一种高纯镁及其生产工艺制造技术

一种高纯镁及其生产工艺，属于镁制备技术领域，现有高纯镁纯度低、杂质多、不能批量生产、成本高的问题，包括如下质量份数的组分：Mg≥99.99%、其他不可避免的杂质：＜0.01%。按配比准备原料后，经熔化、精炼、提渣分析、静置、转炉后浇铸成型。本发明专利技术的高纯镁其应用于广泛用于特种合金、军事、化工、航天、试验室等领域，很好的弥补了现有镁纯度不高、不能批量生产、成本居高的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种高纯镁及其生产工艺
本专利技术属于高纯镁制备
，具体涉及一种高纯镁及其生产工艺。
技术介绍
镁是迄今在工程应用中最轻的金属材料之一，其密度为1.75-1.90g/cm3；高纯镁比铝合金轻36%，比锌合金轻73%，比钢轻77%，其比强度高于铝合金和钢，略低于比强度最高的纤维增强塑料；其机加工性能优良，易加工成本低，加工能力仅为铝的70%；其减振性、电磁屏蔽性远优于铝。另外，高纯镁的低密度、低熔点、低动力学黏度、低比热容、低相变潜热以及与铁的亲和力小等特点，使其具有熔化耗能少、充型变速快等优势，适合采用现代压铸技术进行成形加工，并且压铸件报废后，还可以直接回收再利用，符合环保要求，所以，综合性能优良的高纯镁被誉为“未来最佳工程材料”。但现有高纯镁存在纯度不、不能批量生产的问题，因此应用不广泛。
技术实现思路
本专利技术针对现有高纯镁纯度不足、不能批量生产的问题，提供一种纯度＞99.99%，批量化生产的高纯镁及其生产工艺。本专利技术采用如下技术方案：一种高纯镁，包括如下质量份数的组分：Mg≥99.99%、其他不可避免的杂质：＜0.01%。一种高纯镁的生产工艺，包括如下步骤：第一步，将生产出来的粗镁按照检测要求进行上、中、下外表剥离，选取Si<0.0010%，Mn<0.0020%，Al<0.0050%的粗镁结晶体；第二步，将用剥离后的粗镁结晶体投入熔化坩埚中，熔化结束温度控制在670-700℃；第三步，当温度达到670-700℃时，加入10kg精炼剂和2kg粉熔剂，开始精炼，精炼时间＞30min，精炼结束温度控制在720±20℃；第四步，精炼结束后，进行提渣，提渣完成后进行取样分析，合格后进行降温静置，静置结束温度控制在700±10℃，静置时间＞20min；第五步，静置结束后，进行转炉作业，转炉时间＞120min；第六步，在690±20℃的温度下，在锭模中进行浇铸。锭模浇铸前，预热温度控制在80-100℃。浇铸前要检查模具是否干净，模具涂料是否均匀。浇铸温度控制在690±20℃，刮皮动作要平稳、无飞边毛刺。车间每日对一腔和二腔的浮渣底渣清理一次，并静置30min才能进行浇铸；三腔浇铸30炉后或更换浇铸泵时清理底渣一次，每次清理完底渣后静置10～15分钟，及时把浮渣和覆盖剂捞干净，再撒入一层覆盖剂以保护镁液不被氧化。每炉从第二托中间取一块样品，作为样本用于终检；每块锭需成分、断口、ROHS等分析检测。在生产加料过程中，因粗镁小头上的钾钠盖钾、钠含量较高，要注意把粗镁小头上的钾钠盖挑选出来不得加入锅中。在生产过程中不可把平台上打扫的东西加入锅中。粗镁在熔化过程中要控制粗镁燃烧。本专利技术的有益效果如下：本专利技术通过在配方中加入特制溶剂，除去粗镁中的杂质，高纯镁纯度达到99.99%以上，另外，在本专利技术工艺下，高纯镁制备可以达到批量规模化生产，很好的弥补了现有高纯镁纯度不高和不能批量化生产，成本居高的问题。具体实施方式实施例1一种高纯镁，包括如下质量份数的组分：Mg≥99.99%、其他不可避免的杂质：＜0.01%。一种高纯镁的生产工艺，包括如下步骤：第一步，将生产出来的粗镁按照检测要求进行上、中、下外表剥离，选取Si<0.0020%，Mn<0.0020%，Al<0.0050%的粗镁结晶体；第二步，将用剥离后的粗镁结晶体投入熔化坩埚中，熔化结束温度控制在670℃；第三步，当温度达到670℃时，加入10kg精炼剂和2kg粉熔剂，开始精炼，精炼时间＞30min，精炼结束温度控制在700℃；第四步，精炼结束后，进行提渣，提渣完成后进行取样分析，合格后进行降温静置，静置结束温度控制在710℃，静置时间＞20min；第五步，静置结束后，进行转炉作业，转炉时间＞120min；第六步，在690℃的温度下，在锭模中进行浇铸。锭模浇铸前，预热温度控制在80℃。实施例2一种高纯镁，包括如下质量份数的组分：Mg≥99.99%、其他不可避免的杂质：＜0.01%。一种高纯镁的制备工艺，包括如下步骤：第一步，将生产出来的粗镁按照检测要求进行上、中、下外表剥离，选取Si<0.0020%，Mn<0.0010%，Al<0.0050%的粗镁结晶体；第二步，将用剥离后的粗镁结晶体投入熔化坩埚中，熔化结束温度控制在690℃；第三步，当温度达到690℃时，加入10kg精炼剂和2kg粉熔剂，开始精炼，精炼时间＞30min，精炼结束温度控制在740℃；第四步，精炼结束后，进行提渣，提渣完成后进行取样分析，合格后进行降温静置，静置结束温度控制在700℃，静置时间＞20min；第五步，静置结束后，进行转炉作业，转炉时间＞120min；第六步，在710℃的温度下，在锭模中进行浇铸。锭模浇铸前，预热温度控制在90℃。实施例3一种高纯镁，包括如下质量份数的组分：Mg≥99.99%、其他不可避免的杂质：＜0.01%。第一步，将生产出来的粗镁按照检测要求进行上、中、下外表剥离，选取Si<0.0020%，Mn<0.0010%，Al<0.0030%的粗镁结晶体；第二步，将用剥离后的粗镁结晶体投入熔化坩埚中，熔化结束温度控制在700℃；第三步，当温度达到700℃时，加入10kg精炼剂和2kg粉熔剂，开始精炼，精炼时间＞30min，精炼结束温度控制在720℃；第四步，精炼结束后，进行提渣，提渣完成后进行取样分析，合格后进行降温静置，静置结束温度控制在690℃，静置时间＞20min；第五步，静置结束后，进行转炉作业，转炉时间＞120min；第六步，在670℃的温度下，在锭模中进行浇铸。锭模浇铸前，预热温度控制在100℃。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高纯镁，其特征在于：包括如下质量份数的组分：Mg≥99.99%、其他不可避免的杂质：＜0.01%。

【技术特征摘要】
1.一种高纯镁，其特征在于：包括如下质量份数的组分：Mg≥99.99%、其他不可避免的杂质：＜0.01%。2.一种如权利要求1所述的一种高纯镁的生产工艺，其特征在于：包括如下步骤：第一步，将粗镁进行上、中、下外表剥离，选取Si<0.0010%，Mn<0.0020%，Al<0.0050%的粗镁结晶体；第二步，将用剥离后的粗镁结晶体投入熔化坩埚中，熔化结束温度控制在670-700℃；第三步，当温度达到670-...

【专利技术属性】
技术研发人员：梅小明，杨春林，于勤科，钱监文，
申请(专利权)人：五台云海镁业有限公司，
类型：发明
国别省市：山西,14