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本发明公开了一种ITO烧结靶材的制备方法，包括以下步骤：将In2O3粉末和SnO2粉末一起经湿法球磨，得ITO浆料，其中，In2O3粉末和SnO2粉末的原始粒径比为1：(1.0‑2.0)，In2O3粉末的原始粒径为50nm‑200nm；将所...
该专利属于株洲冶炼集团股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过株洲冶炼集团股份有限公司授权不得商用。

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