一种导电薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种导电薄膜及其制备方法，所述制备方法，包括：对薄膜基底的表面进行涂胶处理；将所述薄膜基底的覆胶面按压在固态金属块上，并控制按压压力及覆胶面与所述固态金属块接触面之间的温度；按压一定时间后，取下所述薄膜基底，在所述薄膜基底的覆胶面粘附一层所述固态金属块的金属薄膜，完成导电薄膜的制备。本发明专利技术中的导电薄膜的制备工艺简单，对制作设备要求低，加热温度最高不超过200℃，制备能耗低。

【技术实现步骤摘要】
一种导电薄膜及其制备方法
本专利技术属于柔性导电
，尤其涉及一种导电薄膜及其制备方法。
技术介绍
现有导电薄膜制备方法普遍存在工艺复杂、成本高的问题,如磁控溅射法,溶胶凝胶法,脉冲激光沉积,真空蒸镀,化学气相沉积等方法，对于制作设备和能耗都有较高要求。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的一个目的是提出一种导电薄膜的制备方法,以解决现有技术中的导电薄膜的制作工艺复杂、成本高的问题。在一些说明性实施例中，所述导电薄膜的制备方法，包括：对薄膜基底的表面进行涂胶处理；将所述薄膜基底的覆胶面按压在固态金属块上，并控制按压压力及覆胶面与所述固态金属块接触面之间的温度；按压一定时间后，取下所述薄膜基底，在所述薄膜基底的覆胶面粘附一层所述固态金属块的金属薄膜，完成导电薄膜的制备。在一些可选地实施例中，在所述将所述薄膜基底的覆胶面按压在固态金属块上之前，还包括：将液态金属注入温控池中流平并固化，形成所述固态金属块。在一些可选地实施例中，所述液态金属包括：熔点在200摄氏度以下的低熔点金属单质、低熔点金属合金或主要成分为低熔点金属单质/低熔点金属合金的导电混合物。在一些可选地实施例中，根据所述覆胶面本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括：对薄膜基底的表面进行涂胶处理；将所述薄膜基底的覆胶面按压在固态金属块上，并控制按压压力及覆胶面与所述固态金属块接触面之间的温度；按压一定时间后，取下所述薄膜基底，在所述薄膜基底的覆胶面粘附一层所述固态金属块的金属薄膜，完成导电薄膜的制备。

【技术特征摘要】
1.一种导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括：对薄膜基底的表面进行涂胶处理；将所述薄膜基底的覆胶面按压在固态金属块上，并控制按压压力及覆胶面与所述固态金属块接触面之间的温度；按压一定时间后，取下所述薄膜基底，在所述薄膜基底的覆胶面粘附一层所述固态金属块的金属薄膜，完成导电薄膜的制备。2.根据权利要求1所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，在所述将所述薄膜基底的覆胶面按压在固态金属块上之前，还包括：将液态金属注入温控池中流平并固化，形成所述固态金属块。3.根据权利要求2所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述液态金属包括：熔点在200摄氏度以下的低熔点金属单质、低熔点金属合金或主要成分为低熔点金属单质/低熔点金属合金的导电混合物。4.根据权利要求1所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，根据所述覆胶面的黏度调整以下至少一个制备因素的参数值，获取目标厚度的金属薄膜：所述按压压力、所述覆胶面...

【专利技术属性】
技术研发人员：严启臻，李亿东，郑翰，董仕晋，
申请(专利权)人：北京梦之墨科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11