一种量子点发光二极管及其制备方法、显示面板技术

本发明专利技术公开了一种量子点发光二极管及其制备方法、显示面板。该量子点发光二极管，包括依次叠加设置的阳极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极，所述量子点发光层的材料包括量子点和热电材料。该量子点发光二极管，量子点发光层中设置的热电材料，使得量子点周围的电子浓度提高，同时提高了电子的迁移率，从而有更多的电子与空穴复合形成激子，使得激子数量大幅提高，从而提高了QLED的发光效率，另外，热电材料的设置还改善了量子点的热稳定性，提升了QLED的性能，延长了QLED的使用寿命。本发明专利技术实施例提出的显示面板，包括本发明专利技术实施例提出的QLED，因此具有更高的发光效率，更优异的性能，使用寿命更长。

【技术实现步骤摘要】
一种量子点发光二极管及其制备方法、显示面板
本专利技术涉及显示
，具体涉及一种量子点发光二极管及其制备方法、显示面板。
技术介绍
量子点(QuantumDot，QD)是一种粒径不足10nm的半导体纳米晶体材料，其主要由IIB-VIA、IIIA-VA或IVA-VIA族元素组成。典型的量子点有ZnS、CdSe、PbSe等单体或复合结构。当量子点受到光或电的刺激时，能够发射出不同波长的光线，因此，可以通过调节量子点的尺寸与成分实现不同波长的光谱发射。量子点具有发射光谱窄、吸收光谱宽、带隙可调、量子效率高、稳定性好等特点，受到人们的广泛关注。量子点发光二极管(Quantum-dotLightEmittingDiodes，QLED)技术作为最有前景的显示技术之一，QLED结构与有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiodes，OLED)结构非常相似，具有色度高、成本低、节能等优点，在大尺寸显示领域得以广泛应用。然而，现有技术中的QLED存在发光效率低、使用寿命短的技术问题，从而严重影响了QLED显示器件的性能。
技术实现思路
本专利技术实施例的目的是，提供一种量子点发光二极管及其制备方法、显示面板，以提高QLED的发光效率，延长QLED的使用寿命。为了解决上述技术问题，本专利技术实施例提供了一种量子点发光二极管，包括依次叠加设置的阳极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极，所述量子点发光层的材料包括量子点和热电材料。可选地，所述热电材料包括碲化铋、硒化铋、碲化锑中的至少一种。可选地，所述热电材料为一维纳米结构。可选地，所述一维纳米结构包括纳米线、纳米棒和纳米管中的至少一种。可选地，所述量子点为核壳结构，所述量子点的核的材料包括CdSe，所述量子点的壳的材料包括ZnCdS。可选地，所述电子传输层的材料包括纳米氧化锌、纳米氧化钛中的至少一种。可选地，所述电子传输层与所述阴极之间为欧姆接触。为了解决上述技术问题，本专利技术实施例还提供了一种量子点发光二极管的制备方法，包括：形成阳极；在所述阳极上形成空穴传输层；在所述空穴传输层上形成量子点发光层，所述量子点发光层的材料包括量子点和热电材料；在所述量子点发光层上形成电子传输层；在所述电子传输层上形成阴极。可选地，所述在所述空穴传输层上形成量子点发光层包括：合成一维纳米结构的热电材料；将一维纳米结构的热电材料与对应的量子点材料混合，在添加剂的作用下，形成量子点发光材料的复合凝胶；将量子点发光材料的复合凝胶涂覆到空穴传输层上，通过构图工艺形成量子点发光层。为了解决上述技术问题，本专利技术实施例还提供了一种显示面板，包括以上所述的量子点发光二极管。本实施例提出的量子点发光二极管，量子点发光层的材料包括量子点和热电材料，热电材料的设置使得量子点周围的电子浓度提高，同时提高了电子的迁移率，从而有更多的电子与空穴复合形成激子，使得激子数量大幅提高，从而提高了QLED的发光效率，另外，热电材料的设置还改善了量子点的热稳定性，提升了QLED的性能，延长了QLED的使用寿命。本专利技术实施例提出的显示面板，由于包括本专利技术实施例提出的QLED，因此具有更高的发光效率，更优异的性能，使用寿命更长。本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。附图说明附图用来提供对本专利技术技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本专利技术的技术方案，并不构成对本专利技术技术方案的限制。图1为本专利技术第一实施例量子点发光二极管的结构示意图；图2为本专利技术第一实施例量子点发光层的材料结构示意图；图3示出了图1中阴极和阳极的俯视结构示意图；图4为本专利技术第二实施例的量子点发光二极管的制备方法的示意图；图5a为本专利技术第二实施例形成阳极后的结构示意图；图5b为本专利技术第二实施例形成空穴传输层后的结构示意图；图5c为本专利技术第二实施例形成量子点发光层后的结构示意图；图5d为本专利技术第二实施例形成电子传输层后的结构示意图。附图标记说明：10-基底；20-阳极；30-空穴注入层；40-空穴传输层；50-量子点发光层；51-第一发光图案；52-第二发光图案；53一第三发光图案；60一电子传输层；70-阴极；80-盖板。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本专利技术的实施例进行详细说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。下面将通过具体的实施例详细介绍本专利技术的
技术实现思路
。第一实施例：图1为本专利技术第一实施例量子点发光二极管的结构示意图。图2为本专利技术第一实施例量子点发光层的材料结构示意图。从图1和图2中可以看出，本实施例的QLED包括依次叠加设置的基底10、阳极20、空穴注入层30、空穴传输层40、量子点发光层50、电子传输层60、阴极70和盖板80。其中，量子点发光层50的材料包括量子点和热电材料。容易理解的是，根据需要，也可以在电子传输层60与阴极70之间设置电子注入层。QLED在工作时，空穴和电子分别从阳极和阴极注入到空穴注入层和电子注入层，空穴和电子分别通过相应的空穴传输层和电子传输层抵达量子点发光层的界面，然后，空穴和电子发生复合形成激子而放光。在传输过程中，空穴的衰减速度比电子的衰减速度高10倍左右，这就导致由电子和空穴复合形成的激子数量锐减。本实施例提出的量子点发光二极管，量子点发光层的材料包括量子点和热电材料，从图2中可以看出，热电材料的设置使得量子点周围的电子浓度提高，同时提高了电子的迁移率，因此，在空穴的衰减速度一定的情况下，电子浓度的提高及电子迁移率的提高使得有更多的电子可以在空穴衰减前与空穴复合形成激子，使得激子数量大幅提高，从而提高了QLED的发光效率，另外，热电材料的设置还改善了量子点的热稳定性，提升了QLED的性能，延长了QLED的使用寿命。热电材料具有一维结构、二维结构等多种结构，为了进一步提高QLED的发光效率，在本实施例中，热电材料为一维纳米结构的热电材料，一维纳米结构的热电材料可以为电子的传输提供直接通道，显著地提升电子的迁移率，减少电子的猝灭，进一步提高QLED的发光效率。一维纳米结构包括一维结构的纳米线、一维结构的纳米棒和一维结构的纳米管中的至少一种，其中，纳米管的直径为20nm～30nm。这样的一维纳米结构具有极好的热电性能和电子传输性能，可以进一步提高QLED的发光效率。热电材料包括碲化铋(Bi2Te3)、硒化铋(Bi2Se3)、碲化锑(Sb2Te3)中的至少一种。当热电材料为碲化铋时，量子点发光层50的材料包括量子点和一维碲化铋纳米材料的复合结构。热电材料是一种利用材料内部载流子运动，实现热能与电能直接相互转化的功能材料。在众多热电材料中，Bi2Te3是一种能在常温下获得优值系数(ZT)高于“1”的热电材料。基于塞贝克(Seebeck)效应和波尔帖(Peltier)效应，Bi2Te3可以实现温差发电和半导体制冷。一维结构的Bi2Te3热电材料，因其具有电子态密度高、晶格热导低等优点获得极好的热电性能。另外，一维Bi2Te3纳米材料本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子点发光二极管，其特征在于，包括依次叠加设置的阳极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极，所述量子点发光层的材料包括量子点和热电材料。

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光二极管，其特征在于，包括依次叠加设置的阳极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极，所述量子点发光层的材料包括量子点和热电材料。2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述热电材料包括碲化铋、硒化铋、碲化锑中的至少一种。3.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述热电材料为一维纳米结构。4.根据权利要求3所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述一维纳米结构包括纳米线、纳米棒和纳米管中的至少一种。5.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点为核壳结构，所述量子点的核的材料包括CdSe，所述量子点的壳的材料包括ZnCdS。6.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述电子传输层的材料包括纳米氧化锌、纳米氧化钛中的至少一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：豆远尧，黄中浩，王恺，杨宇桐，谌伟，田茂坤，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，重庆京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11