一种ITO烧结靶材的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种ITO烧结靶材的制备方法，包括以下步骤：将In2O3粉末和SnO2粉末一起经湿法球磨，得ITO浆料，其中，In2O3粉末和SnO2粉末的原始粒径比为1：(1.0‑2.0)，In2O3粉末的原始粒径为50nm‑200nm；将所得ITO浆料经喷雾造粒，得ITO造粒粉体；将所得ITO造粒粉体装入冷压模具中，经振动和抽真空操作后，再经一步冷等静压成型，得ITO坯体；将所得ITO坯体在氧气气氛下进行烧结，即得所述ITO烧结靶材。该制备方法所得ITO烧结靶材具有高密度、低电阻率和高强度的优异性质，解决现有技术的ITO烧结靶材的制备方法工艺流程复杂、成本高、对环境污染较大的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种ITO烧结靶材的制备方法
本专利技术涉及光电功能陶瓷材料
，具体涉及一种ITO烧结靶材的制备方法。
技术介绍
ITO薄膜是综合性能最优异的透明导电电极材料，是一种重掺杂、高简并的n型半导体，光学禁带宽度达到3.5eV以上，其载流子浓度可达到1021cm-3，迁移率为15～450cm2V-1S-1，目前一般认为其半导体化机理为掺杂(掺锡)和组分缺陷(氧空位)。ITO作为优异的透明导电薄膜，其较低的电阻率可达到10-4Ω·cm，可见光透过率可达85％以上，其优良的光电性质使其成为具有实用价值的TCO薄膜。ITO透明导电薄膜除了具有高可见光透过率和低电阻，还具有一系列独特性能，如紫外线高吸收、红外线高反射、微波高衰减；加工性能良好，具有较好的酸刻、耐碱化学稳定性；较高的表面功函数(约为4.7eV)等，ITO薄膜被广泛应用于光电子工业、太阳能、微波屏蔽与防护镜和交通建筑等领域。目前工业大规模生产ITO薄膜主要方法采用磁控溅射镀膜，使用的原材料为ITO靶材。按ITO的应用领域划分，ITO靶材的应用市场可以分为TN、STN及TFT等，其中TFT为高端市场，TFT领域所需ITO靶材占IT本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种ITO烧结靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)、将In2O3粉末和SnO2粉末一起经湿法球磨，得ITO浆料，其中，In2O3粉末和SnO2粉末的原始粒径比为1：(1.0‑2.0)，In2O3粉末的原始粒径为50nm‑200nm；(2)、将步骤(1)所得ITO浆料经喷雾造粒，得ITO造粒粉体；(3)、将步骤(2)所得ITO造粒粉体装入冷压模具中，经振动和抽真空操作后，再经一步冷等静压成型，得ITO坯体；(4)、将步骤(3)所得ITO坯体在氧气气氛下进行烧结，即得所述ITO烧结靶材。

【技术特征摘要】
1.一种ITO烧结靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)、将In2O3粉末和SnO2粉末一起经湿法球磨，得ITO浆料，其中，In2O3粉末和SnO2粉末的原始粒径比为1：(1.0-2.0)，In2O3粉末的原始粒径为50nm-200nm；(2)、将步骤(1)所得ITO浆料经喷雾造粒，得ITO造粒粉体；(3)、将步骤(2)所得ITO造粒粉体装入冷压模具中，经振动和抽真空操作后，再经一步冷等静压成型，得ITO坯体；(4)、将步骤(3)所得ITO坯体在氧气气氛下进行烧结，即得所述ITO烧结靶材。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中，在进行冷等静压成型之前，不进行钢模液压成型工序，将ITO造粒粉体装入冷压模具中，经振动和抽真空操作后，直接经一步冷等静压成型得到ITO坯体。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，将In2O3粉末和SnO2粉末一起经湿法球磨包括：将In2O3粉末和SnO2粉末按质量比(89.5-90.5):(9.5-10.5)经5h-24h，优选为10h-20h湿法球磨进行均匀混合，加入粉体总质量百分比0wt％-0.5wt％的粘结剂后再继续球磨30min以上，即得ITO浆料，所述ITO浆料的固含量控制在30wt％-75wt％，优选固含量控制在50wt％-70wt％。4.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：梅方胜，袁铁锤，陈立三，杨杨，刘文德，李瑞迪，赵为上，苗华磊，
申请(专利权)人：株洲冶炼集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南,43