电化学发光免疫传感器用于制备严重发热伴血小板减少综合症病毒检测试剂盒的应用制造技术

本发明专利技术公开一种电化学发光免疫传感器用于制备严重发热伴血小板减少综合症病毒检测试剂盒的应用，SFTSV检测试剂盒包括SFTSV的电化学发光免疫传感器，该应用具体为：以SFTSV为抗原，制备CdZnTeS量子点标记的SFTSV的电化学发光免疫传感器。该SFTSV的电化学发光免疫传感器为以Fe3O4@SiO2为磁性载体的三明治型夹心免疫传感器，包括表面修饰有SFTSV一抗的Fe3O4@SiO2、CdZnTeS量子点标记的SFTSV二抗、以及通过抗原‑抗体间相互作用与两者分别连接的抗原SFTSV；表面修饰有SFTSV一抗的Fe3O4@SiO2的非特异性结合位点被封闭；该免疫传感器灵敏度高，且具有优异的稳定性、重现性和特异性。将该SFTSV电化学发光免疫传感用于SFTSV浓度的检测，简便、快速，且具有检测限低、灵敏度高、特异性好等优点。

【技术实现步骤摘要】
电化学发光免疫传感器用于制备严重发热伴血小板减少综合症病毒检测试剂盒的应用
本专利技术涉及一种基于CdZnTeS量子点的电化学发光免疫传感器的新应用，特别涉及一种基于CdZnTeS量子点的电化学发光免疫传感器用于制备严重发热伴血小板减少综合症病毒检测试剂盒的应用。
技术介绍
严重发热伴血小板减少综合症病毒，(severefeverwiththrombocytopeniasyndromebunyavirus，简称SFTSV)，它能够引起发热和血小板减少等症状，早期致死率高达30％左右。因此，对于SFTSV的检测具有重要意义。目前，有关SFTSV的检测方法非常少；而电化学发光由于背景信号低、灵敏度高、仪器操作简单等优点而成为一种备受青睐的检测手段。
技术实现思路
专利技术目的：针对现有技术中缺乏有效的严重发热伴血小板减少综合症病毒(以下简称为SFTSV)检测方法的问题，本专利技术提供一种基于CdZnTeS量子点的电化学发光免疫传感器用于制备SFTSV检测试剂盒的应用，该SFTSV检测试剂盒可用于SFTSV检测。技术方案：本专利技术所述的基于CdZnTeS量子点的电化学发光免疫传感器用于制备S本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.基于CdZnTeS量子点的电化学发光免疫传感器用于制备SFTSV检测试剂盒的应用。

【技术特征摘要】
1.基于CdZnTeS量子点的电化学发光免疫传感器用于制备SFTSV检测试剂盒的应用。2.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，以SFTSV为抗原，制备CdZnTeS量子点标记的SFTSV的电化学发光免疫传感器。3.根据权利要求2所述的应用，其特征在于，所述SFTSV的电化学发光免疫传感器为以Fe3O4@SiO2为磁性载体的三明治型夹心免疫传感器，包括表面修饰有SFTSV一抗的Fe3O4@SiO2、CdZnTeS量子点标记的SFTSV二抗、以及通过抗原-抗体间相互作用与两者分别连接的SFTSV抗原；所述表面修饰有SFTSV一抗的Fe3O4@SiO2的非特异性结合位点被封闭。4.根据权利要求3所述的应用，其特征在于，所述SFTSV抗原为SFTSV核蛋白抗原，SFTSV一抗、SFTSV二抗为单克隆抗体，该单克隆抗体为Mab0005、Mab0004、Mab0003、Mab0007中的一种。5.根据权利要求2所述的应用，其特征在于，所述SFTSV的电化学发光免疫传感器的制备方法包括如下步骤：1)制备表面修饰有SFTSV一抗的Fe3O4@SiO2，封闭其非特异性结合位点；2)制备CdZnTeS量子点标记的SFTSV二抗；3)将表面修饰有SFTSV一抗的Fe3O4@SiO2与CdZnTeS量子点标记的SFTSV二抗与SFTSV抗原连接。6.根据权利要求5所述的应用，其特征在于，步骤1)中，先将戊二醛与表面氨基化的Fe3O4@SiO2反应，得到戊二醛功能化的Fe3O4@SiO2；然后使SFTSV一抗与戊二醛功能化的Fe3O4@SiO2反应，通过交联作用获得表面修饰有SFTSV一抗的Fe3O4@SiO2；最后用牛血清白蛋白封闭其非特异...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁收年，梁秀丽，刘金霞，左家莹，赵春芹，徐来弟，朱凯迪，陆天，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：江苏,32