一种介孔硅藻As(V)离子表面印迹材料的制备方法和应用技术

本发明专利技术公开了一种介孔硅藻As(V)离子表面印迹材料的制备方法和应用,该离子印迹材料是以硅藻土为载体,As(V)离子为模板，氨丙基三甲氧基硅烷为功能单体，环氧氯丙烷为交联剂，盐酸为洗脱剂，通过表面离子印迹技术制备了介孔硅藻As(V)离子印迹材料。本发明专利技术的介孔硅藻As(V)离子印迹材料具有步骤简单、操作方便、生产效率高等优点,并且对水中As(V)离子具有良好的吸附性和选择性。

【技术实现步骤摘要】
一种介孔硅藻As(V)离子表面印迹材料的制备方法和应用
专利技术属于材料
,涉及一种基于介孔硅藻的印迹材料,具体涉及一种介孔硅藻As(V)离子表面印迹材料的制备方法和应用。
技术介绍
砷是普遍存在于自然界中的一种类金属元素,在地壳中含量排名第20，主要以硫化物和合金的形式存在。砷普遍应用在电子、农业、木材防腐、冶金和医药等领域,因此导致环境中砷含量尤其是水中的砷超标。根据化合价不同,砷又可分为五价砷和三价砷。其中三价砷毒性是五价砷毒性的60倍，但环境中五价砷存在更加稳定。砷中毒可能会引起消化系统，呼吸系统，血液系统等一系列的问题，严重的可能会导致癌症。因此，除砷技术已经成为了研究热点之一。离子印迹技术是分子印迹技术的一个重要分支，与分子印迹一样具有构效预知性、特异识别性和广泛适用性等优点。传统的离子印迹聚合物存在着，识别位点“包埋”在聚合物内部,使得模板离子与识别位点结合困难,结合速率低，所制备的印迹聚合物，机械性能差等缺点。而表面离子印迹技术能够实现印迹聚合物与印迹离子之间快速的结合与分离,降低了非特异吸附对选择性的影响。用表面离子印迹技术制备印迹材料，载体的选择至关重要，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种介孔硅藻As(V)离子表面印迹材料的制备方法和应用，其特征在于包括以下步骤:(1)活化硅藻土：称30g硅藻土用2mol/L的盐酸70℃水浴加热回流8～12h，之后抽滤，用去离子水洗至中性，最后80℃烘干；(2)称取0.2～0.25mmol的砷酸钠固体在三口瓶中，然后加入10mL超纯水使其充分溶解，再量取80～100mL的甲醇加入三口瓶中，混匀之后，滴加2mL的氨基丙基三甲氧基硅烷，反应1～2h，接着加入步骤(1)活化后的硅藻土4g，60℃冷凝回流20h，之后加入2.7mL的环氧氯丙烷，继续反应2～4h，冷却后抽滤，用无水乙醇洗涤2～3次；(3)最后在步骤(2)中加入0.5～1mol/L...

【技术特征摘要】
1.一种介孔硅藻As(V)离子表面印迹材料的制备方法和应用，其特征在于包括以下步骤:(1)活化硅藻土：称30g硅藻土用2mol/L的盐酸70℃水浴加热回流8～12h，之后抽滤，用去离子水洗至中性，最后80℃烘干；(2)称取0.2～0.25mmol的砷酸钠固体在三口瓶中，然后加入10mL超纯水使其充分溶解，再量取80～100mL的甲醇加入三口瓶中，混匀之后，滴加2mL的氨基丙基三甲氧基硅烷，反应1～2h，接着加入步...

【专利技术属性】
技术研发人员：李聪，钟溢健，王蓝青，梁效铭，解庆林，陈南春，
申请(专利权)人：桂林理工大学，
类型：发明
国别省市：广西,45