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铬酸银/硫掺氮化碳Z型光催化剂及其制备方法技术

技术编号:19694951 阅读:36 留言:0更新日期:2018-12-08 11:58
本发明专利技术公开了一种铬酸银/硫掺氮化碳Z型光催化剂,该铬酸银/硫掺氮化碳Z型光催化剂包括氮化碳,氮化碳中掺杂硫元素形成硫掺氮化碳,硫掺氮化碳表面修饰有铬酸银。其制备方法包括以下步骤:将三聚氰胺、三聚硫氰酸与超纯水混合均匀,烘干,得到混合物;将混合物进行煅烧,研磨,得到硫掺氮化碳;将硫掺氮化碳、银离子溶液和重铬酸盐溶液混合进行反应,得到铬酸银/硫掺氮化碳Z型光催化剂。本发明专利技术铬酸银/硫掺氮化碳Z型光催化剂,具有吸光能力强、光生电子‑空穴复合率低、光催化性能好、稳定性好等优点,是一种新型的光催化材料,其制备方法具有工艺简单、条件易控制、成本低等优点,适合于大规模制备,有利于工业生产。

【技术实现步骤摘要】
铬酸银/硫掺氮化碳Z型光催化剂及其制备方法
本专利技术属于光催化
,涉及一种铬酸银/硫掺氮化碳Z型光催化剂及其制备方法。
技术介绍
随着社会的不断发展,水资源污染及短缺问题越来越明显,急需寻找到一种节能、环保、高效的水污染治理技术解决这些问题。光催化技术是通过半导体光催化剂在光照条件下具有的氧化还原能力净化污染物,已展现出良好的运用前景。近年来,氮化碳(g-C3N4)作为一种非金属型半导体光催化剂,因其合适的能带位置、化学性能稳定、廉价易制备等特性而受到广泛关注。理论上g-C3N4的能隙约为2.7eV,能利用波长为460nm以下的太阳光。然而,g-C3N4存在比表面积小、光吸收性能差、光生电子-空穴易重组、光催化性能弱等问题极大限制了g-C3N4的应用。为了改善g-C3N4的光催化性能,通常利用掺杂、构建异质结等方法提升g-C3N4光催化材料的对光谱的吸收范围,加快光生电子-空穴分离速度,从而提升光催化剂的光催化性能。非金属硫元素掺杂是一种安全有效的掺杂方法,它对改善g-C3N4的电子结构发挥着重要的作用,但是现有硫掺氮化碳合成过程繁琐复杂,且引入了其他物质N,N-二甲基甲酰胺本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种铬酸银/硫掺氮化碳Z型光催化剂,其特征在于,所述铬酸银/硫掺氮化碳Z型光催化剂包括氮化碳,所述氮化碳中掺杂硫元素形成硫掺氮化碳,所述硫掺氮化碳表面修饰有铬酸银。

【技术特征摘要】
1.一种铬酸银/硫掺氮化碳Z型光催化剂,其特征在于,所述铬酸银/硫掺氮化碳Z型光催化剂包括氮化碳,所述氮化碳中掺杂硫元素形成硫掺氮化碳,所述硫掺氮化碳表面修饰有铬酸银。2.根据权利要求1所述的铬酸银/硫掺氮化碳Z型光催化剂,其特征在于,所述铬酸银/硫掺氮化碳Z型光催化剂中铬酸银的质量百分含量为10%~40%。3.根据权利要求1或2所述的铬酸银/硫掺氮化碳Z型光催化剂,其特征在于,所述铬酸银为颗粒状;所述硫掺氮化碳为棒状。4.一种如权利要求1~3中任一项所述的铬酸银/硫掺氮化碳Z型光催化剂的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、将三聚氰胺、三聚硫氰酸与超纯水混合均匀,烘干,得到混合物;S2、将步骤S1中得到的混合物进行煅烧,研磨,得到硫掺氮化碳;S3、将步骤S2中得到的硫掺氮化碳、银离子溶液和重铬酸盐溶液混合进行反应,得到铬酸银/硫掺氮化碳Z型光催化剂。5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述步骤S3中,具体为:S3-1、将硫掺氮化碳超声分散于超纯水中制成混合液;S3-2、往步骤S3-1中得到的混合液中加入银离子溶液,避光搅拌0.5h~1h,再加入重铬酸盐溶液,避光搅拌3h~4h,使反应生成的铬酸银沉淀于硫掺氮化碳表面,过滤,烘干,得到铬酸银/硫掺氮化碳Z型光催化剂。6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述步骤S3-1中,所述硫掺氮化碳与超纯水的...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘智峰蒋艺林邵彬彬刘小娟梁清华刘玉杰张魏何青云曾光明
申请(专利权)人:湖南大学
类型:发明
国别省市:湖南,43

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