单孔可控场发射装置制造方法及图纸

一种真空微电子器件技术领域的单孔可控场发射装置，包括：阴极阵列、硅微通道板、镍层、纵向异质结构薄膜和阳极，其中，阴极阵列和阳极相对设置，硅微通道板相对于阴极竖向设置且孔内覆盖有镍层，镍层与阴极阵列连接并覆盖有纵向异质结构薄膜；所述阴极阵列中各阴极与MOS开关管的源极端相连，MOS开关管的漏极接地，MOS开关管的栅极与与门的输出相连接，与门的输入分别表示行选通和列选通，从而控制硅微通道板各孔内发射材料的接地或悬空。本实用新型专利技术采用具有多孔通透结构的硅微通道板作为模板，不但对硅微通道板各孔内发射材料接地和悬空的状态进行独立控制，而且能够及时将产生的焦耳热散逸，提高场发射的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
单孔可控场发射装置
本技术涉及的是一种真空微电子器件领域的技术，具体是一种单孔可控场发射装置。
技术介绍
场发射是利用隧道效应原理使得发射材料的表面电子克服表面势垒束缚而逃逸到真空的过程。与传统硅、镍基场发射电极相比，碳基场发射电极中纵向异质结构薄膜具有更低的开启电场，能够提高发射电流密度和场发射性能，有望取代硅、镍基场发射电极成为下一代场发射器件应用材料。但是纵向异质结构薄膜的耐击穿、耐高压能力不强，长时间的离子轰击产生的焦耳热难以散逸，容易产生热击穿，严重影响器件的性能。
技术实现思路
本技术针对现有技术存在的上述不足，提出了一种单孔可控场发射装置，采用具有多孔通透结构的硅微通道板，并对硅微通道板各孔内发射材料接地和悬空的状态进行独立控制，能够及时将产生的焦耳热散逸，提高场发射的稳定性。本技术是通过以下技术方案实现的：本技术包括：阴极阵列、硅微通道板、镍层、纵向异质结构薄膜和阳极，其中，阴极阵列和阳极相对设置，硅微通道板相对于阴极竖向设置且孔内覆盖有镍层，镍层与阴极阵列连接且孔内覆盖有纵向异质结构薄膜；所述阴极阵列中各阴极一一对应设有MOS(Metal-Oxide-Semiconduct本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单孔可控场发射装置，其特征在于，包括：阴极阵列、硅微通道板、镍层、纵向异质结构薄膜和阳极，其中，阴极阵列和阳极相对设置，硅微通道板相对于阴极竖向设置且孔内覆盖有镍层，镍层与阴极阵列连接并覆盖有纵向异质结构薄膜；所述阴极阵列中各阴极一一对应设有MOS开关管并与MOS开关管的源极端相连，MOS开关管的漏极接地，MOS开关管的栅极与与门的输出相连接，与门的输入分别表示行选通和列选通，从而控制硅微通道板各孔内发射材料的接地或悬空。

【技术特征摘要】
1.一种单孔可控场发射装置，其特征在于，包括：阴极阵列、硅微通道板、镍层、纵向异质结构薄膜和阳极，其中，阴极阵列和阳极相对设置，硅微通道板相对于阴极竖向设置且孔内覆盖有镍层，镍层与阴极阵列连接并覆盖有纵向异质结构薄膜；所述阴极阵列中各阴极一一对应设有MOS开关管并与MOS开关管的源极端相连，MOS开关管的漏极接地，MOS开关管的栅极与与门的输出相连接，与门的输入分别表示行选通和列选通，从而控制硅微通道板各孔内发射材料的接地或悬空。2.根据权利要求1所述单孔可控场发射装置，其特征是，所述纵向异质结构薄膜包括碳基材料和硫化物。3.根据权利要求2...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴大军，陶石，张磊，高晓蕊，
申请(专利权)人：常熟理工学院，
类型：新型
国别省市：江苏,32