一种在图形化衬底上制备银纳米线基透明导电薄膜的方法技术

一种在图形化衬底上制备银纳米线基透明导电薄膜的方法，包括以下步骤：制备具有微纳米级结构的图形化衬底；在图形化衬底上通过旋涂法、喷涂法以及旋涂与喷涂结合的方式制备银纳米线基透明导电薄膜，然后在50℃—100℃之间的温度的环境下干燥5min‑30min；在银纳米线基透明导电薄膜制备氧化锌保护层；进行高温热处理，完成制备。本发明专利技术具有工艺简单、成本低、可量产化、尺寸可控等优点，更重要的是，制备在图形化衬底上的透明电极具有高散射，更高比表面积等优势，并能在性能上保持高的光透过率，高导电性以及良好的稳定性等特点。

【技术实现步骤摘要】
一种在图形化衬底上制备银纳米线基透明导电薄膜的方法
本专利技术属于微纳米光电材料
，具体地说是一种在图形化衬底上制备银纳米线基透明导电薄膜的方法。
技术介绍
光电器件中图形化表面结构衬底具有比表面积大，光散射能力强等特性，并且图形化表面结构具备良好的光吸收能力。银纳米线作为现今重要的透明导电材料之一，其优良的导电性，光透过率，是未来取代商业铟锡氧化物(ITO)的重要光电材料。氧化锌作为一种半导体氧化物材料，是作为保护银纳米线不被氧化的一种绝佳材料，制备出的复合薄膜具备良好的稳定性。基于银纳米线(AgNWs)/氧化锌(ZnO)复合薄膜的透光导电性，配合图形化衬底构建出一个三维分布的透明电极。该分布模式，能够使得导电层与图形化衬底接触的更充分，对于未来衬底与导电层的性能转换方面有极大提升作用。同时，无论是银纳米线还是图形化衬底都具有良好的光散射性，因而该电极可叠加出更高的的光散射能力，再基于图形化表面的光吸收能力和更大的比表面积，对于未来太阳能电池、超级电容器、发光二极管以及光电探测器等都具有一定程度上的性能提升。如在三维表面的太阳能电池上更充分的吸收电荷，除硅基太阳能电池外，有机本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种在图形化衬底上制备银纳米线基透明导电薄膜的方法，包括以下步骤：制备具有微纳米级结构的图形化衬底；在图形化衬底上通过旋涂法、喷涂法或旋涂与喷涂结合的方式制备银纳米线基透明导电薄膜，然后在50℃—100℃之间的温度环境下干燥5min‑30min；在银纳米线基透明导电薄膜上制备氧化锌保护层；进行高温热处理，完成制备。

【技术特征摘要】
1.一种在图形化衬底上制备银纳米线基透明导电薄膜的方法，包括以下步骤：制备具有微纳米级结构的图形化衬底；在图形化衬底上通过旋涂法、喷涂法或旋涂与喷涂结合的方式制备银纳米线基透明导电薄膜，然后在50℃—100℃之间的温度环境下干燥5min-30min；在银纳米线基透明导电薄膜上制备氧化锌保护层；进行高温热处理，完成制备。2.根据权利要求1所述的在图形化衬底上制备银纳米线基透明导电薄膜的方法，其特征在于，所述采用旋涂法制备银纳米线基透明导电薄膜，采用银纳米线悬浮液，该银纳米线悬浮液的浓度为0.1mg/ml—10mg/ml，旋涂速度为1000转/分钟—8000转/分钟。3.根据权利要求1所述的在图形化衬底上制备银纳米线基透明导电薄膜的方法，其特征在于，所述采用喷涂法制备银纳米线基透明导电薄膜，采用银纳米线悬浮液，该银纳米线悬浮液的浓度为0.1mg/ml—10mg/ml，喷涂时间为1s—10min。4.根据权利要求1所述的在图形化衬底上制备银纳米线基透明导电薄膜的方法，其特征在于，所述采用喷涂法和旋涂法结合的方式制备银纳米线基透明导电薄膜，将样品在旋涂机上进行高速旋转，然后在样品上方，由喷涂设备同时进行喷涂镀膜，获取均匀膜厚的银纳米线基透明导电薄膜，旋喷涂采用浓度为0.1m...

【专利技术属性】
技术研发人员：康凯，杨志伟，陆前军，张剑桥，王子荣，
申请(专利权)人：东莞市中图半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44