晶圆表面平坦化方法技术

本发明专利技术提供一种晶圆表面平坦化方法，包括以下步骤：1）提供一晶圆，所述晶圆包括相对的第一表面及第二表面；2）在所述晶圆的第一表面形成第一固化平坦层；3）对所述晶圆的第二表面进行研磨处理；4）去除所述第一固化平坦层；5）在所述晶圆研磨处理后的第二表面形成第二固化平坦层；6）对所述晶圆的第一表面进行研磨处理；7）去除所述第二固化平坦层。本发明专利技术的晶圆平坦化方法可以彻底消除晶圆表面的表面纳米形貌，具有工艺步骤简单、易于操作、效率较高等优点。

Wafer surface planarization method

The invention provides a wafer surface flattening method, which includes the following steps: 1) providing a wafer, the wafer includes a relative first surface and a second surface; 2) forming a first solidified flat layer on the first surface of the wafer; 3) grinding the second surface of the wafer; 4) removing the first solidification; Flat layer; 5) forming a second solidified flat layer on the second surface of the wafer after grinding; 6) grinding the first surface of the wafer; 7) removing the second solidified flat layer. The wafer flattening method of the invention can completely eliminate the surface nano-morphology of the wafer surface, and has the advantages of simple process steps, easy operation and high efficiency.

【技术实现步骤摘要】
晶圆表面平坦化方法
本专利技术涉及半导体工艺
，特别是涉及一种晶圆表面平坦化方法。
技术介绍
随着半导体工艺技术的发展，当达到0.25μm技术节点之后，表面纳米形貌(nanotopography)已成为一个重要的关注点；表面纳米形貌是指在晶圆表面形成的0.2mm～20mm的偏差，具体为线切割过程中在形成的晶圆表面形成的波纹状结构。表面纳米形貌对于浅沟槽隔离结构的CMP工艺具有显著的影响。近年来，已经提出了一些在晶圆抛光之前对切片形成的晶圆进行处理以消除表面纳米形貌的方法，具体如下：1.双面研磨(DoubleSideLapping)双面研磨的具体方法为：将晶圆水平放置，同时使用Al2O3和压板同时覆盖晶圆的两侧对晶圆进行研磨，该研磨方法可以有效地消除晶圆表面呈波纹状的表面纳米形貌。但是，该方法效率较低，耗时较长；此外，由于该方法要使用研磨浆料，容易对环境造成危害。2.双盘磨削(DoupbleDiskGrinding，DDSG)双盘磨削的具体方法为：晶圆垂直放置于一载体上，通过流体静压力平衡并与载体一起以低速旋转，同时，砂轮高速旋转以对晶圆的两表面同时进行研磨。然而，DDSG消除晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆表面平坦化方法，其特征在于，包括以下步骤：1)提供一晶圆，所述晶圆包括相对的第一表面及第二表面；2)在所述晶圆的第一表面形成第一固化平坦层；3)对所述晶圆的第二表面进行研磨处理；4)去除所述第一固化平坦层；5)在所述晶圆研磨处理后的第二表面形成第二固化平坦层；6)对所述晶圆的第一表面进行研磨处理；7)去除所述第二固化平坦层。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆表面平坦化方法，其特征在于，包括以下步骤：1)提供一晶圆，所述晶圆包括相对的第一表面及第二表面；2)在所述晶圆的第一表面形成第一固化平坦层；3)对所述晶圆的第二表面进行研磨处理；4)去除所述第一固化平坦层；5)在所述晶圆研磨处理后的第二表面形成第二固化平坦层；6)对所述晶圆的第一表面进行研磨处理；7)去除所述第二固化平坦层。2.根据权利要求1所述的晶圆表面平坦化方法，其特征在于：步骤2)中，在所述晶圆的第一表面形成第一固化平坦层包括如下步骤：2-1)将所述晶圆置于真空吸盘表面，所述晶圆的第二表面与所述真空吸盘的表面相接触；2-2)将液态可固化树脂滴覆于所述晶圆的第一表面，且使所述真空吸盘带动所述晶圆旋转，以在所述晶圆的第一表面形成第一树脂层；2-3)将所述第一树脂层进行平坦化处理；2-4)将所述第一树脂层固化以得到所述第一固化平坦层。3.根据权利要求1所述的晶圆表面平坦化方法，其特征在于：步骤3)中，使用砂轮对所述晶圆的第二表面进行研磨处理。4.根据权利要求3所述的晶圆表面平坦化方法，其特征在于：步骤3)中，使用2000目～50000目的砂轮对所述晶圆的第二表面进行研磨处理。5.根据权利要求3所述的晶圆表面平坦化方法，其特征在于：步骤3)包括如下步骤：3-1)使用2000目～10000目的砂轮对所述晶圆的第二表面进行粗研磨；3-2)使用3000目～50000目的砂轮对所述晶圆的第...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵厚莹，
申请(专利权)人：上海新昇半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31