【技术实现步骤摘要】
电子书触控板传感器用光电二极管
本技术涉及半导体功率器件，特别涉及一种电子书触控板传感器用光电二极管。
技术介绍
光电二极管是一种将光能转换为电能的半导体器件，基于PN结的光伏效应工作。光电二极管主要用于可见光及红外光谱区，通常在反偏置条件下工作，也可以用在零偏置状态。光电二极管在光照时产生光电流，无光照时，和普通二极管一样，其反向电流很小，称为暗电流；有光照时，反向电流迅速增大到几十微安，称为亮电流。光的强度越大，反向电流也越大。影响反向击穿电压的因素有杂质浓度、半导体薄层厚度，反向击穿电压还与PN结点形状、表面状况及材料结构等诸多因素有关。光电二极管是电子书触控板传感器常用二极管，电子书触控板传感器久用后容易出现灵敏度降低，接触不良等问题，因此需要提供使用寿命更长的光电二极管。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种尺寸小，寿命长，灵敏度高的光电二极管。实现本技术的技术方案是：电子书触控板传感器用光电二极管，低掺杂的N型高阻硅衬底上设有高掺杂P型硅层，形成PN结，低掺杂的N型高阻硅衬底外环为高掺杂N型硅环，所述N型高阻硅衬底、高掺杂P型硅层和高掺杂N型硅层上有碳纳...
【技术保护点】
1.一种电子书触控板传感器用光电二极管，低掺杂的N型高阻硅衬底上设有高掺杂P型硅层，形成PN结，低掺杂的N型高阻硅衬底外环为高掺杂N型硅环，其特征在于，所述N型高阻硅衬底、高掺杂P型硅层和高掺杂N型硅层上有碳纳米层，所述高掺杂P型硅层和高掺杂N型硅环间的低掺杂N型高阻硅衬底向外凸起形成低掺杂外延硅层；所述碳纳米层上有圆角正方形状接触孔，接触孔内沉积金属Al作为阳极，N型高阻硅衬底的背面沉积阴极；阴极电极和阳极电极外设有二氧化硅和氮化硅复合保护膜。
【技术特征摘要】
1.一种电子书触控板传感器用光电二极管，低掺杂的N型高阻硅衬底上设有高掺杂P型硅层，形成PN结，低掺杂的N型高阻硅衬底外环为高掺杂N型硅环，其特征在于，所述N型高阻硅衬底、高掺杂P型硅层和高掺杂N型硅层上有碳纳米层，所述高掺杂P型硅层和高掺杂N型硅环间的低掺杂N型高阻硅衬底向外凸起形成低掺杂外延硅层；所述碳纳米层上有圆角正方形状接触孔，接触孔内沉积金属Al作为阳极，N型高阻硅衬底的背面沉积阴极；阴极电极和阳极电极外设有二氧化硅和氮化硅复合...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔峰敏，
申请(专利权)人：傲迪特半导体南京有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32
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