一种片式通孔金电极芯片电容器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种片式通孔金电极芯片电容器及其制备方法，制备方法包括：以钛酸钡体系的低烧X7R瓷料作为主基材，将氧化剂以及玻璃烧结助剂按比例砂磨混合，砂磨混合之后进行烘干处理得到干燥混合物；将干燥混合物预烧处理之后，干燥粉碎细化得到多层低温烧结电容器瓷粉；将多层低温烧结电容器瓷粉、无水乙醇、分散剂、消泡剂以及粘合剂混合球磨，得到浆料，将浆料倒在流延机注入口的PET载膜上，通过刮刀、加热区后形成稳定且具有韧性的微米级厚度陶瓷膜带，即通过产品结构参数的模拟设计、低烧陶瓷介质瓷料的开发、填孔金浆与内电极金浆的应用、端面电极形成方式等工艺技术，制备得到集合MLCC与SLC优点于一体的电容元器件。

A chip through-hole gold electrode chip capacitor and its preparation method

The invention discloses a chip-type through-hole gold electrode chip capacitor and its preparation method. The preparation method includes: using low-firing X7R ceramics of barium titanate system as the main base material, mixing oxidant and glass sintering aids in proportion by sanding, drying after sanding and grinding to obtain a dry mixture; and pre-drying the dry mixture. After firing, the ceramic powder of multi-layer low-temperature sintered capacitor is obtained by drying, grinding and refining. The ceramic powder of multi-layer low-temperature sintered capacitor, absolute ethanol, dispersant, defoamer and adhesive are mixed and milled to obtain slurry. The slurry is poured onto the PET carrier film at the injection port of tape casting machine, which forms a stable and possessing property through scraper and heating zone. Toughness of micron thickness ceramic film band, namely, through the simulation design of product structure parameters, the development of low-firing ceramic dielectric ceramics, the application of filling gold paste and inner electrode gold paste, and the formation of end-face electrodes, the capacitive components with the advantages of MLCC and SLC are prepared.

【技术实现步骤摘要】
一种片式通孔金电极芯片电容器及其制备方法
本专利技术属于电子器件
，具体涉及一种片式通孔金电极芯片电容器及其制备方法。
技术介绍
在表面安装技术(SMT)、整机小形化、高频化不断发展的动力推动下，电容器开始向片式化、微型化和高频化方向发展。片式电容器寄生电感几乎为零，总电感可以减小到元件本身的电感，高速高密度PCB板中使用的电容器，几乎都选择片式电容器。截止目前，在电子移动通讯线路和电子整机设备中广泛生产使用的电容器主要为片式多层芯片电容器MLCC(Multi-layerCeramicCapacitor)和片式微波单层芯片电容器SLC(Single-layerCeramicCapacitor)。MLCC具有容量大、体积小、内部电感低、绝缘电阻高及漏电流小等优点，被广泛应用于各种电子整机中的振荡、耦合、滤波和旁路电路，但因为射频参数差、介质损耗大等劣势，限制了其在微波电路中的应用。SLC拥有优良的射频特性，但存在容量小、耐压低等劣势。因此，急需研制一种集合MLCC与SLC优点于一体的电容元器件。
技术实现思路
为了解决上述问题，本专利技术提供了一种片式通孔金电极芯片电容器的制备方法，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种片式通孔金电极芯片电容器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)以钛酸钡体系的低烧X7R瓷料作为主基材，将氧化剂以及玻璃烧结助剂按比例砂磨混合，砂磨混合之后进行烘干处理得到干燥混合物；(2)将干燥混合物预烧处理之后，干燥粉碎细化得到多层低温烧结电容器瓷粉；(3)将多层低温烧结电容器瓷粉、无水乙醇、分散剂、消泡剂以及粘合剂混合球磨，得到浆料，将浆料倒在流延机注入口的PET载膜上，通过刮刀、加热区后形成稳定且具有韧性的微米级厚度陶瓷膜带，最后，裁剪得到生瓷膜片；(4)对所述生瓷膜片进行打孔操作，并使用通孔金浆和内电极金浆分别进行通孔和内电极的印刷；(5)将含通孔的膜片与含有内电极浆料的...

【技术特征摘要】
1.一种片式通孔金电极芯片电容器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)以钛酸钡体系的低烧X7R瓷料作为主基材，将氧化剂以及玻璃烧结助剂按比例砂磨混合，砂磨混合之后进行烘干处理得到干燥混合物；(2)将干燥混合物预烧处理之后，干燥粉碎细化得到多层低温烧结电容器瓷粉；(3)将多层低温烧结电容器瓷粉、无水乙醇、分散剂、消泡剂以及粘合剂混合球磨，得到浆料，将浆料倒在流延机注入口的PET载膜上，通过刮刀、加热区后形成稳定且具有韧性的微米级厚度陶瓷膜带，最后，裁剪得到生瓷膜片；(4)对所述生瓷膜片进行打孔操作，并使用通孔金浆和内电极金浆分别进行通孔和内电极的印刷；(5)将含通孔的膜片与含有内电极浆料的生瓷膜片依据对位标记堆叠起来，经过等静压形成类似MLCC的埋入式结构的巴块，其中等静压参数随产品厚度的不同而改变；(6)采用厚膜印刷方式，使用表层金浆在巴块的上下表面分别印制一层金电极，得到器件生坯；(7)将器件生坯放置于承烧板上，由室温经20h～48h缓慢升温至400℃～600℃排出器件生坯中的有机物，再进行烧结处理；置于高温箱式电炉中进行烧结处理，烧结温度为900℃±50℃，保温时间为2h～5h；(8)采用精确切割工艺技术，得到需求尺寸的片式通孔金电极芯片电容器产品。2.如权利要求1所述的片式通孔金电极芯片电容器的制备方法，其特征在于，所述氧化剂为Nb2O5、Nd2O3、CaCO3、SiO2、MnCO3以及ZnO中的至少一种，所述玻璃烧结助剂为ZnO-B2O3-SiO2。3.如权利要求1所述的片式通孔金电极芯片电容器的制备方法，其特征在于，所述钛酸钡体系的低烧X7R瓷料的介电常数为2000±300、介电损耗＜30×10-6、容量温度特性在-55℃～+125℃之间，无偏压，且...

【专利技术属性】
技术研发人员：何创创，庞锦标，班秀峰，刘婷，李小东，韩玉成，
申请(专利权)人：中国振华集团云科电子有限公司，
类型：发明
国别省市：贵州,52