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本发明公开了一种组织均匀的高致密ITO靶材的制备方法，将粒径20～70nm，纯度≥99.99％的ITO(In2O3:SnO2＝9:1，wt％)经过干法制粒机，制成15‑20um左右大小的蓬松颗粒；再将经过制粒的蓬松ITO颗粒填装在模具中并放...
该专利属于重庆文理学院所有，仅供学习研究参考，未经过重庆文理学院授权不得商用。

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