一种石墨烯薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术型公开了一种石墨烯，它是呈曲面状且包裹在泡沫镍表面的高质量石墨烯薄膜。同时公开了一种石墨烯薄膜的制备方法，包括：将泡沫镍放入管式炉，在氩氢混合气体的气氛中通过CVD法制备石墨烯，其中氩氢混合气体中氢气占10%，在整个反应过程中混合气体流量为400sccm，用乙醇作为碳源，在1000℃的环境中反应10分钟。本发明专利技术用乙醇做为碳源，采用了CVD法制备石墨烯，原料易得，成本较低，反应时间短，操作过程简单易控，制得的石墨烯薄膜具有优异的纯度，较好的机械性能和较高的柔性及导电性。

【技术实现步骤摘要】
一种石墨烯薄膜及其制备方法
本专利技术涉及一种石墨烯薄膜及其制备方法。
技术介绍
石墨烯一直被认为是假设性的结构，无法单独稳定存在，直至2004年，英国曼彻斯特大学物理学家安德烈·海姆和康斯坦丁·诺沃肖洛夫，成功地在实验中从石墨中分离出石墨烯，而证实它可以单独存在，两人也因“在二维石墨烯材料的开创性实验”而共同获得2010年诺贝尔物理学奖。石墨烯的出现在科学界激起了巨大的波澜，相关研究论文急剧增加，作为形成纳米尺寸晶体管和电路的“后硅时代”的新潜力材料，旨在应用石墨烯的研发也在全球范围内急剧增加，美国、韩国，中国等国家的研究尤其活跃。石墨烯或将成为可实现高速晶体管、高灵敏度传感器、激光器、触摸面板、蓄电池及高效太阳能电池等多种新一代器件的核心材料。至今为止，已发现石墨烯具有非凡的物理及电学性质，如高比表面积、高导电性、机械强度高、易于修饰等。石墨烯是零带隙半导体，有着独特的载流子特性，为相对论力学现象的研究提供了一条重要途径；电子在石墨烯中传输的阻力很小，在亚微米距离移动时没有散射，具有很好的电子传输性质；石墨烯韧性好，有实验表明，它们每100nm距离上承受的最大压力可达2.9N，是本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种石墨烯薄膜，其特征在于：通过CVD法制备，获得的石墨烯具有优异的纯度，较好的机械性能和较高的柔性及导电性，制备过程简单。

【技术特征摘要】
1.一种石墨烯薄膜，其特征在于：通过CVD法制备，获得的石墨烯具有优异的纯度，较好的机械性能和较高的柔性及导电性，制备过程简单。2.根据权利要求1所述的石墨烯的制备，包括以下步骤：步骤S1：将泡沫镍清洗干净，放入通有氩氢混合气体的管式炉中；步骤S2：调整温度和时间的变化规律，通过CVD法制备石墨烯。3.根据权利要求2所述的石墨烯的制备方法，其特征在于：所述步骤S1中，泡沫镍剪成1cm×2cm的长方形，将泡沫镍放入10％稀盐酸超声5分钟，用吹风机快速吹干，然后把泡沫镍放入长度约为5cm的石英舟皿中，将石英舟皿送入管式炉的加...

【专利技术属性】
技术研发人员：高延利，管文水，杨晓杰，
申请(专利权)人：信阳学院，
类型：发明
国别省市：河南,41