研磨剂、研磨剂组和基体的研磨方法技术

本发明专利技术涉及的研磨剂含有：水、包含四价金属元素的氢氧化物的磨粒、聚亚烷基二醇和阳离子性聚合物，其中，阳离子性聚合物选自由烯丙基胺聚合物、二烯丙基胺聚合物、乙烯基胺聚合物和乙烯亚胺聚合物构成的组群中的至少一种。

【技术实现步骤摘要】
研磨剂、研磨剂组和基体的研磨方法本申请是基于以下中国专利申请的分案申请：原案申请日：2013年02月14日原案申请号：201380010364.1(PCT/JP2013/053559)原案申请名称：研磨剂、研磨剂组和基体的研磨方法
本专利技术涉及研磨剂、研磨剂组以及使用上述研磨剂或上述研磨剂组的基体的研磨方法。特别是，本专利技术涉及作为半导体元件的制造技术的、在基体表面的平坦化工序中使用的研磨剂、研磨剂组以及使用上述研磨剂或上述研磨剂组的基体的研磨方法。更详细地，本专利技术涉及在浅沟槽隔离(ShallowTrenchIsolation，以下称为“STI”)绝缘材料、金属前(Premetal)绝缘材料、层间绝缘材料等的平坦化工序中所使用的研磨剂、研磨剂组以及使用上述研磨剂或上述研磨剂组的基体的研磨方法。
技术介绍
近年的半导体元件的制造工序中，用于高密度化·微细化的加工技术的重要性越来越增高。作为加工技术之一的CMP(ChemicalMechanicalPolishing：化学机械研磨)技术在半导体元件的制造工序中，成为STI的形成、金属前绝缘材料或层间绝缘材料的平坦化、插入或嵌入金属本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基体的研磨方法，其是具有绝缘材料和多晶硅的基体的研磨方法，其中，所述研磨方法具有使用研磨剂，相对于所述多晶硅对所述绝缘材料进行选择性研磨的工序，所述研磨剂含有：水、包含四价金属元素的氢氧化物的磨粒、聚亚烷基二醇和包含二烯丙基二甲基氯化铵·丙烯酰胺共聚物的阳离子性聚合物。

【技术特征摘要】
2012.02.21 JP 2012-0354321.一种基体的研磨方法，其是具有绝缘材料和多晶硅的基体的研磨方法，其中，所述研磨方法具有使用研磨剂，相对于所述多晶硅对所述绝缘材料进行选择性研磨的工序，所述研磨剂含有：水、包含四价金属元素的氢氧化物的磨粒、聚亚烷基二醇和包含二烯丙基二甲基氯化铵·丙烯酰胺共聚物的阳离子性聚合物。2.一种基体的研磨方法，其是具有绝缘材料和多晶硅的基体的研磨方法，其中，所述研磨方法具有使用将研磨剂组中的第一液体和第二液体混合而得到的研磨剂，相对于所述多晶硅对所述绝缘材料进行选择性研磨的工序，所述研磨剂含有：水、包含四价金属元素的氢氧化物的磨粒、聚亚烷基二醇和包含二烯丙基二甲基氯化铵·丙烯酰胺共聚物的阳离子性聚合物，所述研磨剂组是将所述研磨剂的构成成分分为多个液体而保存的；所述第一液体含有所述磨粒，所述第二液体含有选自由所述聚亚烷基二醇和所述阳离子性聚合物构成的组群中的至少一种。3.如权利要求1或2所述的基体的研磨方法，所述聚亚烷基二醇的重均分子量为600～6000。4.一种基体的研磨方法，其是具有绝缘材料和多晶硅的基体的研磨方法，其中，所述研磨方法具有使用研磨剂，相对于所述多晶硅对所述绝缘材料进行选择性研磨的工序，所述研磨剂含有：水、包含四价金属元素的氢氧化物的磨粒、聚亚烷基二醇和阳离子性聚合物，所述阳离子性聚合物是选自由聚烯丙基胺和聚乙烯亚胺构成的组群中的至少一种，所述聚亚烷基二醇的重均分子量为600～6000。5.一种基体的研磨方法，其是具有绝缘材料和多晶硅的基体的研磨方法，其中，所述研磨方法具有使用将研磨剂组中的第一液体和第二液体混合而得到的研磨剂，相对于所述多晶硅对所述绝缘材料进行选择性研磨的工序，所述研磨剂含有：水、包含四价金属元素的氢氧化物的磨粒、聚亚烷基二醇和阳离子性聚合物，所述阳离子性聚合物是选自由聚烯丙基胺和聚乙烯亚胺构成的组群中的至少一种，所述研磨剂组...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿久津利明，南久贵，岩野友洋，藤崎耕司，
申请(专利权)人：日立化成株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP