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本发明公开了一种烧结取向磁体内部缺陷的修复方法，采用缓慢升温和分段保温制度对烧结取向磁体的内部缺陷进行修复，修复过程中，磁体与目标渗透源之间始终保持宏观相对运动，所述目标渗透源由渗透助剂35‑99.9wt％和0.1‑65wt％可渗透入磁体2...
该专利属于深圳市瑞达美磁业有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市瑞达美磁业有限公司授权不得商用。

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