空穴传输层、其制备方法及半导体光电器件技术

本发明专利技术公开了一种空穴传输层，所述空穴传输层的材质包括P型半导体材料，所述p型半导体材料为掺杂低价态金属元素的钙钛矿材料，所述低价态金属元素的价态为+1价。所述空穴传输层的制备方法包括：将M1X、M2X及有机溶剂混合反应得到混合反应液；形成薄膜层；一次退火处理；薄膜层置入含AX的有机溶液，经清洗、二次退火处理，形成空穴传输层。本发明专利技术还公开了一种半导体光电器件，所述半导体光电器件包括空穴传输层。本发明专利技术另公开了一种半导体光电器件的制备方法，包括制备空穴传输层的步骤，并公开一种量子点发光二极管器件的制作方法，包括制备第一电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层及第二电极的步骤。

【技术实现步骤摘要】
空穴传输层、其制备方法及半导体光电器件
本专利技术涉及有机电致发光器件
，具体的涉及一种空穴传输层及其制备方法、半导体光电器件及其制备方法，以及量子点发光二极管器件的制作方法。
技术介绍
基于半导体量子点(QDs)发光的量子点发光二极管器件(QLEDs)具有发光效率高、色纯度高以及发光颜色简单可调等优点。近年来，对量子点材料及QLED器件的开发受到了越来越多的关注。与有机发光二极管器件相比较，QLED器件中的发光层由无机纳米粒子组成，目前主流的QLED器件中通常采用的是有机的空穴注入层、有机的空穴传输层、无机的量子点发光层、无机的电子传输层。但使用有机材料作为空穴传输层在光照射下，通常不稳定，因此会导致，QLED器件参数下降，寿命降低，延迟了QLED商业化应用的时间。另外，在传统量子点主动发光二极管中，空穴传输层所采用的材料为有机小分子或者聚合物之类，此种物质不稳定，且一种物质的LUMO和HOMO是固定的，不可调整。因此，如何提高空穴传输层的稳定性、有效调节空穴传输层的LUMO和HOMO、提高QLED的制作效率，成为了亟待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种空穴传输层，其特征在于：所述空穴传输层的材质包括P型半导体材料，所述P型半导体材料为掺杂低价态金属元素的钙钛矿材料，所述低价态金属元素的价态为+1价。

【技术特征摘要】
1.一种空穴传输层，其特征在于：所述空穴传输层的材质包括P型半导体材料，所述P型半导体材料为掺杂低价态金属元素的钙钛矿材料，所述低价态金属元素的价态为+1价。2.根据权利要求1所述的空穴传输层，其特征在于：所述钙钛矿材料的组成为AM1X，其中A包括Cs、CH3NH2、HC(NH2)2和Rb中的任意一种或两种以上的组合，M1包括Pb、Sn和Ge中的任意一种或两种以上的组合，X包括Cl、Br和I中的任意一种或两种以上的组合；和/或，所述低价态金属元素包括一价Cu+、Na+、Ag+、Rb+、Li+、K+和La+中的任意一种或两种以上的组合。3.一种空穴传输层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将M1X、M2X及有机溶剂混合后加热至40℃～80℃，反应得到混合反应液；(2)对步骤(1)所获混合反应液进行成膜处理，形成薄膜层；以及(3)对步骤(2)所获薄膜层进行一次退火处理；(4)将经步骤(3)处理后的薄膜层置入包含AX的有机溶液，再经清洗、二次退火处理，形成空穴传输层；其中，M1包括Pb、Sn和Ge中的任意一种或两种以上的组合；M2为低价态金属元素，包括Cu+、Na+、Ag+、Rb+、Li+、K+和La+中的任意一种或两种以上的组合；A包括Cs、CH3NH2、HC(NH2)2和Rb中的任意一种或两种以上的组合；X包括Cl、Br和I中的任意一种或两种以上的组合。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)具体包括：将M1X粉末、M2X粉末与DMF混合，并加热至40℃～80℃，且持续搅拌30min～2h，得到所述混合反应液；优选的，在所述M1X粉末、M2X粉末与DMF混合形成的混合液中M1X的浓度为1mmol/ml-30mmol/ml，M2X的浓度为0.1mmol/ml-3mmol/ml；优选的，所述M2X的物质的量是M1X物质的量的1％-10％。5.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈雨，
申请(专利权)人：嘉兴纳鼎光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33