【技术实现步骤摘要】
一种烧结取向磁体内部缺陷的修复方法及修复后的磁体
本专利技术属于永磁材料制备领域，具体涉及一种烧结取向磁体内部缺陷的修复方法及修复得到的磁体。技术背景第三代稀土钕铁硼(NdFeB)永磁材料由于具有高的饱和磁化强度、矫顽力和磁能积(BH)max良好的机械加工特性和相对低廉的价格，在许多领域得到广泛的应用，但易腐蚀、脆性大、工作温度偏低是制约烧结钕铁硼进一步发展和应用的主要缺陷，研究表明这些缺陷几乎都与晶界相、缺陷结构等密切相关。研究表明，高取向度、细化均匀的晶粒与较细富稀土晶界相的连续均匀分布、光滑无缺陷的相界面等是制备高性能烧结钕铁硼磁体的关键因素。目前通常可采用溅射、涂覆膜层再加热处理的方法修复烧结钕铁硼磁体内部缺陷，但这些方法对取向烧结磁体内部缺陷的改善有限，对磁性能、耐热性的影响也不太稳定、容易使磁体取向度降低，且原料损耗高、处理成本高、处理磁体的质量不太稳定，成品率较低，不适于工业化推广应用等问题。
技术实现思路
为了弥补现有技术的不足，本专利技术提供了一种烧结取向磁体内部缺陷的修复方法，采用加热渗透对钕铁硼烧结取向磁体的内部缺陷进行修复，修复过程中，除了...
【技术保护点】
1.一种烧结取向磁体内部缺陷的修复方法，其特征在于：采用加热渗透对钕铁硼烧结取向磁体的内部缺陷进行修复，包括主相晶粒界面改进、晶界相再分布、晶界相成分及结构调整；修复过程中，除了目标渗透源元素相对于磁体的原子扩散迁移运动以外，目标渗透源与磁体的宏观位置不是相对固定的，而是存在宏观相对运动，该宏观相对运动并不包括球磨运动。
【技术特征摘要】
1.一种烧结取向磁体内部缺陷的修复方法，其特征在于：采用加热渗透对钕铁硼烧结取向磁体的内部缺陷进行修复，包括主相晶粒界面改进、晶界相再分布、晶界相成分及结构调整；修复过程中，除了目标渗透源元素相对于磁体的原子扩散迁移运动以外，目标渗透源与磁体的宏观位置不是相对固定的，而是存在宏观相对运动，该宏观相对运动并不包括球磨运动。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：采用变速率升温和分段保温制度：以3-8℃/min的加热速率升温到500-800℃保温1-20h，然后再以0.5-4℃/min的加热速率缓慢升温到800-1050℃下保温3-40h，之后快速冷却或自然冷却至40-100℃，冷却中磁体继续保持相对于目标渗透源的宏观相对运动，其中第二段升温速率小于第一段升温速率，总渗透时间控制在50h以内。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述目标渗透源包括35-99.9wt％的渗透助剂和0.1-65wt％可渗透入磁体2:14:1型主相、晶界相、和/或晶界角隅相的元素单质和/或化合物的渗透剂组成；所述可渗透入磁体2:14:1型主相的元素包括La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy，Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Y、Sc的任一种或多种元素，以及Fe、Co、Ni、B的任一种或多种元素；所述渗透入晶界相和/或晶界角隅相的元素包括Ga、Nb、Cu、Al、Zr、Ti、O、F、N中的任一种或多种；所述化合物包括上述元素的氧化物、氟化物、碳化物、氮化物、氢化物、合金、固溶化合物；所述渗透助剂为选自氧化铝、氧化镁、氧化锆、氧化钛中的任一种或多种。4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述目标渗透源含有0.1-5wt％、熔点为29.8℃的金属Ga。5.一种烧结取向钕铁硼磁体内部缺陷的修复方法，依次包括以下步骤：A、磁体表面处理：去除烧结取向磁体的表面污染物、锈迹及氧化层；B、配制目标渗透源；C、运动渗透处理：将经过步骤A表面处理的磁体与B步骤配置的预混合的目标渗透源按照1:1-1:100的体积比装入处理设备进行运动渗透处理，在渗透过程中，所述磁体与所述目标渗透源之间始终存在宏观相对运动，但不包括球磨运动；运动渗透中保持真空或惰性气体气氛，优选的，渗透温度为500-1050℃，时间1-100h；D、运动渗透处理结束后，将磁体与目标渗透源分离，进行回火处理；优选的，回火温度为400-600℃，时间1-20h；E、回火处理后，得到产品；优选的，所述磁体的易磁化方向沿中心辐射取向。6.根据权利要求5所述的方法，...
【专利技术属性】
技术研发人员：成问好，魏方允，王严，成走程，
申请(专利权)人：深圳市瑞达美磁业有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44
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