1键合的硫原子一起结合以形成具有2至7个碳原子的杂环烷基；在通式(III)中，基团R4和R5各自独立地表示烷基、环烷基、芳基、杂烷基、杂环烷基或杂芳基中的任意一种或几种；在通式(IV)中，基团R6表示烷基、环烷基、芳基、杂烷基、杂环烷基或杂芳基中的任意一种或几种；且L表示脂环烃基团。2.如权利要求1所述的光分解碱，其特征在于，M+包括但不限于下述结构：3.如权利要求1所述的光分解碱，其特征在于，X1包括但不限于下述结构：4.如权利要求1所述的光...

【专利技术属性】
技术研发人员：傅志伟，宋红波，戴俊燕，冉瑞成，毛国平，
申请(专利权)人：江苏汉拓光学材料有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31