一种单晶硅异质结太阳电池用的两面差异化绒面结构制造技术

技术编号:19620514 阅读:40 留言:0更新日期:2018-12-01 05:01
本实用新型专利技术涉及一种单晶硅异质结太阳电池用的两面差异化绒面结构,其特征在于:硅片结构的迎光面和背光面结构不同,所述迎光面为金字塔绒面结构,所述背光面为抛光面或尺寸大于迎光面的金字塔绒面结构。能有效节约降低后续生产成本、兼顾背表面的复合损耗、短路电流。

A Two-sided Differential Suede Structure for Monocrystalline Silicon Heterojunction Solar Cells

The utility model relates to a two-sided differentiated suede structure for single crystal silicon heterojunction solar cells, which is characterized in that the structure of the light-up side and the back-light side of the silicon wafer structure are different, the light-up side is a pyramidal suede structure, and the back-light side is a polished surface or a pyramidal suede structure whose size is larger than the light-up side. It can effectively reduce the subsequent production costs, take into account the complex loss of back surface and short circuit current.

【技术实现步骤摘要】
一种单晶硅异质结太阳电池用的两面差异化绒面结构
本技术涉及太阳能电池领域,具体说是一种单晶硅异质结太阳电池用的两面差异化绒面结构。
技术介绍
单晶硅异质结太阳电池转换效率高,被光伏行业公认为下一代大规模产业化关键技术之一。单晶硅异质结太阳电池的一大优点是其双面发电特性非常好,是一种理想的双面太阳电池。其目前生产中较为重要的发展方向是进一步提高其开路电压和降低贵重原材料的消耗。现行的制绒后的单晶硅片双面绒面结构相同,但该结构造成硅片表面积较大,复合损耗较为严重,降低了开路电压。如何兼顾开路电压和短路电流,是很困难的。
技术实现思路
本技术的目的就是对硅片两面的绒面结构进行差异化设计,提供一种能有效节约降低后续生产成本、兼顾背表面的复合损耗、短路电流的单晶硅异质结太阳电池用的两面差异化绒面结构。本技术采用的技术方案是:一种单晶硅异质结太阳电池用的两面差异化绒面结构,其特征在于:硅片结构的迎光面和背光面结构不同,所述迎光面为金字塔绒面结构,所述背光面为抛光面或尺寸大于迎光面的金字塔绒面结构。进一步地,所述迎光面金字塔绒面结构尺寸1-3μm。进一步地,所述迎光面金字塔绒面结构尺寸1-3μm;所述背光面金字塔绒面结构尺寸5-10μm。本技术的优点是:1、减少了背光面的比表面积,从而减少了后继CVD和PVD沉积所消耗的材料用量。在优选背面抛光的情况下,可节省~20%的非晶硅和TCO的用量,从而也节省了~20%的工艺时间,提高了产能。2、减少了背光面的比表面积,从而减少了背表面的复合损耗,可增加开路电压,并少量提高太阳电池的短路电流。本技术硅片的迎光面重点顾及太阳电池的减反射效果,硅片表面采用1-3μm小尺寸金字塔结构的绒面结构;硅片的背光面重点照顾太阳电池的开路电压提升,采用5-10μm的大尺寸金字塔或抛光结构来减少硅片表面的表面积,减少载流子复合概率,提高开路电压。并且可节省单晶硅异质结太阳电池后继制备工艺中CVD段和PVD段原材料的消耗,最多可节省约23%。附图说明图1为本技术实施例一结构示意图;图2为本技术实施例二结构示意图。图中:硅片1、小金字塔绒面结构2、大金字塔绒面结构3、抛光面4。具体实施方式以下结合附图和实施例对本技术作进一步说明。图1所示实施例一:一种单晶硅异质结太阳电池用的两面差异化绒面结构,其硅片1的迎光面和背光面结构不同,迎光面为小金字塔结构2,背光面为大金字塔绒面结构3,小金字塔绒面结构2尺寸1-3μm;大金字塔绒面结构3尺寸5-10μm。图2所示实施例二:一种单晶硅异质结太阳电池用的两面差异化绒面结构,其硅片1的迎光面和背光面结构不同,迎光面为小金字塔结构2,小金字塔绒面结构2尺寸1-3μm;所述背光面为抛光面4。实施例2与传统双面制绒片硅片相比,两种电池片的片源一样,不同之处是背光片进行了背面的抛光。在同时经过了电池制备后继的非晶硅镀膜、TCO沉积和电极制备的丝印工艺。由结果可见:背抛光后太阳电池的开路电压(Voc)、短路电流(Isc和Jsc)、填充因子(FF)和转换效率均有提升,性能如下图:Voc和FF提升的原因是:抛光后硅片的表面积变小,复合速率降低。短路电流提升的原因是:抛光后硅片背面的反射率提高,导致在硅片内部光从前表面传递到背表面时,硅片背表面反射使得光线在此进入电池片内部,再次被吸收。背抛光片与双面制绒片背面反射率的对比如下图所示:test1-test4是背抛光片的背面反射率;baseline是双面制绒片的背面反射率。可见在长波段背光片的背面反射率相比于双面制绒片明显提高。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单晶硅异质结太阳电池用的两面差异化绒面结构,其特征在于:硅片结构的迎光面和背光面结构不同,所述迎光面为金字塔绒面结构,所述背光面为抛光面或尺寸大于迎光面的金字塔绒面结构。

【技术特征摘要】
1.一种单晶硅异质结太阳电池用的两面差异化绒面结构,其特征在于:硅片结构的迎光面和背光面结构不同,所述迎光面为金字塔绒面结构,所述背光面为抛光面或尺寸大于迎光面的金字塔绒面结构。2.根据权利要求1所述的一种单晶硅异质结太阳电池用的两面...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄海宾吴小元何学勇梁栋王月斌徐昕王磊彭德香周浪
申请(专利权)人:中智泰兴电力科技有限公司
类型:新型
国别省市:江苏,32

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