一种ITO基片的亲水处理方法技术

本发明专利技术涉及液晶显示技术领域，特别是涉及一种ITO基片的亲水处理方法。所述亲水处理方法包括用浓酸与双氧水的混合溶液对ITO基片进行处理的步骤。通过测试采用亲水处理后的ITO基片制备的薄膜的光学以及电学特性，发现载流子传输效率增加，进而提高了OLED器件的电光效率；薄膜电阻率低，发热较低，对OLED器件的稳定性以及寿命都有较大改善；薄膜的吸收光谱和发射光谱增强，发光效率得到提高。

【技术实现步骤摘要】
一种ITO基片的亲水处理方法
本专利技术涉及液晶显示
，特别是涉及一种ITO基片的亲水处理方法。
技术介绍
OLED具有轻薄、面发光、自发光、柔性可弯曲、透明等优势，在照明以及显示领域具有广阔的应用前景。OLED器件有机层为有机化学材料，有机薄膜与衬底的有效接触对于光电子的传输有极大的影响。目前对ITO的处理方法主要分为物理方法和化学方法。物理方法主要是等离子处理，包括O2等离子轰击、UV-ozone、氧辉光放电(O-GDT)等；化学方法主要是利用化学试剂清洗ITO表面以祛除ITO表面污渍。目前ITO玻璃清洗化学工艺主要由以下步骤：1.洗洁粉超声15min；2.蒸馏水超声15min；3.异丙醇超声15min；4.丙酮超声10min；5.紫外臭氧辐射30min。以上工艺只能清洗ITO表面，祛除ITO表面污渍，并不能对ITO进行针对性的亲水处理，导致ITO表面亲水性不强。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种ITO基片的亲水处理方法。根据本专利技术的ITO基片的亲水处理方法，包括用浓酸与双氧水的混合溶液对ITO基片进行处理的步骤。根据本专利技术的一个实施方式，所述浓酸选自腐蚀性酸。根据本专利技术的一个实施方式，所述浓酸选自浓硫酸、浓硝酸中的一种或两种。根据本专利技术的一个实施方式，所述亲水处理方法包括以下步骤：依次用第一溶剂、第二溶剂、浓酸与双氧水的混合溶液、水对ITO基片进行处理，并将处理后的所述ITO基片干燥。根据本专利技术的一个实施方式，所述第一溶剂选自乙醇、丙酮、异丙醇中的一种或一种以上。根据本专利技术的一个实施方式，所述第一溶剂选自乙醇。所述第二溶剂选自氯仿、苯、四氯化碳、甲氧基乙醇中的一种或一种以上。根据本专利技术的一个实施方式，所述第二溶剂选自氯仿。根据本专利技术的一个实施方式，所述水选自去离子水或蒸馏水。根据本专利技术的一个实施方式，所述干燥的方法包括：在真空环境中烘干或在真空环境中紫外照射。在不加热的情况下利用紫外照射方式可以去除水分子以及少量的氢离子、氢氧根离子。根据本专利技术的一个实施方式，所述干燥的方法为在真空环境中烘干。具体地，根据本专利技术的亲水处理方法包括以下步骤：S101：利用第一溶剂处理ITO基片；S102：利用第二溶剂对经第一溶剂处理后的ITO基片进行处理；S103：使用浓酸与双氧水的混合溶液，将经第二溶剂处理后的ITO基片放置在混合溶液中并且将混合溶液加热进行处理；S104：利用水对经混合溶液处理后的ITO基片进行处理；S105：将经水处理后的ITO基片干燥。根据本专利技术的一个实施方式，步骤S101中，处理温度为42～48℃，处理时间为20～45min；步骤S102中，处理温度为42～48℃，处理时间为20～45min；步骤S103中，处理温度为60℃～70℃，处理时间为20～45min；步骤S104中，处理时间为20～45min。根据本专利技术的一个实施方式，所述第一溶剂的体积浓度为90％～99％。根据本专利技术的一个实施方式，所述第一溶剂选自乙醇，并且乙醇的体积浓度为99％。根据本专利技术的一个实施方式，所述第二溶剂的体积浓度为90％～98％。根据本专利技术的一个实施方式，所述第二溶剂选自氯仿，并且氯仿的体积浓度为98％。根据本专利技术的一个实施方式，所述混合溶液中，浓酸和双氧水的体积比为6:4～7:3。根据本专利技术的一个实施方式，所述浓酸选自浓硫酸，并且浓硫酸和双氧水的体积比为7:3。根据本专利技术的一个实施方式，所述浓酸的质量浓度为90％～98％。根据本专利技术的一个实施方式，所述浓酸选自浓硫酸，并且浓硫酸的质量浓度为98％。本专利技术通过研究有机薄膜与基片材质结构，确定清洗工艺为：第一溶剂→第二溶剂→浓酸+双氧水→水，通过调整清洗工艺参数，破坏原有基片中sn之间的共价键，使得基片的sn与薄膜之间形成新的氢氧键。ITO基片与有机薄膜(聚乙烯基咔唑)之间亲水基增加，薄膜与基片通过亲水键可以有效接触。通过测试采用亲水处理后的ITO基片制备的薄膜的光学以及电学特性，发现载流子传输效率增加，进而提高了OLED器件的电光效率；薄膜电阻率低，发热较低，对OLED器件的稳定性以及寿命都有较大改善；薄膜的吸收光谱和发射光谱增强，发光效率得到提高。附图说明图1为ITO基片亲水性原理示意图；其中，图1中的a为亲水处理前的ITO基片表面，图1中的b为亲水处理后的ITO基片表面。图2为采用本专利技术的sa10基片的单层PVK有机薄膜的附着结构示意图。图3为采用不同工艺处理后的基片的PVK有机薄膜样品的V-I特性曲线。图4为采用不同工艺处理后的基片的PVK有机薄膜的激发光谱图。图5为采用不同工艺处理后的基片的PVK有机薄膜的发射光谱图。具体实施方式具体实施方式仅为对本专利技术的说明，而不构成对本
技术实现思路
的限制，下面将结合附图和具体的实施方式对本专利技术进行进一步说明和描述。根据本专利技术的ITO基片的亲水处理方法包括用浓酸与双氧水的混合溶液对ITO基片进行处理的步骤。根据本专利技术的一个实施方式，所述浓酸选自腐蚀性酸。根据本专利技术的一个实施方式，所述浓酸选自浓硫酸、浓硝酸中的一种或两种。根据本专利技术的一个实施方式，所述亲水处理方法包括以下步骤：依次用第一溶剂、第二溶剂、浓酸与双氧水的混合溶液、水对ITO基片进行处理，并将处理后的所述ITO基片干燥。根据本专利技术的一个实施方式，所述第一溶剂选自乙醇、丙酮、异丙醇中的一种或一种以上。根据本专利技术的一个实施方式，所述第一溶剂选自乙醇。所述第二溶剂选自氯仿、苯、四氯化碳、甲氧基乙醇中的一种或一种以上。根据本专利技术的一个实施方式，所述第二溶剂选自氯仿。根据本专利技术的一个实施方式，所述水选自去离子水或蒸馏水。根据本专利技术的一个实施方式，所述干燥的方法包括：在真空环境中烘干或在真空环境中紫外照射。在不加热的情况下利用紫外照射方式可以去除水分子以及少量的氢离子、氢氧根离子。根据本专利技术的一个实施方式，所述干燥的方法为在真空环境中烘干。具体地，根据本专利技术的亲水处理方法包括以下步骤：S101：利用第一溶剂处理ITO基片；S102：利用第二溶剂对经第一溶剂处理后的ITO基片进行处理；S103：使用浓酸与双氧水的混合溶液，将经第二溶剂处理后的ITO基片放置在混合溶液中并且将混合溶液加热进行处理；S104：利用水对经混合溶液处理后的ITO基片进行处理；S105：将经水处理后的ITO基片干燥。根据本专利技术的一个实施方式，步骤S101中，处理温度为42～48℃，处理时间为20～45min；步骤S102中，处理温度为42～48℃，处理时间为20～45min；步骤S103中，处理温度为60℃～70℃，处理时间为20～45min；步骤S104中，处理时间为20～45min。根据本专利技术的一个实施方式，步骤S101中，处理温度可以为42℃、43℃、44℃、44.5℃、45℃、46℃、47℃、48℃等。对于步骤S102中的温度也应作相同的理解。步骤S103中，处理温度可以为60℃、62℃、63℃、64℃、64.5℃、65℃、67℃、68.5℃、69℃、70℃等。步骤S104中，温度可以为45℃、46℃、46.5℃、47℃、48℃、48.5℃、49℃、50℃等。对于步骤S105中的温度也应作相同的理解。根据本专利技术的一个实施方式，步骤S101中，处理时间可以为20min、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种ITO基片的亲水处理方法，其特征在于，包括用浓酸与双氧水的混合溶液对ITO基片进行处理的步骤。

【技术特征摘要】
1.一种ITO基片的亲水处理方法，其特征在于，包括用浓酸与双氧水的混合溶液对ITO基片进行处理的步骤。2.根据权利要求1所述的亲水处理方法，其特征在于，包括以下步骤：依次用第一溶剂、第二溶剂、浓酸与双氧水的混合溶液、水对ITO基片进行处理，并将处理后的所述ITO基片干燥。3.根据权利要求1所述的亲水处理方法，其特征在于，所述浓酸选自浓硫酸、浓硝酸中的一种或两种。4.根据权利要求2所述的亲水处理方法，其特征在于，所述第一溶剂选自乙醇、丙酮、异丙醇中的一种或一种以上；所述第二溶剂选自氯仿、苯、四氯化碳、甲氧基乙醇中的一种或一种以上。5.根据权利要求1或2所述的亲水处理方法，其特征在于，包括以下步骤：S101：利用第一溶剂处理ITO基片；S102：利用第二溶剂对经第一溶剂处理后的ITO基片进行处理；S103：使用浓酸与双氧水的混合溶液，将经第二溶剂处理后的ITO基片放置在混合溶液中并且...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖艳凤，
申请(专利权)人：重庆京东方显示照明有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：重庆,50