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本发明公开了一种片式通孔金电极芯片电容器及其制备方法,制备方法包括:以钛酸钡体系的低烧X7R瓷料作为主基材,将氧化剂以及玻璃烧结助剂按比例砂磨混合,砂磨混合之后进行烘干处理得到干燥混合物;将干燥混合物预烧处理之后,干燥粉碎细化得到多层低温烧...该专利属于中国振华集团云科电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中国振华集团云科电子有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种片式通孔金电极芯片电容器及其制备方法,制备方法包括:以钛酸钡体系的低烧X7R瓷料作为主基材,将氧化剂以及玻璃烧结助剂按比例砂磨混合,砂磨混合之后进行烘干处理得到干燥混合物;将干燥混合物预烧处理之后,干燥粉碎细化得到多层低温烧...