一种强超声辅助法制备组织均匀的高致密ITO靶材制造技术

本发明专利技术公开了一种组织均匀的高致密ITO靶材的制备方法，将粒径20～70nm，纯度≥99.99％的ITO(In2O3:SnO2＝9:1，wt％)经过干法制粒机，制成15‑20um左右大小的蓬松颗粒；再将经过制粒的蓬松ITO颗粒填装在模具中并放置于冷静压下，调节油压机的压力，将模具内部压强分别设置为400MPa、600MPa、800MPa、1000MPa、1200MPa和1500MPa；引入功率P＝3Kw的超声震荡和冷静压双重作用下成型致密度高达62.2±0.2％的素坯样品。

【技术实现步骤摘要】
一种强超声辅助法制备组织均匀的高致密ITO靶材
本专利技术涉及一种ITO材料的制备，具体涉及一种组织均匀的高致密ITO靶材的制备。
技术介绍
ITO是指Indium及Tin氧化物的简称。ITO薄膜具有对可见光透明和良好的导电性，其对可见光的透过率≥95％，对紫外线的吸收率≥85％，对红外线的反射率≥70％，对微波的衰减率≥85％。同时，ITO薄膜的加工性能极好，硬度高且耐磨耐蚀，而且容易在酸性液体中蚀刻出微细的图形。因而ITO薄膜近年来在薄膜晶体管(TFT)、平板液晶显示(LCD)、电色层窗口、光生伏打器件中的有源和无源组元以及红外辐射反射热镜薄膜等方面获得了广泛应用，是当今知识经济时代信息产业极为重要的电子功能材料。ITO靶材是生产ITO透明导电薄膜极其重要的材料之一。ITO靶材主要通过磁控溅射设备，将ITO靶材溅射至玻璃或其它基板上以形成ITO薄膜。ITO靶材的理论密度为7.15g/cm3，优质的成品ITO靶材应具有≥99％的相对密度，这样的ITO靶材具有较低电阻率、较高导热率及较高的机械强度。目前高纯高密度ITO靶材的制备方法存在一些不足，比如，热等静压设备昂贵、运行成本较高，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种组织均匀的高致密ITO靶材的制备方法，其特征在于：将粒径20～70nm，纯度≥99.99％的ITO(In2O3:SnO2＝9:1，wt％)经过干法制粒机，制成15‑20um左右大小的蓬松颗粒；再将经过制粒的蓬松ITO颗粒填装在模具中并放置于冷静压下，调节油压机的压力，将模具内部压强分别设置为400MPa、600MPa、800MPa、1000MPa、1200MPa和1500MPa；引入功率P＝3Kw的超声震荡和冷静压双重作用下成型致密度高达62.2±0.2％的素坯样品。

【技术特征摘要】
1.一种组织均匀的高致密ITO靶材的制备方法，其特征在于：将粒径20～70nm，纯度≥99.99％的ITO(In2O3:SnO2＝9:1，wt％)经过干法制粒机，制成15-20um左右大小的蓬松颗粒；再将经过制粒的蓬松ITO颗粒填装在模具中并放置于冷静压下，调节油压机的压力，将模具内部压强分别设置...

【专利技术属性】
技术研发人员：黎军军，刘碧桃，关有为，闫恒庆，阮海波，
申请(专利权)人：重庆文理学院，
类型：发明
国别省市：重庆,50