高压插接连接器制造技术

技术编号:19532027 阅读:21 留言:0更新日期:2018-11-24 06:15
本实用新型专利技术涉及一种用于机动车、特别是电动车的高压插接连接器(100;200),该高压插接连接器带有:至少一根导线(102),所述导线(102)设置为传导至少400V的电压;电绝缘的壳体(108);和至少部分地包围了所述至少一根导线(102)的用于衰减电磁辐射的电磁衰减元件(106),且其中所述电磁衰减元件(106)布置在壳体(108)内。

【技术实现步骤摘要】
高压插接连接器
本专利技术涉及用于机动车的高压插接连接器。
技术介绍
在使用电气装置或部件时,可通过一定的电磁耦合或干扰路径发射电磁辐射。因此,将相应的部件屏蔽,或在此屏蔽不充分时在此部件内集成相应的衰减装置。所述装置或部件特别地是用于电气化驱动的功率或控制电子器件。此衰减装置是分开的组件,所述组件相对多地要求了在机动车方面典型地总是紧张的结构空间。每个电气构件、部件或装置产生电磁场,所述电磁场通过发射部件发出且因此侵入到另外的部件内且干扰另外的部件的功能。发射部件称为干扰源。接收干扰的被干扰部件称为干扰阱。基本上,部件可以是干扰源和干扰阱。所述耦合在此描述了源和阱之间的电磁干扰能量的路径。如前所述,所谓的电磁兼容性(EMV)起到重要作用。电磁兼容性描述了部件和整体系统的无干扰的功能,同时也描述了将部件和整体系统的电磁场限制于所涉及的部件自身及其相对于环境在干扰发射和干扰耐受性方面的兼容性。根据耦合的类型,在此导致了导线相关或导线不相关的干扰的另外的干扰机制起作用。用于提高电磁兼容性的已知的措施是使用屏蔽电缆,其中屏蔽部是导电的保护鞘,所述保护鞘将电缆内单独的导线或电缆内多个导线(或全部导线)包围。一方面,通过降低至传递信号的导体上或部件内的电磁散射和干涉,另一方面通过最小化从电缆或部件到环境的散射,该屏蔽支持了电磁兼容性。可能通过保护鞘不希望地辐射出高频能量。在此,干扰作为鞘波(即共模干扰)从装置导出,且从电缆辐射出-整个电缆或其屏蔽部在此起天线作用。为衰减此鞘波,将电缆在整个截面上引导通过作为鞘波滤波器的铁素体芯。为在传导直流电压的供电导线上衰减高频干扰,将单独的电导线或汇流条引导通过铁素体芯,所述铁素体芯作为带有低电感的扼流环起作用。因此,衰减了供电导线上的高频干扰脉冲,或降低了所述高频脉冲向所连接的导线上的传播。在出现电磁兼容性问题时,因此在再设计中将铁素体芯提供到电气部件内的导线上。因为在此需要再设计,所以开发过程拖延。此外,可能出现可供利用的结构空间的问题,且其解决方案导致另外的延迟。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题因此是通过使用结构上尽可能简单的方式提供电磁兼容滤波器,所述滤波器可简单且廉价地集成到现有的装置内。此技术问题通过独立权利要求的主题解决。本专利技术的有利的扩展在从属权利要求、说明书和附图中给出。根据本专利技术的用于机动车特别是电动车的高压插接连接器包括至少一根导线,所述导线被引导通过电绝缘的壳体。导线设置为传导至少400V的高压。此外,高压插接连接器具有电磁衰减元件,所述电磁衰减元件至少部分地包围所述至少一根导线。在此,衰减元件布置在壳体内。通过将电磁衰减元件集成到高压插接连接器内,衰减了电磁辐射。高压插接连接器可理解为电缆侧插接连接器或装置侧插接连接器。在此,“高压”的概念表示高于65V的电压情况。在机动车中,此类插接连接器设置为用于至少400V、典型地大约480V的电压水平(高压电压),或使用在超过800V、典型地大约900V至980V的情况中。至少一根导线被设置为传导高压。导线也可称为电导体。电磁衰减元件设置为在纵向方向上和/或在周向方向上至少部分地包围至少一根电导线的外周。在优选的实施形式中,至少一根导线具有鞘,所述鞘也称为电缆屏蔽部。如果提供多个(至少两个)导线,则这些导线可由整体屏蔽部或整体鞘包围。在此,电缆鞘在电衰减元件的区域内被中断,或换言之在电衰减元件和导线之间不布置鞘或电缆鞘。通过在电绝缘壳体内布置电衰减元件,通常不需要附加的结构空间,且电衰减元件被保护以防止机械损坏。优选地,高压插接连接器包括至少一根第二导线。如所图示,导线和至少第二导线分别具有包围了各导线的导线鞘。导线和至少第二导线与围绕导线的整体屏蔽部形成了电缆。在此,在电磁衰减元件的区域内,导线不具有导线鞘,且整体屏蔽部在外部包围电磁衰减元件。因此,整体屏蔽部在周部包围导线以及电磁衰减元件。整体屏蔽部可形成为将与装置壳体连接或者与装置壳体连接,所述高压插接连接器作为装置侧插接连接器安装到所述装置壳体内。有利地,电磁衰减元件布置在形成在壳体的内壁部分和至少一根导线之间的结构空间内。进一步优选地,电磁衰减元件至少部分地填充此结构空间,优选地,电磁衰减元件完全地填充此结构空间。因此,对于附加的电磁兼容性保护需要最少的质量,这特别地在通常后期集成附加的电磁兼容性保护时是重要的方面。根据实施形式建议,电磁衰减元件不触及导线,或替代地至少部分地触及且部分地不触及至少一根导线。通过衰减元件的表面上的衰减元件的附加的层,可使得衰减元件的芯不触及导线,而是至少部分地直接布置在其周部上。此外,电磁衰减元件是由至少一种磁性材料形成的成形体。磁性材料特别地是软磁性材料。此实施形式允许抑制特别地高频的电磁干扰,这通过使得滤波器元件对于更高的频率具有更高的抵抗来实现。滤波器元件因此对于电磁干扰作为扼流环起作用。优选地,磁性材料是铁素体或铁素体化合物,特别是锰-锌铁素体或镍-锌铁素体。因此,磁性材料可以是纳米晶体铁素体。在示例实施形式中,使用商品名称为Nanoperm的已知的磁性材料。Nanoperm是快速硬化的铁基合金的示例,其带有很细粒度的晶体结构。典型地,颗粒尺寸为10纳米,因此称为“纳米晶体”。此结构是特别好的软磁性特性的原因,所述特性通过热处理在外部磁场影响下可调节到另外的区域内。选择地,电磁衰减元件构造为双层电磁衰减元件,其包括内层和外层。在此,内层由磁性材料制成且外层由注塑的塑料或板包鞘制成,以保护磁性材料防止机械损坏。此外,电磁衰减元件的外部轮廓可具有至少部分为圆形的且补充地或替代地至少部分为有棱角的横截面。可有目的地与包围了衰减磁体的壳体的内部轮廓匹配,以最佳地使用其内的可供利用的空间且不使得高压插接连接器的长度过度疲劳。对于电磁衰减元件的电磁兼容性作用,由于体积而导致的电磁衰减元件的重量是重要的。电磁衰减元件的轮廓的示例实施形式是作为带有基本上圆形、椭圆形或矩形的凹缺的环、中空柱体或长方体的形状。电磁衰减元件可具有缝隙,使得被引导通过的导线除了在缝隙的区域内之外都被包围,且在缝隙的区域内保留间隙。缝隙宽度与待滤波的频率匹配,且与此频率在公差范围内成比例。有利地,通过缝隙实现使得电磁衰减元件不处于饱和或很晚处于饱和。在此,缝隙可从电磁衰减元件的外周部或外周面延伸到电磁衰减元件的内周部或内周面。内周部靠放在电磁衰减元件的凹缺上。替代地,缝隙可形成为槽口,即所述缝隙部分地从外周部向内周部的方向上延伸,或从内周部向外周部的方向上延伸。槽口的深度可例如至少延伸到材料内5%,或至少延伸到材料内25%或50%。通过作为缝隙或槽口的实施形式,在此可实现电容器效应,所述电容器效应可对应于并联连接的电容器。此类槽口的深度、宽度和长度与待滤波的频率匹配,且与此频率在公差范围内成比例。附图说明下文将参考附图解释本专利技术的有利实施例。各图为:图1至图4示出了根据本专利技术的不同的实施形式的高压插接连接器;图5至图10示出了根据本专利技术的不同的实施形式的电磁衰减元件;图11示出了根据本专利技术的实施形式的电缆侧插接连接器;和图12示出了根据本专利技术的实施形式的装置侧插接连接器。附图仅是示意性图示且仅用于解释本专利技术。相同的或作用相同的元件在各处本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种高压插接连接器(100;200),用于机动车,该高压插接连接器带有‑至少一根导线(102),所述导线设置为传导至少400V的电压,和‑电绝缘的壳体(108),其特征在于,‑至少部分地包围所述至少一根导线(102)的用于衰减电磁辐射的电磁衰减元件(106),且其中,所述电磁衰减元件(106)布置在所述壳体(108)内。

【技术特征摘要】
2017.01.30 DE 10201710172161.一种高压插接连接器(100;200),用于机动车,该高压插接连接器带有-至少一根导线(102),所述导线设置为传导至少400V的电压,和-电绝缘的壳体(108),其特征在于,-至少部分地包围所述至少一根导线(102)的用于衰减电磁辐射的电磁衰减元件(106),且其中,所述电磁衰减元件(106)布置在所述壳体(108)内。2.根据权利要求1所述的高压插接连接器(100;200),其特征在于,所述高压插接连接器(100;200)是用于电动车的。3.根据权利要求1所述的高压插接连接器(100;200),带有至少一根第二导线,其特征在于,导线(102)和至少第二导线分别具有包围各导线(102)的导线鞘(104),且导线(102)和至少第二导线与包围各所述导线(102)的整体屏蔽部(320)形成电缆,其中,在电磁衰减元件(106)的区域内导线(102)不具有导线鞘(104)且所述整体屏蔽部(320)在外部包围所述电磁衰减元件(106)。4.根据权利要求1或3所述的高压插接连接器(100;200),其特征在于,所述电磁衰减元件(106)在形成在所述壳体(108)的内壁部分和所述至少一根导线(102)之间的结构空间内布置为至少部分地填充此结构空间。5.根据权利要求4所述的高压插接连接器(100;200),其特征在于,所述电磁衰减元件(106)在形成在所述壳体(108)的内壁部分和所...

【专利技术属性】
技术研发人员:克里斯蒂安·扎彻尔
申请(专利权)人:利萨·德雷克塞迈尔有限责任公司
类型:新型
国别省市:德国,DE

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