被加工物的加工方法技术

提供被加工物的加工方法，能够抑制器件的安装不良、断线等加工后的破损。该被加工物的加工方法包含如下的步骤：掩模准备步骤，准备将被加工物正面的器件覆盖并且使间隔道露出的掩模；等离子蚀刻步骤，在该等离子蚀刻步骤中反复进行如下过程：隔着掩模对背面配设有保持部件的被加工物提供等离子化的SF6而形成槽，接着隔着掩模对被加工物提供等离子化的C4F8而使被膜堆积于被加工物，然后隔着掩模对被加工物提供等离子化的SF6从而将槽底的被膜去除而对槽底进行蚀刻；以及异物去除步骤，在实施了等离子蚀刻步骤(ST3)之后，利用清洗液对被加工物进行清洗而将通过等离子蚀刻步骤(ST3)而生成的被膜去除。

Processing methods of processed products

The processing method of the processed product is provided, which can restrain the damages after processing such as poor installation and broken wires of the device. The processing method of the processed product includes the following steps: the mask preparation step, which prepares the mask to cover the front part of the processed product and expose the gap; the plasma etching step, in which the following process is repeated: the processed product with the retaining parts on the back side is provided separately from the mask. A groove is formed by plasma SF6, and then plasma C4F8 is provided to the processed object through the mask to deposit the film on the processed object, then plasma SF6 is provided to the processed object through the mask to remove the film at the groove bottom and etch the groove bottom; and the foreign object removal step is implemented. After ST3, the film generated by plasma etching step (ST3) is removed by cleaning the processed product with the cleaning liquid.

【技术实现步骤摘要】
被加工物的加工方法
本专利技术涉及被加工物的加工方法，该被加工物具有在由交叉的多条间隔道划分的各区域内分别形成有器件的正面，该器件具有突起电极。
技术介绍
作为对由硅构成的基板或晶片进行分割的方法，使用等离子切割(例如，参照专利文献1和专利文献2)。另一方面，具有倒装芯片安装用的器件的晶片或具有由WLCSP(WaferlevelChipSizePackage：晶圆级芯片尺寸封装)构成的器件的晶片等形成有突起电极，该突起电极呈球状、立柱(柱)状，或立柱的上端部呈球状等。专利文献1：日本特开2006-114825号公报专利文献2：日本特许第4090492号公报但是，特别是当对形成有突起电极的晶片实施专利文献2所示的使用了BOSCH法的等离子切割时，所生成的异物(被膜)堆积于突起电极。当在异物附着于突起电极的状态下安装器件时，有可能出现安装不良或断线，或者之后在突起电极上从异物起产生腐蚀而出现破损。
技术实现思路
本专利技术是鉴于该问题点而完成的，其目的在于，提供被加工物的加工方法，能够抑制器件的安装不良、断线等加工后的破损。根据本专利技术，提供被加工物的加工方法，该被加工物具有在由交叉的多条本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种被加工物的加工方法，该被加工物具有在由交叉的多条间隔道划分的各区域内分别形成有器件的正面，该器件具有突起电极，其中，该被加工物的加工方法具有如下的步骤：掩模准备步骤，准备将被加工物正面的该器件覆盖并且使该间隔道露出的掩模；等离子蚀刻步骤，在该等离子蚀刻步骤中反复进行如下过程：隔着该掩模对正面的该器件被该掩模覆盖并且在背面配设有保持部件的被加工物提供等离子化的SF6而形成槽，接着隔着该掩模对被加工物提供等离子化的C4F8而使被膜堆积于被加工物，然后隔着该掩模对被加工物提供等离子化的SF6从而将该槽底的该被膜去除而对该槽底进行蚀刻；以及异物去除步骤，在实施了该等离子蚀刻步骤之后，利用清洗液...

【技术特征摘要】
2017.05.10 JP 2017-0941151.一种被加工物的加工方法，该被加工物具有在由交叉的多条间隔道划分的各区域内分别形成有器件的正面，该器件具有突起电极，其中，该被加工物的加工方法具有如下的步骤：掩模准备步骤，准备将被加工物正面的该器件覆盖并且使该间隔道露出的掩模；等离子蚀刻步骤，在该等离子蚀刻步骤中反复进行如下过程：隔着该掩模对正面的该器件被该掩模覆盖并且在背面配设有保持部件的被加工物提供等离子化的SF6而形成槽，接着隔着该掩模对被加工物提供等离子化的C4F8而使被膜堆积于被加工物，然后隔着该掩模对被加工物提供等离子化的SF6从而将该槽底的该被膜去除而对该槽底进行蚀刻；以及异物去除步骤，在实施了该等离子蚀刻步骤之后，利用清洗液...

【专利技术属性】
技术研发人员：F·韦，田渕智隆，山铜英之，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本,JP