阵列基板及修复阵列基板的方法技术

本发明专利技术涉及一种阵列基板及修复阵列基板的方法。该阵列基板包括：基板；位于基板上的多个子像素，每个子像素包括驱动晶体管和发光器件，驱动晶体管的控制端与数据信号端耦接，驱动晶体管的第一端与第一电压端耦接，发光器件串联连接在驱动晶体管的第二端与第二电压端之间，子像素包括第一子像素和与第一子像素邻近的发出相同颜色的光的第二子像素；以及第一修复线，其与第一子像素的发光器件和驱动晶体管的第二端之间的连接线以及第二子像素的发光器件和驱动晶体管的第二端之间的连接线绝缘相交。

Array Substrate and Method of Repairing Array Substrate

The invention relates to an array substrate and a method for repairing the array substrate. The array substrate includes: a substrate; a plurality of sub-pixels on the substrate, each sub-pixel including a driving transistor and a light-emitting device, the control end of the driving transistor is coupled with the data signal end, the first end of the driving transistor is coupled with the first voltage end, and the light-emitting device is connected in series with the second end of the driving transistor and the second electricity. Between the pressing terminals, the sub-pixels include the first sub-pixel and the second sub-pixel that emits the same color light adjacent to the first sub-pixel; and the first repair line, the connection line between the light emitting device of the first sub-pixel and the second end of the driving transistor, and the second end of the light emitting device and the driving transistor of the second sub-pixel. The connecting wires between them are insulated and intersected.

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及修复阵列基板的方法
本专利技术的实施例涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及修复阵列基板的方法。
技术介绍
LED显示技术具有自发光、广视角、高对比度、低耗电、高反应速度等优点，因而日益流行。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种阵列基板及修复阵列基板的方法，能够定位并修复阵列基板中不发光的像素点。根据本专利技术的第一方面，提供了一种阵列基板。所述阵列基板包括：基板；位于所述基板上的多个子像素，每个子像素包括驱动晶体管和发光器件，所述驱动晶体管的控制端与数据信号端耦接，所述驱动晶体管的第一端与第一电压端耦接，所述发光器件串联连接在所述驱动晶体管的第二端与第二电压端之间，所述子像素包括第一子像素和与所述第一子像素邻近的发出相同颜色的光的第二子像素；以及第一修复线，其与所述第一子像素的所述发光器件和所述驱动晶体管的第二端之间的连接线以及所述第二子像素的所述发光器件和所述驱动晶体管的第二端之间的连接线绝缘相交。在本专利技术的实施例中，所述发光器件包括串联连接在所述驱动晶体管的第二端与所述第二电压端之间的一个发光器件。在本专利技术的实施例中，所述发光器件包括串联连接在所述驱动晶体管的第二端与所述第二电压端之间的至少两个发光器件。在本专利技术的实施例中，所述阵列基板还包括：至少一个第二修复线，每个第二修复线与每两个相邻的发光器件之间的连接线绝缘相交；以及第三修复线，其与所述第一修复线和所述至少一个第二修复线绝缘相交。在本专利技术的实施例中，所述发光器件包括串联连接在所述驱动晶体管的第二端与所述第二电压端之间的两个发光器件。在本专利技术的实施例中，所述发光器件包括OLED、QLED或微LED发光器件。在本专利技术的实施例中，所述第一电压端的电压高于所述第二电压端的电压。根据本专利技术的第二方面，提供了一种用于修复在本专利技术的第一方面中描述的阵列基板的方法。在本专利技术的实施例中，所述阵列基板包括：基板；位于所述基板上的多个子像素，每个子像素包括驱动晶体管和发光器件，所述驱动晶体管的控制端与数据信号端耦接，所述驱动晶体管的第一端与第一电压端耦接，所述发光器件串联连接在所述驱动晶体管的第二端与第二电压端之间，所述子像素包括第一子像素和与所述第一子像素邻近的发出相同颜色的光的第二子像素；以及第一修复线，其与所述第一子像素的所述发光器件和所述驱动晶体管的第二端之间的连接线以及所述第二子像素的所述发光器件和所述驱动晶体管的第二端之间的连接线绝缘相交。在所述第一子像素的所述发光器件失效的情况下，所述修复方法包括：使所述第一子像素的所述连接线和所述第二子像素的所述连接线与所述第一修复线在相交位置处短接；以及切断所述第一修复线的在所述相交位置之间的部分与其余部分之间的连接。在本专利技术的实施例中，所述阵列基板包括：基板；位于所述基板上的多个子像素，每个子像素包括驱动晶体管和发光器件，所述驱动晶体管的控制端与数据信号端耦接，所述驱动晶体管的第一端与第一电压端耦接，所述发光器件串联连接在所述驱动晶体管的第二端与第二电压端之间，所述子像素包括第一子像素和与所述第一子像素邻近的发出相同颜色的光的第二子像素；第一修复线，其与所述第一子像素的所述发光器件和所述驱动晶体管的第二端之间的连接线以及所述第二子像素的所述发光器件和所述驱动晶体管的第二端之间的连接线绝缘相交，其中，所述发光器件包括串联连接在所述驱动晶体管的第二端与所述第二电压端之间的至少两个发光器件；至少一个第二修复线，每个第二修复线与每两个相邻的发光器件之间的连接线绝缘相交；以及第三修复线，其与所述第一修复线和所述至少一个第二修复线绝缘相交。在所述至少两个发光器件中存在失效的发光器件和正常工作的发光器件的情况下，所述方法包括：通过所述第一、所述第二和所述第三修复线旁路所述失效的发光器件以修复所述子像素。在本专利技术的实施例中，在修复的子像素的正常工作期间，增加所述修复的子像素的驱动晶体管的驱动电流。在本专利技术的实施例中，所述方法还包括：在通过所述第一、所述第二和所述第三修复线旁路所述失效的发光器件以修复所述子像素之前，通过下列方式确定所述失效的发光器件：使每个第二修复线与每两个相邻的发光器件之间的连接线短接；以及向所述第二修复线提供检测电压以确定所述失效的发光器件。在本专利技术的实施例中，所述发光器件包括依次串联连接在所述驱动晶体管的第二端与所述第二电压端之间的第一发光器件和第二发光器件，所述第一电压端的电压高于所述第二电压端的电压。使每个第二修复线与每两个相邻的发光器件之间的连接线短接包括：在所述第二修复线与所述第一发光器件和所述第二发光器件之间的第一连接线的第一相交位置处使所述第二修复线与所述第一连接线短接。在所述第一发光器件失效的情况下，所述方法包括：在所述第一修复线与所述第一发光器件和所述驱动晶体管的第二端之间的第二连接线的第二相交位置处，使所述第一修复线与所述第二连接线短接；在所述第三修复线与所述第一修复线的第三相交位置处使所述第三修复线与所述第一修复线短接，在所述第三修复线与所述第二修复线的第四相交位置处使所述第三修复线与所述第二修复线短接；在所述第三相交位置远离所述第二相交位置的一侧切断所述第一修复线；以及切断所述第二修复线的在所述第一相交位置和所述第四相交位置之间的部分与所述第二修复线的其余部分之间的连接。在本专利技术的实施例中，所述发光器件包括依次串联连接在所述驱动晶体管的第二端与所述第二电压端之间的第一发光器件和第二发光器件，所述第一电压端的电压高于所述第二电压端的电压。使每个第二修复线与每两个相邻的发光器件之间的连接线短接包括：在所述第二修复线与所述第一发光器件和所述第二发光器件之间的第一连接线的第一相交位置处使所述第二修复线与所述第一连接线短接。在所述第二发光器件失效的情况下，所述方法包括：切断所述第二修复线的对应于所述第二发光器件所位于的所述子像素的部分与所述第二修复线的其他部分之间的连接。在本专利技术的实施例中，在所述第二发光器件失效的情况下，在所述第二发光器件所位于的所述子像素的正常工作期间，向所述第二修复线的对应于所述第二发光器件所位于的所述子像素的部分施加等于发光器件的导通压降的电压。在本专利技术的实施例中，所述短接包括通过所述激光进行熔接。适应性的进一步的方面和范围从本文中提供的描述变得明显。应当理解，本申请的各个方面可以单独或者与一个或多个其他方面组合实施。还应当理解，本文中的描述和特定实施例旨在仅说明的目的并不旨在限制本申请的范围。附图说明本文中描述的附图用于仅对所选择的实施例的说明的目的，并不是所有可能的实施方式，并且不旨在限制本申请的范围，其中：图1示出了根据本专利技术的实施例的阵列基板的平面示意图；图2示出了根据本专利技术的实施例的阵列基板的平面示意图；图3示出了修复根据本专利技术的实施例的阵列基板的方法的示意图；图4示出了根据本专利技术的实施例的阵列基板的一种子像素排列示意图；图5示出了根据本专利技术的实施例的阵列基板的另一种子像素排列示意图；图6示出了修复根据本专利技术的实施例的阵列基板的方法的示意图；图7示出了修复根据本专利技术的实施例的阵列基板的方法的示意图；以及图8示出了修复根据本专利技术的实施例的阵列基板的方法的示意图。贯穿这些附图的各个视图，相应的参考编号指示相应的部件或特征。具体实施方式首先，需本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，包括：基板；位于所述基板上的多个子像素，每个子像素包括驱动晶体管和发光器件，所述驱动晶体管的控制端与数据信号端耦接，所述驱动晶体管的第一端与第一电压端耦接，所述发光器件串联连接在所述驱动晶体管的第二端与第二电压端之间，所述子像素包括第一子像素和与所述第一子像素邻近的发出相同颜色的光的第二子像素；以及第一修复线，其与所述第一子像素的所述发光器件和所述驱动晶体管的第二端之间的连接线以及所述第二子像素的所述发光器件和所述驱动晶体管的第二端之间的连接线绝缘相交。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括：基板；位于所述基板上的多个子像素，每个子像素包括驱动晶体管和发光器件，所述驱动晶体管的控制端与数据信号端耦接，所述驱动晶体管的第一端与第一电压端耦接，所述发光器件串联连接在所述驱动晶体管的第二端与第二电压端之间，所述子像素包括第一子像素和与所述第一子像素邻近的发出相同颜色的光的第二子像素；以及第一修复线，其与所述第一子像素的所述发光器件和所述驱动晶体管的第二端之间的连接线以及所述第二子像素的所述发光器件和所述驱动晶体管的第二端之间的连接线绝缘相交。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述发光器件包括串联连接在所述驱动晶体管的第二端与所述第二电压端之间的一个发光器件。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述发光器件包括串联连接在所述驱动晶体管的第二端与所述第二电压端之间的至少两个发光器件。4.根据权利要求3所述的阵列基板，还包括：至少一个第二修复线，每个第二修复线与每两个相邻的发光器件之间的连接线绝缘相交；以及第三修复线，其与所述第一修复线和所述至少一个第二修复线绝缘相交。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其中，所述发光器件包括串联连接在所述驱动晶体管的第二端与所述第二电压端之间的两个发光器件。6.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述发光器件包括OLED、QLED或微LED发光器件。7.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述第一电压端的电压高于所述第二电压端的电压。8.一种用于修复根据权利要求1至7中任一项所述的阵列基板的方法。9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述阵列基板包括：基板；位于所述基板上的多个子像素，每个子像素包括驱动晶体管和发光器件，所述驱动晶体管的控制端与数据信号端耦接，所述驱动晶体管的第一端与第一电压端耦接，所述发光器件串联连接在所述驱动晶体管的第二端与第二电压端之间，所述子像素包括第一子像素和与所述第一子像素邻近的发出相同颜色的光的第二子像素；以及第一修复线，其与所述第一子像素的所述发光器件和所述驱动晶体管的第二端之间的连接线以及所述第二子像素的所述发光器件和所述驱动晶体管的第二端之间的连接线绝缘相交，在所述第一子像素的所述发光器件失效的情况下，所述修复方法包括：将所述第一子像素的所述连接线和所述第二子像素的所述连接线与所述第一修复线在相交位置处短接；以及切断所述第一修复线的在所述相交位置之间的部分与其余部分之间的连接。10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述阵列基板包括：基板；位于所述基板上的多个子像素，每个子像素包括驱动晶体管和发光器件，所述驱动晶体管的控制端与数据信号端耦接，所述驱动晶体管的第一端与第一电压端耦接，所述发光器件串联连接在所述驱动晶体管的第二端与第二电压端之间，所述子像素包括第一子像素和与所述第一子像素邻近的发出相同颜色的光的第二子像素；第一修复线，其与所述第一子像素的所述发光器件和所述驱动晶体管的第二端之间的连接线以及所述第二子像素的所述发光器件和所述驱动晶体管的第二端之间的...

【专利技术属性】
技术研发人员：玄明花，陈小川，岳晗，丛宁，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11