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本发明公开了一种空穴传输层，所述空穴传输层的材质包括P型半导体材料，所述p型半导体材料为掺杂低价态金属元素的钙钛矿材料，所述低价态金属元素的价态为+1价。所述空穴传输层的制备方法包括：将M1X、M2X及有机溶剂混合反应得到混合反应液；形成薄...
该专利属于嘉兴纳鼎光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过嘉兴纳鼎光电科技有限公司授权不得商用。

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