晶圆标记的监控方法和激光刻号机台对准位置的判定方法技术

本发明专利技术提供一种晶圆标记的监控方法和激光刻号机台对准位置的判定方法，该监测方法包括：在晶圆标记的水平面内，以两个相交方向扫描晶圆标记获得相应方向的两组波形信号；量测同一晶圆标记在两组波形信号中的直径长度；判断两组波形信号中直径长度的绝对值的差值是否符合预定误差范围；当两组波形信号中直径长度的绝对值的差值在预定误差范围时，判定晶圆标记的形状未出现异常；当两组波形信号中直径长度的绝对值的差值不在预定误差范围时，判定晶圆标记的形状出现异常。本发明专利技术能够监控晶圆标记的形状及光路方位是否异常。

【技术实现步骤摘要】
晶圆标记的监控方法和激光刻号机台对准位置的判定方法
本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种晶圆标记的监控方法和激光刻号机台对准位置的判定方法。
技术介绍
半导体制造
中，一次工艺制程需要同时操作多片晶圆，即半导体工艺中每一道工艺对晶圆的处理都为批量处理。同一道工艺中的多片晶圆彼此相同，无法对它们进行区分。在实践中可以通过晶圆的摆放位置区分晶圆，但是当晶圆的摆放位置由于某种原因发生变化时，会导致不同晶圆的识别出现混乱。为了区分各个晶圆，现有技术中通常的做法为：利用激光轰击晶圆，在晶圆表面上形成晶圆标记。以用于在各片晶圆之间进行区分，通过不同的晶圆标记识别不同的晶圆。标准的晶圆标记，是在晶圆表面向下形成圆形形状的凹坑，并且凹坑的边缘会由于激光能量的作用在晶圆表面形成向上的凸起。晶圆标记的监控方法，主要是通过扫描晶圆标记的波形信号，量测晶圆标记对应波形信号的峰值和谷值，从而监控激光能量大小，但是无法确定晶圆标记的形状以及光路方位是否异常。在利用激光轰击在晶圆表面形成晶圆标记时，随着激光刻号机台的老化，机台硬件(主要是指激光二极管)的更换越来越频繁，行业内现有的测机项目已经不能本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆标记的监控方法，其特征在于，包括以下步骤：在晶圆标记的水平面内，以两个相交方向扫描晶圆标记获得相应方向的两组波形信号；量测同一晶圆标记在两组波形信号中的直径长度；判断两组波形信号中直径长度的绝对值的差值是否符合预定误差范围；当两组波形信号中直径长度的绝对值的差值在预定误差范围时，判定晶圆标记的形状未出现异常；当两组波形信号中直径长度的绝对值的差值不在预定误差范围时，判定晶圆标记的形状出现异常。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆标记的监控方法，其特征在于，包括以下步骤：在晶圆标记的水平面内，以两个相交方向扫描晶圆标记获得相应方向的两组波形信号；量测同一晶圆标记在两组波形信号中的直径长度；判断两组波形信号中直径长度的绝对值的差值是否符合预定误差范围；当两组波形信号中直径长度的绝对值的差值在预定误差范围时，判定晶圆标记的形状未出现异常；当两组波形信号中直径长度的绝对值的差值不在预定误差范围时，判定晶圆标记的形状出现异常。2.如权利要求1所述的晶圆标记的监控方法，其特征在于，当晶圆标记的形状出现异常时，判定晶圆标记的光路方向存在异常。3.如权利要求1所述的晶圆标记的监控方法，其特征在于，所述两个相交方向包括：相交的第一方向和第二方向。4.如权利要求3所述的晶圆标记的监控方法，其特征在于，所述第一方向与所述第二方向为垂直相交或者非垂直相交。5.如权利要求4所述的晶圆标记的监控方法，其特征在于，当所述第一方向与所述第二方向为垂直相...

【专利技术属性】
技术研发人员：范世炜，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31