OLED阵列基板及制造其的方法、OLED像素电路以及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术的实施例提供一种OLED阵列基板，一种用于制造OLED阵列基板的方法，一种OLED像素电路，一种包括该OLED像素电路的OLED阵列基板，以及包括该OLED阵列基板的显示装置。该OLED阵列基板包括：衬底；设置在衬底之上的OLED；以及位于OLED和衬底之间的光敏器件。光敏器件包括从底部到顶部依次设置的第一电极、感光层和第二电极。OLED包括从底部到顶部依次设置的阳极、有机发光层、和阴极。阳极包括第一部分和第二部分。该第一部分在衬底上的正投影与感光层在衬底上的正投影不重叠。该第二部分在衬底上的正投影与感光层在衬底上的正投影重叠且是透明的。第二电极包括阳极的该第二部分。

【技术实现步骤摘要】
OLED阵列基板及制造其的方法、OLED像素电路以及显示装置
本专利技术涉及显示
，具体地，涉及有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode，简称OLED)阵列基板及制造其的方法、OLED像素电路以及显示装置。
技术介绍
近几年来，OLED显示装置渐渐成为当今显示
的热点之一。与传统的液晶显示器相比，OLED显示装置具有超高对比度，超薄厚度，超广色域，良好的大视角观赏体验及超快反应速度等特性，因此OLED显示装置在未来将占据更多的市场份额。
技术实现思路
本文中描述的实施例提供了一种OLED阵列基板，一种用于制造OLED阵列基板的方法，一种OLED像素电路，一种包括该OLED像素电路的OLED阵列基板，以及包括该OLED阵列基板的显示装置。它们能够补偿由于OLED老化而造成的显示亮度不均匀。根据本专利技术的第一方面，提供了一种OLED阵列基板。该OLED阵列基板包括：衬底；设置在衬底之上的OLED；以及位于OLED和衬底之间的光敏器件。光敏器件包括从底部到顶部依次设置的第一电极、感光层和第二电极。OLED包括从底部到顶部依次设置的阳极、有机发光层、和阴极。阳极包括第一部分和第二部分。该第一部分在衬底上的正投影与感光层在衬底上的正投影不重叠。该第二部分在衬底上的正投影与感光层在衬底上的正投影重叠且是透明的。第二电极包括阳极的该第二部分。在本专利技术的实施例中，OLED阵列基板还包括：位于阳极和有机发光层之间且具有开口的像素限定层。有机发光层的发光区域位于像素限定层的开口内。在本专利技术的实施例中，OLED阵列基板还包括：在衬底之上且在光敏器件面向衬底的一侧的第一晶体管和第二晶体管，以及在阳极与衬底之间依次设置的第一介质层和第二介质层。第一晶体管和第二晶体管的有源层和栅极叠层位于第二介质层中以及光敏器件的感光层和第一电极位于第一介质层中。光敏器件的第一电极通过第一介质层中的第一孔与第二晶体管的源/漏电极电连接。阳极的第一部分通过第一介质层中的第二孔与第一晶体管的源/漏电极电连接。在本专利技术的实施例中，OLED阵列基板还包括：第一介质层中的位于第一孔与第二孔之间的第三孔。阳极的第一部分进一步通过第三孔与第一晶体管的源/漏电极电连接。在本专利技术的实施例中，第一介质层包括在衬底与所述阳极之间依次设置的第一子层和第二子层。第一晶体管的源/漏电极和第二晶体管的源/漏电极位于第一子层中。光敏器件的感光层和第一电极位于第二子层中。在本专利技术的实施例中，阳极的第二部分作为第二电极的第一部分。第二电极还包括透明的第二部分和第三部分。第二电极的第二部分位于第二电极的第一部分与感光层之间。第二电极的第三部分从第二部分向第二孔延伸并与阳极的第一部分相间隔。OLED阵列基板还包括：第一介质层中的位于第一孔与第二孔之间的第三孔。第二电极的第三部分通过第三孔与第一晶体管的源/漏电极电连接。在本专利技术的实施例中，第一介质层包括在衬底与阳极之间依次设置的第一子层、第二子层和第三子层。第一晶体管的源/漏电极和第二晶体管的源/漏电极位于第一子层中。光敏器件的感光层和第一电极位于第二子层中。第二电极的第二部分和第三部分位于第三子层中。在本专利技术的实施例中，阳极的第一部分为光反射层而阴极为光透射层，或者阳极为光透射层而阴极为光反射层。在本专利技术的实施例中，阳极的该第二部分的面积与有机发光层的发光区域的面积的比例小于或者等于5％。根据本专利技术的第二方面，提供了一种用于制造OLED阵列基板的方法。该方法包括：提供衬底；在衬底上形成光敏器件；以及在光敏器件上形成OLED。光敏器件包括从底部到顶部依次设置的第一电极、感光层和第二电极。OLED包括从底部到顶部依次设置的阳极、有机发光层、和阴极。阳极包括第一部分和第二部分，该第一部分在衬底上的正投影与感光层在衬底上的正投影不重叠，该第二部分在衬底上的正投影与感光层在衬底上的正投影重叠且是透明的，以及其中第二电极包括阳极的该第二部分。在本专利技术的实施例中，形成光敏器件包括：在衬底上形成第一介质层；构图第一介质层以形成开口；在开口内形成第一电极；在开口内在第一电极上形成感光层；以及在感光层上形成包括第二电极。在本专利技术的实施例中，使用同一掩模形成第一电极、感光层以及第二电极。在本专利技术的实施例中，形成OLED包括：在第一介质层上形成反射光的导电层；构图导电层以去除导电层的在衬底上的正投影与感光层在衬底上的正投影重叠的部分，其中导电层的剩余部分形成所述阳极的所述第一部分；在阳极上形成具有开口的像素限定层，其中，像素限定层在衬底上的正投影与光敏器件在衬底上的正投影不重叠；在像素限定层的开口中和像素限定层上形成有机发光层；以及在有机发光层上形成阴极。在本专利技术的实施例中，阳极为光透射层，以及其中通过同一膜层形成阳极和第二电极。在本专利技术的实施例中，该方法还包括：在形成第一介质层之前：在衬底上形成第一晶体管和第二晶体管；在衬底上形成第二介质层以覆盖第一晶体管和第二晶体管的有源层和栅极叠层；以及形成穿过第二介质层分别连接到第一晶体管和第二晶体管的源/漏区域的相应的源/漏电极，其中，构图第一介质层还包括形成第一孔和第二孔，第一电极通过第一孔连接到第二晶体管的源/漏电极，阳极的第一部分通过第二孔连接到第一晶体管的源/漏电极。在本专利技术的实施例中，构图第一介质层还包括：在第一孔和第二孔形成第三孔，阳极的第一部分进一步通过第三孔与第一晶体管的源/漏电极电连接。在本专利技术的实施例中，构图所述第一介质层还包括：在第一孔和第二孔之间形成第三孔。在感光层上形成第二电极包括：在感光层上形成透明导电材料；以及构图该透明导电材料以形成第二电极。第二电极包括第一部分、第二部分以及第三部分。第一部分和第二部分在衬底上的正投影与感光层在衬底上的正投影重叠，且第二部分在第一部分与感光层之间，第三部分从第二部分向第二孔延伸并与阳极的第一部分相间隔。第二电极的第三部分通过第三孔与第一晶体管的源/漏电极电连接。根据本专利技术的第三方面，提供了一种OLED像素电路。该OLED像素电路包括：驱动电路、光学感测电路、补偿电路和发光器件。其中，驱动电路耦接补偿电路、光学感测电路和发光器件，并被配置为驱动发光器件发光；光学感测电路耦接驱动电路、补偿电路和发光器件，并被配置为感测发光器件的发光强度以及将发光强度转换为电信号；补偿电路耦接光学感测电路和驱动电路，并被配置为基于电信号产生用于补偿发光器件的发光强度的补偿电压，并向驱动电路提供补偿电压。在本专利技术的实施例中，驱动电路包括：第一晶体管和第三晶体管。第一晶体管的控制极耦接第三晶体管的第二极，第一晶体管的第一极耦接第一电压端，第一晶体管的第二极耦接光学感测电路和发光器件。第三晶体管的控制极耦接第一扫描信号端，第三晶体管的第一极耦接数据信号端。在本专利技术的实施例中，驱动电路还包括：第四晶体管和第一电容器。第四晶体管的控制极耦接第二扫描信号端，第四晶体管的第一极耦接第一晶体管的第二极，第四晶体管的第二极耦接补偿电路。第一电容器的第一端耦接第一晶体管的控制极，第一电容器的第二端耦接第一晶体管的第二极。在本专利技术的实施例中，光学感测电路包括：光敏器件和第二晶体管。光敏器件的第一极耦接第二晶体管的第一极，光敏器件的第二极耦接驱动电路和本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种OLED阵列基板，包括：衬底；设置在所述衬底之上的OLED；以及位于所述OLED和所述衬底之间的光敏器件；其中，所述光敏器件包括从底部到顶部依次设置的第一电极、感光层和第二电极；其中，所述OLED包括从底部到顶部依次设置的阳极、有机发光层、和阴极；其中，所述阳极包括第一部分和第二部分，所述第一部分在所述衬底上的正投影与所述感光层在所述衬底上的正投影不重叠，所述第二部分在所述衬底上的正投影与所述感光层在所述衬底上的正投影重叠且是透明的，以及其中所述第二电极包括所述阳极的所述第二部分。

【技术特征摘要】
1.一种OLED阵列基板，包括：衬底；设置在所述衬底之上的OLED；以及位于所述OLED和所述衬底之间的光敏器件；其中，所述光敏器件包括从底部到顶部依次设置的第一电极、感光层和第二电极；其中，所述OLED包括从底部到顶部依次设置的阳极、有机发光层、和阴极；其中，所述阳极包括第一部分和第二部分，所述第一部分在所述衬底上的正投影与所述感光层在所述衬底上的正投影不重叠，所述第二部分在所述衬底上的正投影与所述感光层在所述衬底上的正投影重叠且是透明的，以及其中所述第二电极包括所述阳极的所述第二部分。2.根据权利要求1所述的OLED阵列基板，其中，所述OLED阵列基板还包括：位于所述阳极和所述有机发光层之间且具有开口的像素限定层；其中，所述有机发光层的发光区域位于所述像素限定层的所述开口内。3.根据权利要求1所述的OLED阵列基板，其中，所述OLED阵列基板还包括：在所述衬底之上且在所述光敏器件面向衬底的一侧的第一晶体管和第二晶体管，以及在所述阳极与所述衬底之间依次设置的第一介质层和第二介质层；其中，所述第一晶体管和第二晶体管的有源层和栅极叠层位于所述第二介质层中以及所述光敏器件的感光层和第一电极位于所述第一介质层中；其中，所述光敏器件的第一电极通过所述第一介质层中的第一孔与所述第二晶体管的源/漏电极电连接；其中，所述阳极的所述第一部分通过所述第一介质层中的第二孔与所述第一晶体管的源/漏电极电连接。4.根据权利要求3所述的OLED阵列基板，其中，所述OLED阵列基板还包括：所述第一介质层中的位于所述第一孔与所述第二孔之间的第三孔；其中，所述阳极的所述第一部分进一步通过所述第三孔与所述第一晶体管的所述源/漏电极电连接。5.根据权利要求4所述的OLED阵列基板，其中，所述第一介质层包括在所述衬底与所述阳极之间依次设置的第一子层和第二子层，其中，所述第一晶体管的源/漏电极和所述第二晶体管的源/漏电极位于所述第一子层中；其中，所述光敏器件的所述感光层和所述第一电极位于所述第二子层中。6.根据权利要求3所述的OLED阵列基板，其中，所述阳极的所述第二部分作为所述第二电极的第一部分；其中，所述第二电极还包括透明的第二部分和第三部分；其中所述第二电极的所述第二部分位于所述第二电极的所述第一部分与所述感光层之间，所述第二电极的所述第三部分从所述第二部分向所述第二孔延伸并与所述阳极的所述第一部分相间隔；其中，所述OLED阵列基板还包括：所述第一介质层中的位于所述第一孔与所述第二孔之间的第三孔；其中，所述第二电极的所述第三部分通过所述第三孔与所述第一晶体管的所述源/漏电极电连接。7.根据权利要求6所述的OLED阵列基板，其中，所述第一介质层包括在所述衬底与所述阳极之间依次设置的第一子层、第二子层和第三子层，其中，所述第一晶体管的源/漏电极和所述第二晶体管的源/漏电极位于所述第一子层中；其中，所述光敏器件的所述感光层和所述第一电极位于所述第二子层中；其中，所述第二电极的所述第二部分和所述第三部分位于所述第三子层中。8.根据权利要求1-7中任一项所述的OLED阵列基板，其中，所述阳极的第一部分为光反射层而所述阴极为光透射层，或者所述阳极为光透射层而所述阴极为光反射层。9.根据权利要求1所述的OLED阵列基板，其中，所述阳极的所述第二部分的面积与所述有机发光层的发光区域的面积的比例小于或者等于5％。10.一种用于制造OLED阵列基板的方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成光敏器件；以及在所述光敏器件上形成OLED；其中，所述光敏器件包括从底部到顶部依次设置的第一电极、感光层和第二电极；其中，所述OLED包括从底部到顶部依次设置的阳极、有机发光层、和阴极；其中，所述阳极包括第一部分和第二部分，所述第一部分在所述衬底上的正投影与所述感光层在所述衬底上的正投影不重叠，所述第二部分在所述衬底上的正投影与所述感光层在所述衬底上的正投影重叠且是透明的，以及其中所述第二电极包括所述阳极的所述第二部分。11.根据权利要求10所述的方法，其中，形成所述光敏器件包括：在衬底上形成第一介质层；构图所述第一介质层以形成开口；在所述开口内形成所述第一电极；在所述开口内在所述第一电极上形成所述感光层；以及在所述感光层上形成所述第二电极。12.根据权利要求11所述的方法，其中，使用同一掩模...

【专利技术属性】
技术研发人员：李蒙，李永谦，何敏，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11