一种四值忆阻器仿真器的实现电路制造技术

本发明专利技术公开了一种四值忆阻器仿真器的实现电路，本发明专利技术包括集成运算放大器U1和乘法器U2、U3、U4、U5、U6、U7、U8、U9、U10、U11，集成运算放大器U1连接输入端，即四值忆阻器的电压u和电流i的测试端；集成运算放大器U1和乘法器U2、U3、U6、U7、U8、U9、U10、U11用于实现积分运算、求和运算和反相运算，求得控制忆导值的状态变量，得到需要的忆导控制函数。通过乘法器U4、U5及集成运算放大器U1的反相加法运算，得到最终的忆阻器电流量。本发明专利技术提出了一种实现四值忆阻器特性的仿真器，用以模拟四值忆阻器的伏安特性，便于对四值忆阻器进行实验和应用研究。

【技术实现步骤摘要】
一种四值忆阻器仿真器的实现电路
本专利技术属于电路设计
，涉及一种四值忆阻器仿真器，具体涉及一种四值忆阻器的数学模型和仿真器的设计与实现。
技术介绍
四值忆阻器是对于记忆器件二值忆阻器的一种扩展，此类忆阻器可使忆阻器稳定到四种不同的平衡状态，可应用于多值数字逻辑电路、忆阻神经网络、非易失性存储、复杂混沌系统之中。为了对多值忆阻器进行预先研究，设计一种四值忆阻器仿真器便有了非常重要的意义。目前，虽然已有大量二值忆阻器模型被提出，但其应用范围具有很大的局限性。本专利技术提出的四值忆阻器是继二值忆阻器之后的扩展类型，具有更为灵活的非易失性功能。由于目前还缺乏多值忆阻器的概念和模型，还处于初步的理论分析和建模研究状态。因此，迫切需要设计实现多值忆阻器的仿真器，并用电路模型代替实际多值忆阻器应用于电路实验中，这也对忆阻器的分析研究有非常重要的意义。
技术实现思路
针对现有二值忆阻器存在的上述不足，本专利技术提出了一种四值忆阻器数学模型和基于该数学模型的仿真器电路，用以模拟四值忆阻器的伏安特性，替代实际忆阻器进行电路设计和应用。本专利技术解决技术问题所采取的技术方案如下：本专利技术包括状态变量本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种四值忆阻器仿真器的实现电路，其特征在于，基于下述数学模型设计：

【技术特征摘要】
1.一种四值忆阻器仿真器的实现电路，其特征在于，基于下述数学模型设计：i和u为忆阻器的电流与电压，x为忆阻器的变量状态；包括状态变量产生电路和测量端口电路，所述状态变量产生电路由集成运算放大器U1和乘法器U2、U3、U6、U7、U8、U9、U10、U11组成，产生的状态变量x作为四值忆阻器仿真器的忆导控制输入信号，其中集成运算放大器U1用于实现积分运算、加法运算和反相放大运算；所述测量端口电路由集成运算放大器U1和乘法器U4、U5构成，集成运算放大器U1用于加法运算，得到控制信号，乘法器U4、U5实现将控制信号和输入的电压信号相乘，得到最终的四值忆阻器电流，具体结构如下：所述的集成运算放大器U1的第1引脚与第一电阻R1的一端连接，第2引脚与第一电阻R1的另一端、第二电阻R2的一端、第三电阻R3的一端、第四电阻R4的一端连接，第3、5引脚接地，第4引脚接电源VCC，第6引脚与第五电阻R5的一端、第六电阻R6的一端、第七电阻R7的一端、第八电阻R8的一端、第九电阻R9的一端、第十电阻R10的一端、第十一电阻R11的一端、第十二电阻R12的一端、第十三电阻R13的一端和第一电容C1的一端连接，第7引脚与第一电容C1的另一端连接，第8引脚与第一电阻R14的一端连接，第9引脚与第十四电阻R14的另一端、第十五电阻R15的一端连接，第10、12引脚接地，第11引脚接VEE，第13引脚与第十七电阻R17的一端和第十六电阻R...

【专利技术属性】
技术研发人员：王光义，董玉姣，王晓炜，应加捷，
申请(专利权)人：杭州电子科技大学，
类型：发明
国别省市：浙江,33