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本发明公开了一种介孔硅藻As(V)离子表面印迹材料的制备方法和应用,该离子印迹材料是以硅藻土为载体,As(V)离子为模板，氨丙基三甲氧基硅烷为功能单体，环氧氯丙烷为交联剂，盐酸为洗脱剂，通过表面离子印迹技术制备了介孔硅藻As(V)离子印迹材...
该专利属于桂林理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过桂林理工大学授权不得商用。

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