一种阵列基板及其维修方法、显示面板和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种阵列基板及其维修方法、显示面板和显示装置，其中所述方法包括在TFT与数据线之间的栅线出现断路时，将断路位置第一端的栅线与所述TFT的源极连接，将断路位置第二端的栅线与所述数据线连接；在所述栅线与所述数据线的连接点的两端切割所述数据线，得到局部数据线；利用两根公共电极线，以及所述两根公共电极线之间的公共电极线补偿结构和公共电极形成切割位置第一端的数据线和切割位置第二端的数据线之间的导电通路。本发明专利技术提供的阵列基板及其维修方法、显示面板和显示装置，能够降低阵列基板的维修成本，确保显示装置的显示效果。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其维修方法、显示面板和显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其维修方法、显示面板和显示装置。
技术介绍
TFT-LCD(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay，简称薄膜晶体管液晶显示器，)以其轻薄、环保、高性能等优点，应用越来越广，已经成为LCD应用中的主流产品。现有技术中，在TFT-LCD制备的阵列工艺和成盒工艺过程中，阵列基板会因发热、刻蚀参数、玻璃基板残留物和设备误差等因素，不可避免地造成位于TFT与数据线之间的栅线断路的问题，导致信号无法传输至断路位置后侧的像素区域，画面显示异常。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种阵列基板及其维修方法、显示面板和显示装置，以解决TFT与数据线之间的栅线断路，导致信号无法传输至断路位置后侧的像素区域，造成画面显示异常的问题。为了解决上述技术问题，本专利技术提供技术方案如下：第一方面，本专利技术实施例提供一种阵列基板，包括位于衬底基板上的沿行方向延伸的栅线和沿列方向延伸的数据线，所述栅线和所述数据线交叉围成多个像素区域，像素区域内设置有薄膜晶体管TFT、像素电极和公共电极，所述TFT的源极与所述数据线连接，所述TFT的漏极与所述像素电极连接，另外，还包括：公共电极和公共电极线，所述公共电极线与所述栅线平行，且同一行的公共电极均与同一公共电极线连接，同一列且相邻的公共电极通过公共电极线补偿结构连接，所述像素电极在所述衬底基板上的正投影与所述公共电极线在所述衬底基板上的正投影存在重叠区域。第二方面，本专利技术实施例还提供一种阵列基板的维修方法，应用于上述阵列基板，包括：在TFT与数据线之间的栅线出现断路时，将断路位置第一端的栅线与所述TFT的源极连接，将断路位置第二端的栅线与所述数据线连接；在所述栅线与所述数据线的连接点的两端切割所述数据线，得到局部数据线；利用两根公共电极线，以及所述两根公共电极线之间的公共电极线补偿结构和公共电极形成切割位置第一端的数据线和切割位置第二端的数据线之间的导电通路。进一步地，所述利用两根公共电极线，以及所述两根公共电极线之间的公共电极线补偿结构和公共电极形成切割位置第一端的数据线和切割位置第二端的数据线之间的导电通路的步骤，包括：将切割位置第一端的数据线与第一公共电极线连接，并在所述数据线与所述第一公共电极线的连接点的两端切割所述第一公共电极线，得到第一局部公共电极线，所述第一局部公共电极线与公共电极补偿结构连接；将切割位置第二端的数据线与第二公共电极线连接，并在所述数据线与所述第二公共电极线的连接点的两端切割所述第二公共电极线，得到第二局部公共电极线，所述第二局部公共电极线通过公共电极与所述公共电极补偿结构连接；在像素区域之间切断与所述公共电极补偿结构同列且相邻的两个公共电极补偿结构。进一步地，所述像素区域i内TFT与数据线之间的栅线出现断路，且所述像素区域i所在列的像素区域内均设有相互连接的公共电极线补偿结构，像素区域j与所述像素区域i同列且相邻；所述利用两根公共电极线，以及所述两根公共电极线之间的公共电极线补偿结构和公共电极形成切割位置第一端的数据线和切割位置第二端的数据线之间的导电通路的步骤，包括：将切割位置第一端的数据线与第一公共电极线连接，并在所述数据线与所述第一公共电极线的连接点的两端切割所述第一公共电极线，得到第一局部公共电极线，所述第一局部公共电极线与公共电极补偿结构连接，所述公共电极补偿结构连通公共电极i和公共电极j，所述公共电极i位于所述像素区域i内，所述公共电极j位于所述像素区域j内；将切割位置第二端的数据线与第二公共电极线连接，并在所述数据线与所述第二公共电极线的连接点的两端切割所述第二公共电极线，得到第二局部公共电极线，所述第二局部公共电极线通过公共电极i与所述公共电极补偿结构连接；在像素区域之间切断所述公共电极i通过公共电极补偿结构与其他公共电极之间的连接，以及所述公共电极j通过公共电极补偿结构与其他公共电极之间的连接。进一步地，所述像素区域i内TFT与数据线之间的栅线出现断路，且所述像素i所在列的像素区域内没有公共电极线补偿结构，与所述像素区域i同行且相邻的像素区域k所在列的像素区域内均设有相互连接的公共电极线补偿结构，像素区域t与所述像素区域k同列且相邻；所述利用两根公共电极线，以及所述两根公共电极线之间的公共电极线补偿结构和公共电极形成切割位置第一端的数据线和切割位置第二端的数据线之间的导电通路的步骤，包括：将切割位置第一端的数据线与第一公共电极线连接，并在所述数据线与所述第一公共电极线的连接点的两端切割所述第一公共电极线，得到第一局部公共电极线，所述第一局部公共电极线与公共电极补偿结构连接，所述公共电极补偿结构连接所述公共电极k和所述公共电极t，所述公共电极k位于所述像素区域k内，所述公共电极t位于所述像素区域t内；将切割位置第二端的数据线与第二公共电极线连接，并在所述数据线与所述第二公共电极线的连接点的两端切割所述第二公共电极线，得到第二局部公共电极线，所述第二局部公共电极线与所述公共电极i连接且通过所述公共电极k与所述公共电极补偿结构连接；在像素区域之间切断所述公共电极k通过公共电极补偿结构与其他公共电极之间的连接，以及所述公共电极t通过公共电极补偿结构与其他公共电极之间的连接。进一步地，在所述利用两根公共电极线，以及所述两根公共电极线之间的公共电极线补偿结构和公共电极形成切割位置第一端的数据线和切割位置第二端的数据线之间的导电通路的步骤之后，还包括：切断所述像素电极与TFT的漏极之间的连接，并将所述像素电极与公共电极连接。第三方面，本专利技术实施例还提供一种阵列基板，包括沿行方向延伸的栅线和公共电极线，沿列方向延伸的数据线，所述栅线和所述数据线交叉围成多个像素区域，像素区域内设置有TFT、像素电极和公共电极，同一行的公共电极均与同一公共电极线连接，同一列且相邻的公共电极通过公共电极线补偿结构连接，其中，至少一根栅线包括TFT的源极和局部数据线，至少一根数据线包括两个局部公共电极线、以及接通所述两个局部公共电极线的局部公共电极线补偿结构和公共电极。进一步地，至少两个像素电极与公共电极连接。第四方面，本专利技术实施例还提供一种显示面板，包括如上所述的阵列基板。第五方面，本专利技术实施例还提供一种显示装置，包括如上所述的显示面板。本专利技术提供的技术方案中，通过借助TFT的源极和局部数据线接通断路位置两端的栅线，使得栅极扫描信号能够传输到断路位置后侧的像素区域，被切断的数据线也能够借助两根公共电极线，以及所述两根公共电极线之间的公共电极线补偿结构和公共电极将数据信号传输至切断位置后侧的像素区域，从而避免画面显示异常的问题。因此，本专利技术提供的技术方案不仅能够降低对阵列基板的维修成本，同时还能够减少维修所影响的像素区域的数量，确保画面的显示效果。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对本专利技术实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为阵列基板中栅线断路的示意图；图2为阵列基板采用1/1M本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，包括位于衬底基板上的沿行方向延伸的栅线和沿列方向延伸的数据线，所述栅线和所述数据线交叉围成多个像素区域，像素区域内设置有薄膜晶体管TFT、像素电极和公共电极，所述TFT的源极与所述数据线连接，所述TFT的漏极与所述像素电极连接，其特征在于，还包括：公共电极和公共电极线，所述公共电极线与所述栅线平行，且同一行的公共电极均与同一公共电极线连接，同一列且相邻的公共电极通过公共电极线补偿结构连接，所述像素电极在所述衬底基板上的正投影与所述公共电极线在所述衬底基板上的正投影存在重叠区域。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括位于衬底基板上的沿行方向延伸的栅线和沿列方向延伸的数据线，所述栅线和所述数据线交叉围成多个像素区域，像素区域内设置有薄膜晶体管TFT、像素电极和公共电极，所述TFT的源极与所述数据线连接，所述TFT的漏极与所述像素电极连接，其特征在于，还包括：公共电极和公共电极线，所述公共电极线与所述栅线平行，且同一行的公共电极均与同一公共电极线连接，同一列且相邻的公共电极通过公共电极线补偿结构连接，所述像素电极在所述衬底基板上的正投影与所述公共电极线在所述衬底基板上的正投影存在重叠区域。2.一种阵列基板的维修方法，应用于如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，包括：在TFT与数据线之间的栅线出现断路时，将断路位置第一端的栅线与所述TFT的源极连接，将断路位置第二端的栅线与所述数据线连接；在所述栅线与所述数据线的连接点的两端切割所述数据线，得到局部数据线；利用两根公共电极线，以及所述两根公共电极线之间的公共电极线补偿结构和公共电极形成切割位置第一端的数据线和切割位置第二端的数据线之间的导电通路。3.根据权利要求2所述的阵列基板的维修方法，其特征在于，所述利用两根公共电极线，以及所述两根公共电极线之间的公共电极线补偿结构和公共电极形成切割位置第一端的数据线和切割位置第二端的数据线之间的导电通路的步骤，包括：将切割位置第一端的数据线与第一公共电极线连接，并在所述数据线与所述第一公共电极线的连接点的两端切割所述第一公共电极线，得到第一局部公共电极线，所述第一局部公共电极线与公共电极补偿结构连接；将切割位置第二端的数据线与第二公共电极线连接，并在所述数据线与所述第二公共电极线的连接点的两端切割所述第二公共电极线，得到第二局部公共电极线，所述第二局部公共电极线通过公共电极与所述公共电极补偿结构连接；在像素区域之间切断与所述公共电极补偿结构同列且相邻的两个公共电极补偿结构。4.根据权利要求2所述的阵列基板的维修方法，其特征在于，所述像素区域i内TFT与数据线之间的栅线出现断路，且所述像素区域i所在列的像素区域内均设有相互连接的公共电极线补偿结构，像素区域j与所述像素区域i同列且相邻；所述利用两根公共电极线，以及所述两根公共电极线之间的公共电极线补偿结构和公共电极形成切割位置第一端的数据线和切割位置第二端的数据线之间的导电通路的步骤，包括：将切割位置第一端的数据线与第一公共电极线连接，并在所述数据线与所述第一公共电极线的连接点的两端切割所述第一公共电极线，得到第一局部公共电极线，所述第一局部公共电极线与公共电极补偿结构连接，所述公共电极补偿结构连通公共电极i和公共电极j，所述公共电极i位于所述像素区域i内，所述公共电极j位于所述像素区域j内；将切割位置第二端的数据线与第二公共电极线连接，并在所述数据线与所述第二公共电...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴国东，李立雄，蔡云牧，于建威，王贺卫，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11